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    一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法
    3.
    发明授权
    一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法 失效

    公开(公告)号：CN1261988C

    公开(公告)日：2006-06-28

    申请号：CN03151252.6

    申请日：2003-09-26

    Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  清华大学

    Inventor： 董业民 ,  王曦 ,  陈猛 ,  陈静 ,  李志坚 ,  田立林 ,  何平 ,  林羲

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

    Abstract: 本发明公开了一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法，依次包括纳米侧墙的生成，以侧墙厚度定义晶体管栅的长度，以SiO2掩膜和栅的叠层为掩膜进行自对准的注氧隔离等步骤，其特征在于：(1)纳米侧墙的形成，其厚度为30～100nm；(2)以侧墙的厚度定义SiO2掩膜和多晶硅栅，SiO2掩膜厚度为100～800nm，栅的厚度为300～500nm，栅氧化层的厚度为1～30nm；(3)以多晶硅栅和其上的SiO2叠层掩模，进行源漏自对准的注氧隔离，注入离子的能量为20～200keV，剂量为1.0～7.0×1017cm-2，衬底温度为400～700℃；退火温度为1200～1375℃，退火时间为1～24个小时，退火气氛为Ar与O2的混合气体，其中O2的含量为0.1%～5%；(4)CMOS工艺完成器件的制造。

    一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法
    4.
    发明公开
    一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法 失效

    公开(公告)号：CN1529349A

    公开(公告)日：2004-09-15

    申请号：CN03151252.6

    申请日：2003-09-26

    Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  清华大学

    Inventor： 董业民 ,  王曦 ,  陈猛 ,  陈静 ,  李志坚 ,  田立林 ,  何平 ,  林羲

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

    Abstract: 本发明公开了一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法，依次包括纳米侧墙的生成，以侧墙厚度定义晶体管栅的长度，以SiO2掩膜和栅的叠层为掩膜进行自对准的注氧隔离等步骤，其特征在于：(1)纳米侧墙的形成，其厚度为30～100nm；(2)以侧墙的厚度定义SiO2掩膜和多晶硅栅，SiO2掩膜厚度为100～800nm，栅的厚度为300～500nm，栅氧化层的厚度为1～30nm；(3)以多晶硅栅和其上的SiO2叠层掩模，进行源漏自对准的注氧隔离，注入离子的能量为20～200keV，剂量为1.0～7.0×1017cm－2，衬底温度为400～700℃；退火温度为1200～1375℃，退火时间为1～24个小时，退火气氛为Ar与O2的混合气体，其中O2的含量为0.1％～5％。(4)CMOS工艺完成器件的制造。

    采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法
    7.
    发明授权
    采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法 失效

    公开(公告)号：CN1261974C

    公开(公告)日：2006-06-28

    申请号：CN03151253.4

    申请日：2003-09-26

    Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    Inventor： 董业民 ,  王曦 ,  陈猛 ,  陈静

    IPC: H01L21/00

    Abstract: 本发明涉及了一种采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法，属于微电子技术领域，依次包括纳米侧墙的生成，以侧墙为掩模刻蚀出阻挡离子注入的掩模，离子注入和高温退火等步骤，其特征在于：(1)采用常规工艺形成纳米侧墙，其厚度为30～100nm；(2)以侧墙为掩模刻蚀下层薄膜形成阻挡离子注入的掩模，厚度为100～800nm；(3)注入离子的能量为20～200keV，相应的剂量为1.0～7.0×1017cm-2，衬底温度为400～700℃；(4)退火温度为1200～1375℃，退火时间为1～24个小时，退火气氛为Ar与O2的混合气体，其中O2的含量为0.1%～20%。采用本发明的方法可以在不用电子束曝光的条件下制备在埋氧中有纳米硅通道的SOI材料，可以在CMOS和MEMS工艺中得到应用。

    降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法
    8.
    发明公开
    降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法 失效

    公开(公告)号：CN1431717A

    公开(公告)日：2003-07-23

    申请号：CN03115425.5

    申请日：2003-02-14

    Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    Inventor： 董业民 ,  王曦 ,  陈猛 ,  陈静 ,  王湘

    IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

    Abstract: 本发明提出了一种降低全耗尽绝缘体上的硅(SOI)金属－氧化物－半导体场效应晶体管(MOSFET)源漏串联电阻的新结构，其特征在于源漏区的顶层硅比沟道区的顶层硅厚，从而有效地降低了源漏串联电阻；同时，源漏区和沟道区的表面在同一平面上。这种降低全耗尽SOI MOSFET源漏串联电阻的新结构是采用图形化注氧隔离(SIMOX)技术来实现的。方法之一是通过控制不同区域埋氧的深度使SOI MOSTET源漏区的顶层硅比沟道区的顶层硅厚；方法之二是通过控制不同区域埋氧的厚度使SOI MOSTET源漏区的顶层硅比沟道区的顶层硅厚。源漏区的顶层硅比沟道区的顶层硅厚30～100nm，可以有效地降低源漏串联电阻。

    SOI结构的半导体硅晶圆及其制备方法
    9.
    发明授权
    SOI结构的半导体硅晶圆及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN114334792B

    公开(公告)日：2025-01-24

    申请号：CN202111274089.7

    申请日：2021-10-29

    Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    Inventor： 魏星 ,  戴荣旺 ,  汪子文 ,  李名浩 ,  陈猛 ,  徐洪涛

    IPC: H01L21/762 ,  H01L21/324 ,  H10D86/00

    Abstract: 本发明提供了一种SOI结构的半导体硅晶圆及其制备方法，属于半导体制造领域，具体包括步骤一，将半导体硅晶圆置于第一垂直炉管进行长时间热处理；步骤二，将长时间热处理后的所述半导体硅晶圆放入第二垂直炉管中，进行氧化减薄处理；步骤三，对氧化减薄后的所述半导体硅晶圆进行快速热退火处理，其中，在长时间热处理中，先将所述半导体硅晶圆置于纯氩气氛中进行保护，而后在1‑n％氩气+n％氢气的混合气氛升温至目标温度再进行退火阶段，退火阶段，气氛为1‑n％氩气+n％氢气的混合气氛或者纯氩气，n为不大于10的数值。通过本申请的处理方案，使半导体硅晶圆表面粗糙度小于5埃，且边缘无滑移线。

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