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公开(公告)号：CN116613054A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310572297.8
申请日：2023-05-19
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种富陷阱绝缘体上硅结构及其制备方法，其中富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法包括以下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底具有正面，通过沉积工艺在所述正面形成钉扎层；以及通过干法刻蚀工艺均匀化处理所述钉扎层的表面，以调整所述钉扎层的厚度均匀性，使得沉积获得的多晶硅薄膜的厚度均匀性达到一个良好的状态。
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公开(公告)号：CN116364533A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310573286.1
申请日：2023-05-19
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种富陷阱绝缘体上硅结构及其制备方法，其中富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法包括以下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底具有正面，对所述正面进行粗糙化处理，以使得所述正面呈不平整的形貌；在所述正面形成表面处理层，所述表面处理层的表面也呈不平整的形貌；以及在所述表面处理层上形成多晶硅膜层，本发明通过粗糙化处理第一衬底，使得第一衬底的正面和表面处理层的表面均呈不平整的形貌，从而使得形成的多晶硅膜层有稳定的取向演变和晶粒尺寸，使多晶硅膜层具有更高的晶界密度，从而能够得到高效率的电荷捕获多晶硅膜层。
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公开(公告)号：CN101325154B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200810040645.2
申请日：2008-07-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技有限公司
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构及其制作方法，特征在于有源层由单晶锗和单晶硅构成，且单晶硅的晶向由衬底硅决定。制备该结构的关键是能够制作出绝缘层上锗单晶薄膜，本发明利用等离子体低温键合和低温剥离的工艺，将单晶锗薄膜转移到绝缘层上，并在此单晶锗薄膜上选择性刻蚀、外延单晶硅，从而制备出混合有图形化单晶硅的绝缘层上锗结构衬底。本发明可用于砷化镓外延，实现与III-V族半导体的集成。同时存在的图形化单晶硅材料可以进行常规CMOS工艺加工，制备常规器件与电路，有效解决氧化埋层的自加热效应。这种新型混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构，在高速高性能CMOS器件，光电集成电路，高速光探测器等方面有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN101325154A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810040645.2
申请日：2008-07-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技有限公司
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构及其制作方法，特征在于有源层由单晶锗和单晶硅构成，且单晶硅的晶向由衬底硅决定。制备该结构的关键是能够制作出绝缘层上锗单晶薄膜，本发明利用等离子体低温键合和低温剥离的工艺，将单晶锗薄膜转移到绝缘层上，并在此单晶锗薄膜上选择性刻蚀、外延单晶硅，从而制备出混合有图形化单晶硅的绝缘层上锗结构衬底。本发明可用于砷化镓外延，实现与III－V族半导体的集成。同时存在的图形化单晶硅材料可以进行常规CMOS工艺加工，制备常规器件与电路，有效解决氧化埋层的自加热效应。这种新型混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构，在高速高性能CMOS器件，光电集成电路，高速光探测器等方面有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN118748159A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410815036.9
申请日：2024-06-21
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种石英罩、半导体工艺装置及半导体工艺方法，石英罩包括凹透镜部分和凸透镜部分，所述凹透镜部分的焦距小于0，所述凸透镜部分的焦距大于0，所述凹透镜部分和所述凸透镜部分分别位于所述石英罩的预设位置。本发明通过设置石英罩的结构改变透射石英罩的加热光线，使辐射热能更均匀地分布到待处理半导体结构的表面，从而可以得到厚度均匀、电阻率均匀的外延层；同时通过设置石英罩的内壁为连续平滑表面，避免由于凹透镜部分和凸透镜部分的设置引起石英罩内壁的不平整，避免对工艺效果产生不良影响；另外，通过设置凹透镜部分和凸透镜部分的焦距范围，可以进一步调整辐射热能的分布，改善加热温度的分布均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118741776A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410816714.3
申请日：2024-06-21
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶科半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种石英支撑件、半导体工艺腔室及半导体工艺方法，石英支撑件包括有中心透镜和环透镜的透镜结构和支撑结构；透镜结构放置于支撑结构。本发明通过将晶圆基座设置在包含透镜结构的石英支撑件上，设置透镜结构包含中心透镜和环透镜的透镜结构，对加热光线进行折射，调节由于加热灯管、反射金板和腔体结构引起的环形不均匀的辐射热量分布，优化加热均匀度的调节精准度，提高经过加热工艺后得到的外延层厚度和电阻率的均匀性；另外通过设置透镜结构和支撑结构为一体成型结构，降低石英支撑件带来的浮尘颗粒，提高产品良率；最后通过叠放顺序可调节的支撑块和石英块，使透镜结构的高度可灵活调节，进一步提高对加热均匀度的调节精准度。
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公开(公告)号：CN118448334A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410525462.9
申请日：2024-04-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种外延基座、外延设备以及半导体器件的外延生长方法，外延基座包括：承载部和底座；承载部沿底座的轴向向外凸出，用于承载晶片；底座上设置有多个通孔，通孔沿底座的轴向贯通底座；其中，底座上设置有第一区域和第二区域，第一区域中单位面积内的所述通孔的面积大于第二区域中单位面积内的所述通孔的面积。如此配置，单位面积内的通孔面积越大的区域，红外光照的覆盖率就越大，温度就越高，相同条件下，温度越高，掺杂量就越大，相应电阻会越低，本申请通过将形成的外延层中电阻偏高位置与第一区域相匹配，使得外延层中电阻偏高位置的电阻降低，从而使外延层的电阻率分布得到改善。
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公开(公告)号：CN116463607A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310589909.4
申请日：2023-05-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种外延生长设备的气流调节结构及外延层的生长方法，所述气流调节结构呈环形管状，且具有沿轴向延伸的环壁，所述环壁不同位置具有不同的轴向延伸高度，以调控外延生长工艺中进入半导体衬底上方的气流大小。通过气流调节结构调节外延生长工艺中半导体衬底上方局部气流，进而使外延层薄膜厚度均匀性与平坦度得到优化。本发明中，气流调节结构与基座是相互独立的两个装置，无需调整基座，气流调节结构制造工艺简单，加工周期通常仅需基座制造一半时间，降低了设备成本。
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公开(公告)号：CN219689845U
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202321268547.0
申请日：2023-05-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本实用新型提供一种外延生长设备的气流调节结构，所述气流调节结构呈环形管状，且具有沿轴向延伸的环壁，所述环壁不同位置具有不同的轴向延伸高度，以调控外延生长工艺中进入半导体衬底上方的气流大小。通过气流调节结构调节外延生长工艺中半导体衬底上方局部气流，进而使外延层薄膜厚度均匀性与平坦度得到优化。本实用新型中，气流调节结构与基座是相互独立的两个装置，无需调整基座，气流调节结构制造工艺简单，加工周期通常仅需基座制造一半时间，降低了设备成本。
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公开(公告)号：CN222294262U
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202420899872.5
申请日：2024-04-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶科半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种外延基座以及外延设备，外延基座包括：基座主体；基座主体包括承载台以及凹陷部，承载台设置于基座主体的边沿，承载台与凹陷部连接，形成用于承载晶片的承载面，凹陷部相对于承载台沿远离晶片的方向内凹，晶片搭设于承载台上，且晶片在外延过程中与凹陷部相接触；凹陷部设置有至少两个凹槽，凹槽沿基座主体的周向设置，且至少两个凹槽沿基座主体的径向排布。如此配置，基座主体靠近晶片的一侧具有凹凸的面貌，导致凹槽区域的温度分布改变，使晶片背面的受热和传热出现变化，从而改变晶片表面的温度，引起沉积速率的变化，以达到补偿其他硬件或气流导致的沉积速率的变化，合适的补偿能够改善晶片外延的平坦度和厚度均匀性。
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