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公开(公告)号：CN105490662B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510850158.2
申请日：2015-11-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03H9/64
Abstract: 种声表面波滤波器,包括基底(2)和盖帽(9),基底(2)上有滤波器图形层,滤波器图形层包括发射叉指换能器(3)、接收叉指换能器(4)、地线(7)、信号输入端口(5)和信号输出端口(6);地线(7)包括与发射叉指换能器(3)相连的第地线(71)和与接收叉指换能器(4)相连的第二地线(72);发射叉指换能器(3)、接收叉指换能器(4)为矩形叉指电极,由两个梳状电极相交叉组成;发射叉指换能器(3)和接收叉指换能器(4)的梳状电极公共端的拐角处为圆角。为了有效避免尖端效应,本发明采用对器件在地线与叉指电极的连接处采取圆角化处理,有效降低了尖端的场强,从而避免击穿现象的发生,提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105293420A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510729482.9
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种MEMS圆片级真空封装结构及其制作方法。封装结构包括硅盖板和带可动结构的MEMS圆片，盖板上带有垂直通孔，通孔内部填充有导电材料，盖板键合面有凹槽，凹槽底部有一层吸气剂薄膜，硅盖板与带可动结构的MEMS圆片通过圆片键合形成真空封装结构。本发明的制作方法首先在盖板上制作出通孔，孔内填充导电材料。然后在键合面上制作出凹槽，槽底部淀积一层吸气剂薄膜，键合区域淀积一层多层金属薄膜，将盖板与带可动结构的MEMS圆片在真空环境中进行圆片键合。本发明通过在硅盖板上制作带有吸气剂的槽和通孔，实现了密闭凹槽的电极引出，不需引线键合，工序简单，同时提高了封装结构内真空度的维持能力，避免了切割时颗粒对可动结构的沾污，保证器件性能。
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公开(公告)号：CN105575734A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510981271.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H49/00
Abstract: 本发明公开了一种射频MEMS开关及其制造方法，该射频MEMS开关的结构特点为硅-硅双层结构，包括衬底、介质层、驱动电极、隔离层、信号线、地线和盖帽；信号线包括信号线输入电极、柱状锚点、两个固定梁、横梁、多触点系统和信号线输出电极。两个固定梁一端固定在柱状锚点上表面，另一端与横梁的固定端连接，多触点系统位于横梁自由端的下方，驱动电极位于横梁下方，硅帽上加工凹槽和通孔，通孔的位置与信号线输入电极、信号线输出电极、地线和驱动电极相对应。本发明的射频MEMS开关，有效的降低了开关的驱动电压，提高了触点的寿命，用硅帽对横梁进行保护使其不受环境影响，提高了开关的可靠性。
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公开(公告)号：CN104649217B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201410815965.6
申请日：2014-12-23
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种多MEMS传感器的单芯片加工方法，首先在第一衬底的背面加工第二处理电路模块与第二传感结构模块所需的腔体、键合区，在正面制作第一传感结构模块、金属焊盘和通孔；然后在第二衬底圆片的正面制作第二处理电路模块、第二传感结构模块、金属焊盘和键合区，在背面加工腔体；最后将集成了第一传感结构模块的第一衬底与集成了第二传感结构模块和第二处理电路模块的第二衬底在真空环境中进行硅-金属-硅键合形成键合片，按照划片道进行划片，形成多个片上微系统单芯片。本发明方法采用了双衬底方式，对传感器种类和电路种类几乎没有限制，集成度高，并且工艺兼容性强，非常适合用于微型传感器系统单芯片集成领域。
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公开(公告)号：CN103818874A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410048811.9
申请日：2014-02-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及MEMS结构与处理电路集成系统的新型封装方法，该方法包括：（1）MEMS圆片上每个基底单元预留多个电路芯片放置区域，将电路芯片放置在MEMS圆片上，形成MEMS结构与处理电路的集成；（2）利用垂直互联技术，采用硅作为盖板，盖板上带有垂直通孔，通孔内部填充导电材料，形成结构的输入和输出端口；（3）盖板键合面有多个槽，用于提供MEMS器件工作所需的真空气密环境和电路所需的空间，盖板槽内部的吸气剂薄膜，用于维持真空度；（4）将盖板与MEMS圆片进行圆片键合，实现圆片级真空集成封装，该方法不仅工艺简单，适用范围广，效果显著，而且能够避免由于热膨胀系数带来的热应力，显著提高器件的温度系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106129047B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201610499863.7
申请日：2016-06-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种平面螺旋电感的新型制作方法，采用玻璃或石英衬底进行平面螺旋电感的制作；采用MEMS技术，包括金属薄膜淀积工艺、介质层薄膜淀积工艺、厚金属层电镀工艺、厚胶光刻工艺、刻蚀工艺等实现平面螺旋电感的制作；平面螺旋电感与衬底之间不需要厚的绝缘层进行隔离；平面螺旋电感的平面形状、线圈厚度不受限制。本发明通过在玻璃或石英衬底上，利用MEMS技术实现平面螺旋电感的制作，避免了高频时线圈与衬底间的耦合和趋肤效应，能够实现高Q值的电感，同时电感线圈的金属层厚度不受限制，使得线圈的损耗低。工艺简单，能够满足信号隔离器、平面天线、微波基带线、平面螺旋电感谐振器等多种领域的需求，降低了工艺难度。
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公开(公告)号：CN104406644B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201410738183.7
申请日：2014-12-05
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01F1/69
Abstract: 本发明公开了一种MEMS热式流量传感器及其制造方法，其中MEMS热式流量传感器包括衬底、第一组热敏电阻体、加热电阻体、第二组热敏电阻体、环境温度测量电阻体、引出线、钝化保护层和电极焊盘部。MEMS热式流量传感器的制造方法选用具有绝缘作用、高热阻、抗振动的材料作为衬底，并在衬底上溅射金属层或半导体层，并在金属层或半导体层上通过刻蚀形成第一组热敏电阻体、加热电阻体、第二组热敏电阻体、环境温度测量电阻体、引出线，同时通过二氧化硅或聚酰亚胺形成钝化保护层，并在引出线末端电镀金或铝形成电极焊盘部。本发明简化了加工工艺，降低了制造成本，制作了备用热敏电阻体和钝化保护层，提高了传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN105490662A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510850158.2
申请日：2015-11-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/6413
Abstract: 一种声表面波滤波器，包括基底(2)和盖帽(9)，基底(2)上有滤波器图形层，滤波器图形层包括发射叉指换能器(3)、接收叉指换能器(4)、地线(7)、信号输入端口(5)和信号输出端口(6)；地线(7)包括与发射叉指换能器(3)相连的第一地线(71)和与接收叉指换能器(4)相连的第二地线(72)；发射叉指换能器(3)、接收叉指换能器(4)为矩形叉指电极，由两个梳状电极相交叉组成；发射叉指换能器(3)和接收叉指换能器(4)的梳状电极公共端的拐角处为圆角。为了有效避免尖端效应，本发明采用对器件在地线与叉指电极的连接处采取圆角化处理，有效降低了尖端的场强，从而避免击穿现象的发生，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN103472260A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310355991.0
申请日：2013-08-15
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01P15/125 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种MEMS叉梁电容式加速度计及其制造方法，该加速度计采用玻璃-硅-玻璃三层结构，包括依次设置的第一玻璃层、硅层和第二玻璃层，其中硅层包括矩形外框、悬臂梁、叉梁、质量块、硅岛和硅层电极引出区域，两根叉梁设置在两根悬臂梁中间，且两根叉梁位于两根悬臂梁、质量块、矩形外框围成的矩形框的对角线位置，每个叉梁均与矩形外框、两个悬臂梁和质量块连接，本发明通过对加速度计中的硅层结构进行创新设计，使得加速度计工作模态的频率与相邻模态频率相差十倍以上，有效抑制了交叉干扰，并降低尺寸误差，使器件整体性大大提高，此外本发明等厚的设计只需一次刻蚀就制作出硅层的敏感结构，大大降低了工艺难度，简化了工艺步骤。
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公开(公告)号：CN105575734B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510981271.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种射频MEMS开关及其制造方法，该射频MEMS开关的结构特点为硅‑硅双层结构，包括衬底、介质层、驱动电极、隔离层、信号线、地线和盖帽；信号线包括信号线输入电极、柱状锚点、两个固定梁、横梁、多触点系统和信号线输出电极。两个固定梁一端固定在柱状锚点上表面，另一端与横梁的固定端连接，多触点系统位于横梁自由端的下方，驱动电极位于横梁下方，硅帽上加工凹槽和通孔，通孔的位置与信号线输入电极、信号线输出电极、地线和驱动电极相对应。本发明的射频MEMS开关，有效的降低了开关的驱动电压，提高了触点的寿命，用硅帽对横梁进行保护使其不受环境影响，提高了开关的可靠性。
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