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公开(公告)号：CN119082865A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410834345.0
申请日：2024-06-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供硅片及硅片的形成方法，硅片用于半导体器件大规模集成电路和/或同质及异质半导体材料外延生长，通过在硅片的边缘区域形成一BMD圈，BMD圈位于滑移缺陷内侧，BMD圈能够有效地钉扎滑移缺陷的移动，从而阻挡硅片边缘的滑移缺陷的沿硅片边缘至硅片中心的方向传播。BMD对滑移缺陷的钉扎效果与BMD密度及大小有关，进一步的，BMD的密度大于E+8ea/cm3，BMD中的氧沉淀的直径为20nm至200nm时，滑移缺陷被高密度BMD阻挡，减弱甚至完全没有侵入硅片内部。
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公开(公告)号：CN117393588A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311324353.2
申请日：2023-10-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/30 , C30B29/06 , C30B33/02 , C30B33/00 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆及其形成方法，单晶硅晶圆包括上表面以及距离上表面预定距离内的第一区域，所述第一区域内无自间隙型缺陷。采用无自间隙型缺陷的单晶硅晶圆制作的半导体器件，降低了器件漏电流以及提高击穿电压，提高了半导体器件的性能。进一步的，单晶硅晶圆的形成方法通过热处理工艺消除单晶硅晶圆汇总的自间隙型缺陷，热处理工艺包括快速热处理工艺和/或长时间热处理工艺。也即通过热处理工艺能够获得一种无自间隙型缺陷的单晶硅晶圆，提高了半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN116145238A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211734788.X
申请日：2022-12-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种晶体生长方法、装置及RF‑SOI基材，应用于晶体生长技术领域，其中晶体生长方法包括：控制第一超导线圈产生第一电流，以及控制第二超导线圈产生第二电流，其中第一电流的数值与第二电流的数值不相等，第一超导线圈和第二超导线圈为相对设置地分布于坩埚外且用于在坩埚内部产生磁场的超导线圈；基于所述第一电流和所述第二电流在所述坩埚内产生的非对称磁场进行单晶直拉生长。通过调整线圈电流比为1:n来获得非对称水平磁场，进而可以通过采用非对称水平磁场来抑制熔体流动，进而基于非对称水平磁场对熔体不同抑制作用可获得非对称对流结构，能够显著降低直拉法单晶硅晶体中的氧含量。
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公开(公告)号：CN114023667A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111247647.0
申请日：2021-10-26
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , G01N21/88 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种硅晶体原生缺陷的检测方法，包括：提供硅晶体，所述硅晶体具有原生缺陷；在所述硅晶体上生长外延层，所述外延层包括基于所述原生缺陷形成的一级外延缺陷；对所述外延层的表面进行刻蚀，以将所述一级外延缺陷放大形成二级外延缺陷；通过显微镜表征所述二级外延缺陷。根据本发明提供的硅晶体原生缺陷的检测方法，利用外延生长将在硅晶体表面无法被探测的原生缺陷延伸至外延层表面，并对外延层的表面进行刻蚀以放大外延缺陷，从而实现对原生缺陷的定位、确定原生缺陷的类型和缺陷范围。
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公开(公告)号：CN113394126A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110407842.9
申请日：2021-04-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: 本申请公开了一种检测半导体材料中缺陷的方法，所述方法包括：通过HF蚀刻液对半导体材料的表面进行清洗，以去除所述半导体材料表面的氧化层；对去除所述氧化层的所述半导体材料进行蚀刻，以显现所述半导体材料中的缺陷；对蚀刻后的所述半导体材料的水平表面进行光散射扫描，以确定所述半导体材料中存在的缺陷。在所述方法中先通过HF清洗去除半导体材料表面氧化层，然后再对所述半导体材料进行蚀刻，以显现半导体材料中的原生缺陷，通过所述方法可以探测到目前H2高温烘焙中未被显现的缺陷，半导体材料的区域缺陷密度大幅提高，可以提高气相刻蚀方法的探测精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111876822A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010629650.8
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅生长炉热屏及单晶硅生长炉，所述热屏设置在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚的上部，所述热屏包括屏壁和屏底，所述屏底具有供熔体提拉通过的窗口，所述屏底包括上层、下层和侧壁，所述侧壁连接与所述上层和所述下层之间且围成所述窗口，所述下层朝向所述熔体的液面，所述下层设为齿状结构，用于将外部热能反射到所述熔体液面时不会继续反射到单晶硅晶体侧壁；通过将屏底的下层设置为齿状结构，可以避免外部热能量被单晶硅晶体吸收，从而避免晶体表面热补偿过高，有效优化晶体纵向温度梯度，提高硅片径向的质量均匀性。
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公开(公告)号：CN113257700B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202110479251.2
申请日：2021-04-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种氯化氢高温蚀刻设备校准方法，属于设备校准领域，具体包括提供第一硅片与第二硅片；将第一硅片放入已校准设备进行氯化氢高温蚀刻，得到第一待测硅片；将第二硅片放入待校准设备进行与第一硅片工艺相同的氯化氢高温蚀刻，得到第二待测硅片；比较第一待测硅片的第一校验参数和第二待测硅片的第二校验参数，判断是否满足预设条件，当判定不满足预设条件，则调校待校准设备，当判定满足预设条件时，判定待校准设备的工艺能力已校准至已校准设备的工艺能力同一水平。通过本申请的处理方案，对生产同批次硅片的设备进行校准，使得生产的硅片缺陷表征准确性和一致性高。
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公开(公告)号：CN113109625A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110374102.X
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅片导电类型的判定方法，包括：提供待测硅片，对所述待测硅片进行第一次电阻率测试，得到第一电阻率；对所述待测硅片进行热处理；对所述待测硅片进行第二次电阻率测试，得到第二电阻率；以及，对比所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述待测硅片的导电类型。本发明用于判断具有高电阻率的硅片的导电类型，且测试结果不受硅片的表面电荷的影响，操作简单，对设备的要求低，成本低廉。
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公开(公告)号：CN111893558A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010625055.7
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片，包括第一折射层和第二折射层，所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同，所述第一折射层和所述第二折射层相互交替形成层叠结构，所述第一折射层和与之相邻设置的第二折射层相贴合；在此基础上，本发明还提供一种单晶硅生长炉，所述薄膜隔热片设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上；本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片，在热辐射波长范围内具有良好的反射性能，当将其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时，能够提高热屏对热能的反射能力，降低熔融的硅熔体热量的耗散，提高热能利用率；并且有利于热场的保温性能，从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。
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公开(公告)号：CN111850681A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910357352.5
申请日：2019-04-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长方法和装置。所述半导体晶体生长方法包括：获取石墨坩埚在首次用于半导体晶体生长过程时的初始位置CP0；获取所述石墨坩埚的当前生产批次N，所述当前生产批次N表征所述石墨坩埚当前用来进行的半导体晶体生长过程的次数；根据所述当前生产批次N在所述石墨坩埚内套设的石英坩埚内装入多晶硅原料，其中，所述多晶硅原料的总重量称为装料量W(N)，所述装料量W(N)根据当前生产批次N进行调整，以在保持所述石墨坩埚的初始位置CP0不变的同时，使所述石英坩埚内硅熔体液面的初始位置保持稳定。根据本发明，保证了拉晶过程中各参数的稳定，提升了拉晶的速度和拉晶的质量。
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