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公开(公告)号：CN113257700A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110479251.2
申请日：2021-04-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种氯化氢高温蚀刻设备校准方法，属于设备校准领域，具体包括提供第一硅片与第二硅片；将第一硅片放入已校准设备进行氯化氢高温蚀刻，得到第一待测硅片；将第二硅片放入待校准设备进行与第一硅片工艺相同的氯化氢高温蚀刻，得到第二待测硅片；比较第一待测硅片的第一校验参数和第二待测硅片的第二校验参数，判断是否满足预设条件，当判定不满足预设条件，则调校待校准设备，当判定满足预设条件时，判定待校准设备的工艺能力已校准至已校准设备的工艺能力同一水平。通过本申请的处理方案，对生产同批次硅片的设备进行校准，使得生产的硅片缺陷表征准确性和一致性高。
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公开(公告)号：CN113035767A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110184460.4
申请日：2021-02-10
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种外延基座，包括边缘侧墙和片坑，所述边缘侧墙位于所述片坑的外围，所述片坑用于盛放硅片，所述片坑沿径向由外至内依次包括：支撑台，用于支撑硅片；外围区域，所述外围区域上表面不高于所述支撑台上表面；以及中心区域，所述中心区域上表面不高于所述外围区域上表面；其中，所述中心区域的曲率半径小于所述外围区域的曲率半径。根据本发明提供的外延基座，采用分段曲率设计，使中心区域的曲率半径小于所述外围区域的曲率半径，避免了硅片在载入/取出过程中撞击产生的应力和缺陷，提高了产品良率。
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公开(公告)号：CN115223858A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110425507.1
申请日：2021-04-20
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种硅片加工方法，包括：建立第1至第n个单步工艺的平坦度模型，并据此建立最终产品的平坦度模型；根据最终产品的平坦度模型获得第m个单步工艺的目标平坦度，并结合第m个单步工艺的平坦度模型对硅片执行第m个单步工艺，并得到第m个单步工艺的实际平坦度；利用第m个单步工艺的实际平坦度调整第m+1个单步工艺的目标平坦度，结合第m+1个单步工艺的平坦度模型对硅片执行第m+1个单步工艺；其中，n为大于1的正整数，m＝1、2....n‑1。通过上述模型设定单步工艺的目标平坦度及优化对应单步工艺的工艺参数及设备参数，并针对前一单步工艺的目标平坦度及实际平坦度的差异，利用下一单步工艺进行调整，进而解决提高硅片平坦度的问题。
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公开(公告)号：CN115161765A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110373056.1
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种外延基座，包括片坑和边缘侧墙，所述片坑用于盛放晶圆，所述边缘侧墙位于所述片坑的外围；其中，所述外延基座上形成有多个孔状结构，所述多个孔状结构呈蜂窝状分布。根据本发明提供的外延基座，通过在外延基座上形成多个孔状结构，且所述多个孔状结构呈蜂窝状分布，可以改善晶圆背面的气流分布，优化温度分布，降低外延基座的应力形变和重力形变，在提高外延基座的机械强度的同时降低外延基座的厚度。
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公开(公告)号：CN113279055A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110413089.4
申请日：2021-04-16
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种外延基座，包括：进气口和出气口，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向相交；边缘侧墙，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向之间的夹角对应的边缘侧墙为所述边缘侧墙的第一部分，所述边缘侧墙的其余部分为所述边缘侧墙的第二部分；其中，所述边缘侧墙的第一部分或所述边缘侧墙的第二部分上设置有气流扰动机构，以使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同。根据本发明提供的外延基座，通过设置气流扰动机构，从而使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同，改善气流的均匀性，进而提高形成的外延层的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118748159A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410815036.9
申请日：2024-06-21
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种石英罩、半导体工艺装置及半导体工艺方法，石英罩包括凹透镜部分和凸透镜部分，所述凹透镜部分的焦距小于0，所述凸透镜部分的焦距大于0，所述凹透镜部分和所述凸透镜部分分别位于所述石英罩的预设位置。本发明通过设置石英罩的结构改变透射石英罩的加热光线，使辐射热能更均匀地分布到待处理半导体结构的表面，从而可以得到厚度均匀、电阻率均匀的外延层；同时通过设置石英罩的内壁为连续平滑表面，避免由于凹透镜部分和凸透镜部分的设置引起石英罩内壁的不平整，避免对工艺效果产生不良影响；另外，通过设置凹透镜部分和凸透镜部分的焦距范围，可以进一步调整辐射热能的分布，改善加热温度的分布均匀性。
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公开(公告)号：CN113279055B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110413089.4
申请日：2021-04-16
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种外延基座，包括：进气口和出气口，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向相交；边缘侧墙，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向之间的夹角对应的边缘侧墙为所述边缘侧墙的第一部分，所述边缘侧墙的其余部分为所述边缘侧墙的第二部分；其中，所述边缘侧墙的第一部分或所述边缘侧墙的第二部分上设置有气流扰动机构，以使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同。根据本发明提供的外延基座，通过设置气流扰动机构，从而使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同，改善气流的均匀性，进而提高形成的外延层的均匀性。
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公开(公告)号：CN114686975A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011623530.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种外延基座以及外延设备。所述外延基座包括基座主体，所述基座主体包括相对设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上设置有用于承载外延基底的凹槽，所述凹槽外侧的所述基座主体包括相互交替设置的若干第一区域和若干第二区域；其中，所述第一区域的所述第一表面呈粗糙表面，所述第二区域的所述第一表面呈平滑表面；和/或所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度，以使所述第一区域和所述第二区域配置为具有不同的热辐射。所述第一区域和所述第二区域配置为具有不同的热辐射，使晶圆基座周边温度分布产生不同来补偿因晶圆晶向造成的厚度差异，以达到最终生成出的外延层周边厚度波动减小，使外延层的厚度更加均一。
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公开(公告)号：CN113257700B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202110479251.2
申请日：2021-04-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种氯化氢高温蚀刻设备校准方法，属于设备校准领域，具体包括提供第一硅片与第二硅片；将第一硅片放入已校准设备进行氯化氢高温蚀刻，得到第一待测硅片；将第二硅片放入待校准设备进行与第一硅片工艺相同的氯化氢高温蚀刻，得到第二待测硅片；比较第一待测硅片的第一校验参数和第二待测硅片的第二校验参数，判断是否满足预设条件，当判定不满足预设条件，则调校待校准设备，当判定满足预设条件时，判定待校准设备的工艺能力已校准至已校准设备的工艺能力同一水平。通过本申请的处理方案，对生产同批次硅片的设备进行校准，使得生产的硅片缺陷表征准确性和一致性高。
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公开(公告)号：CN116463607A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310589909.4
申请日：2023-05-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种外延生长设备的气流调节结构及外延层的生长方法，所述气流调节结构呈环形管状，且具有沿轴向延伸的环壁，所述环壁不同位置具有不同的轴向延伸高度，以调控外延生长工艺中进入半导体衬底上方的气流大小。通过气流调节结构调节外延生长工艺中半导体衬底上方局部气流，进而使外延层薄膜厚度均匀性与平坦度得到优化。本发明中，气流调节结构与基座是相互独立的两个装置，无需调整基座，气流调节结构制造工艺简单，加工周期通常仅需基座制造一半时间，降低了设备成本。
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