公开(公告)号：CN118198136A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410435689.4

申请日：2024-04-11

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 赵玉佳 ,  赵昕 ,  吴立成 ,  刘芮 ,  王成杰 ,  王慜 ,  李晓博 ,  郭兴达

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种改进导通特性的硅基超级结场效应晶体管，包括：衬底、n‑型漂移区、超级结p型梯形掺杂区、p‑型基区、n+型源区、源极金属铝和栅氧及多晶硅层；其中，n‑型漂移区位于衬底的上部；n‑型漂移区内部设置有倒梯形沟槽，超级结p型梯形掺杂区设置于倒梯形沟槽内；p‑型基区位于超级结p型梯形掺杂区的上部；n+型源区嵌于p‑型基区内；栅氧及多晶硅层位于n‑型漂移区、p‑型基区和n+型源区的上部；其中，与p‑型基区和n+型源区对应的栅氧及多晶硅层的位置处开设通孔；源极金属铝位于栅氧及多晶硅层的上部，其中，源极金属铝的部分与p‑型基区和n+型源区相接触。本发明解决传统超级结结构带来的通流能力弱、导通损耗大问题。

公开(公告)号：CN117269708A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310594617.X

申请日：2023-05-24

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 林辰正 ,  赵昕 ,  刘芮 ,  吴立成

IPC: G01R31/26 ,  G01R29/08

Abstract: 本发明属于半导体分立器件测试领域，具体涉及了一种MOSFET近场电磁辐射测试方法，旨在解决目前无法避免MOSFET器件过强的电磁辐射发射所导致的其它元器件失效的问题。本发明包括：测试当前环境噪声水平；设定扫频区域和步进间隔；设定所述待测试MOSFET的开关频率；设置扫频频率范围并进行两次扫频；改变所述待测试MOSFET的开关频率，对比不同开关频率下的辐射发射情况。本发明对MOSFET器件近场电磁辐射的测试结果给出了使用者在使用时所应该注意的电磁环境，避免MOSFET器件过强的电磁辐射发射所导致的其它元器件失效。

公开(公告)号：CN114783879A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210316253.4

申请日：2022-03-28

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 吴立成 ,  刘学明 ,  王昊 ,  赵昕 ,  张文敏 ,  刘芮

IPC: H01L21/336 ,  H01L23/552 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种改善超结VDMOS器件抗辐照能力的器件制作方法，属于半导体器件制造领域；通过在平面栅超结VDMOS的JFET区设置一个与源极连通的肖特基，通过设置肖特基结构能够快速抽取出重离子入射器件过程中产生的空穴，从而减少流经P型基区的空穴数目，有效抑制寄生晶体管的开启，从而提升器件抗单粒子烧毁能力；本发明该结构可有效排出重离子入射过程产生的空穴，且减少栅氧层下空穴的聚集情况，提高平面栅超结器件抗单粒子能力，同时与常规超结VDMOS加工工艺相兼容，易于加工。