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公开(公告)号：CN105490662B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510850158.2
申请日：2015-11-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03H9/64
Abstract: 种声表面波滤波器,包括基底(2)和盖帽(9),基底(2)上有滤波器图形层,滤波器图形层包括发射叉指换能器(3)、接收叉指换能器(4)、地线(7)、信号输入端口(5)和信号输出端口(6);地线(7)包括与发射叉指换能器(3)相连的第地线(71)和与接收叉指换能器(4)相连的第二地线(72);发射叉指换能器(3)、接收叉指换能器(4)为矩形叉指电极,由两个梳状电极相交叉组成;发射叉指换能器(3)和接收叉指换能器(4)的梳状电极公共端的拐角处为圆角。为了有效避免尖端效应,本发明采用对器件在地线与叉指电极的连接处采取圆角化处理,有效降低了尖端的场强,从而避免击穿现象的发生,提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105575734A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510981271.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H49/00
Abstract: 本发明公开了一种射频MEMS开关及其制造方法，该射频MEMS开关的结构特点为硅-硅双层结构，包括衬底、介质层、驱动电极、隔离层、信号线、地线和盖帽；信号线包括信号线输入电极、柱状锚点、两个固定梁、横梁、多触点系统和信号线输出电极。两个固定梁一端固定在柱状锚点上表面，另一端与横梁的固定端连接，多触点系统位于横梁自由端的下方，驱动电极位于横梁下方，硅帽上加工凹槽和通孔，通孔的位置与信号线输入电极、信号线输出电极、地线和驱动电极相对应。本发明的射频MEMS开关，有效的降低了开关的驱动电压，提高了触点的寿命，用硅帽对横梁进行保护使其不受环境影响，提高了开关的可靠性。
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公开(公告)号：CN105575734B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510981271.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种射频MEMS开关及其制造方法，该射频MEMS开关的结构特点为硅‑硅双层结构，包括衬底、介质层、驱动电极、隔离层、信号线、地线和盖帽；信号线包括信号线输入电极、柱状锚点、两个固定梁、横梁、多触点系统和信号线输出电极。两个固定梁一端固定在柱状锚点上表面，另一端与横梁的固定端连接，多触点系统位于横梁自由端的下方，驱动电极位于横梁下方，硅帽上加工凹槽和通孔，通孔的位置与信号线输入电极、信号线输出电极、地线和驱动电极相对应。本发明的射频MEMS开关，有效的降低了开关的驱动电压，提高了触点的寿命，用硅帽对横梁进行保护使其不受环境影响，提高了开关的可靠性。
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公开(公告)号：CN105490662A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510850158.2
申请日：2015-11-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/6413
Abstract: 一种声表面波滤波器，包括基底(2)和盖帽(9)，基底(2)上有滤波器图形层，滤波器图形层包括发射叉指换能器(3)、接收叉指换能器(4)、地线(7)、信号输入端口(5)和信号输出端口(6)；地线(7)包括与发射叉指换能器(3)相连的第一地线(71)和与接收叉指换能器(4)相连的第二地线(72)；发射叉指换能器(3)、接收叉指换能器(4)为矩形叉指电极，由两个梳状电极相交叉组成；发射叉指换能器(3)和接收叉指换能器(4)的梳状电极公共端的拐角处为圆角。为了有效避免尖端效应，本发明采用对器件在地线与叉指电极的连接处采取圆角化处理，有效降低了尖端的场强，从而避免击穿现象的发生，提高了器件的可靠性。
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