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公开(公告)号：CN119571455A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411779032.6
申请日：2024-12-04
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于电阻率量测的样片及其制备方法，属于半导体技术领域。该用于电阻率量测样片的制备方法包括提供一晶棒，将所述晶棒切割成若干硅片，并将所述硅片作为衬底，所述衬底具有第一面和第二面。在所述衬底的第一面形成掺杂的外延层，在形成外延层时，通过控制掺杂气体的种类和流量，在至少一衬底分别形成不同电阻率的外延层。将所述衬底去除，获取样片。本发明通过将一晶棒切割成若干硅片作为衬底，并在衬底形成具有不同电阻率的外延层。最后，去除衬底，获取样片。不仅缩短了制样的时间，还降低了晶棒的损耗。
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公开(公告)号：CN113257700B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202110479251.2
申请日：2021-04-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种氯化氢高温蚀刻设备校准方法，属于设备校准领域，具体包括提供第一硅片与第二硅片；将第一硅片放入已校准设备进行氯化氢高温蚀刻，得到第一待测硅片；将第二硅片放入待校准设备进行与第一硅片工艺相同的氯化氢高温蚀刻，得到第二待测硅片；比较第一待测硅片的第一校验参数和第二待测硅片的第二校验参数，判断是否满足预设条件，当判定不满足预设条件，则调校待校准设备，当判定满足预设条件时，判定待校准设备的工艺能力已校准至已校准设备的工艺能力同一水平。通过本申请的处理方案，对生产同批次硅片的设备进行校准，使得生产的硅片缺陷表征准确性和一致性高。
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公开(公告)号：CN118448334A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410525462.9
申请日：2024-04-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种外延基座、外延设备以及半导体器件的外延生长方法，外延基座包括：承载部和底座；承载部沿底座的轴向向外凸出，用于承载晶片；底座上设置有多个通孔，通孔沿底座的轴向贯通底座；其中，底座上设置有第一区域和第二区域，第一区域中单位面积内的所述通孔的面积大于第二区域中单位面积内的所述通孔的面积。如此配置，单位面积内的通孔面积越大的区域，红外光照的覆盖率就越大，温度就越高，相同条件下，温度越高，掺杂量就越大，相应电阻会越低，本申请通过将形成的外延层中电阻偏高位置与第一区域相匹配，使得外延层中电阻偏高位置的电阻降低，从而使外延层的电阻率分布得到改善。
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公开(公告)号：CN116463607A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310589909.4
申请日：2023-05-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种外延生长设备的气流调节结构及外延层的生长方法，所述气流调节结构呈环形管状，且具有沿轴向延伸的环壁，所述环壁不同位置具有不同的轴向延伸高度，以调控外延生长工艺中进入半导体衬底上方的气流大小。通过气流调节结构调节外延生长工艺中半导体衬底上方局部气流，进而使外延层薄膜厚度均匀性与平坦度得到优化。本发明中，气流调节结构与基座是相互独立的两个装置，无需调整基座，气流调节结构制造工艺简单，加工周期通常仅需基座制造一半时间，降低了设备成本。
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公开(公告)号：CN115938904A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211597733.9
申请日：2022-12-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种外延基座、外延生长设备及半导体器件的制造方法，所述外延基座包括所述外延基座包括承载部，所述承载部上设置有多个用于安装顶升销的顶升销孔，每个所述顶升销孔周围设置有至少一个贯穿所述承载部的辅助通孔。通过在外延基座的承载部上的顶升销孔周围设置多个不同大小和/或不同分布方式贯穿所述外延基座的辅助通孔，使得顶升销孔附近的物理特性与周围辅助打孔区域物理特性接近，从而改善或消除顶升销孔处晶圆的外延层膜厚异常的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110767531A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810835104.2
申请日：2018-07-26
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种外延片的制备方法，包括：1）第一衬底上生长外延层；2）测量外延层的第一实际厚度，获得外延模拟厚度；3）对第二衬底抛光处理，测量其实际厚度，获得衬底模拟厚度；4）将外延模拟厚度与衬底模拟厚度叠加获得模拟叠加厚度，进行平坦度参数计算，获得平坦度预测参数；5）判定所述平坦度预测参数是否合格；6）若合格，则进行实际外延生长，若不合格，则返工处理。本发明通过模拟方式直接预测衬底外延后平坦度的优劣，并选择模拟合格的外延片进行实际外延，不合格的外延片则可直接返工处理，从而可以对外延片衬底进行筛选，提高外延片平坦度性能与良率，同时可节省外延使用机时、减少晶片消耗以及外延设备损耗。
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公开(公告)号：CN110685009A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910980116.9
申请日：2019-10-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延生长装置和一种外延生长方法。所述外延生长装置的生长腔室上设置有允许用于在晶片上形成外延层的反应气体进入生长腔室内的进气口，当进行外延生长工艺的晶片的边缘部分具有晶向不同的较快区和较慢区且外延层在较快区比在较慢区生长更快时，进气口在较快区旋转经过时提供的反应气体的进气速率小于在较慢区旋转经过时提供的反应气体的进气速率。所述外延生长装置可以调节外延层在不同晶向上的沉积，有助于获得厚度均一的外延层，提高外延晶片的质量。所述外延生长方法与所述外延生长装置具有相同或类似的特点，可以不改变外延生长装置的结构而提高外延层的厚度均一性，降低外延晶片的局部平直度，灵活性高。
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公开(公告)号：CN118748159A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410815036.9
申请日：2024-06-21
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种石英罩、半导体工艺装置及半导体工艺方法，石英罩包括凹透镜部分和凸透镜部分，所述凹透镜部分的焦距小于0，所述凸透镜部分的焦距大于0，所述凹透镜部分和所述凸透镜部分分别位于所述石英罩的预设位置。本发明通过设置石英罩的结构改变透射石英罩的加热光线，使辐射热能更均匀地分布到待处理半导体结构的表面，从而可以得到厚度均匀、电阻率均匀的外延层；同时通过设置石英罩的内壁为连续平滑表面，避免由于凹透镜部分和凸透镜部分的设置引起石英罩内壁的不平整，避免对工艺效果产生不良影响；另外，通过设置凹透镜部分和凸透镜部分的焦距范围，可以进一步调整辐射热能的分布，改善加热温度的分布均匀性。
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公开(公告)号：CN113644017B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010345053.2
申请日：2020-04-27
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种对晶圆进行定位的方法和半导体制造设备，应用于薄膜工艺。所述方法包括：步骤S1：获取第一晶圆在进行所述薄膜工艺后，所述第一晶圆的第一表面的状态分布，其中所述第一表面是与所述薄膜工艺中形成薄膜层的表面相对的表面；步骤S2：根据所述第一表面的状态分布判断所述第一晶圆是否位于理想定位中心，当所述第一晶圆不位于所述理想定位中心时，根据所述第一表面的状态分布对将进行薄膜工艺的第二晶圆的定位位置进行调整，以使所述第二晶圆在所述薄膜工艺时定位在所述理想定位中心。根据本发明，使晶圆在薄膜工艺过程中定位在理想的定位中心，从而提高了薄膜工艺后晶圆薄膜层和整片晶圆(外延片)的质量，改善了薄膜工艺的效果。
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公开(公告)号：CN113279055B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110413089.4
申请日：2021-04-16
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种外延基座，包括：进气口和出气口，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向相交；边缘侧墙，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向之间的夹角对应的边缘侧墙为所述边缘侧墙的第一部分，所述边缘侧墙的其余部分为所述边缘侧墙的第二部分；其中，所述边缘侧墙的第一部分或所述边缘侧墙的第二部分上设置有气流扰动机构，以使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同。根据本发明提供的外延基座，通过设置气流扰动机构，从而使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同，改善气流的均匀性，进而提高形成的外延层的均匀性。
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