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公开(公告)号：CN114686975A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011623530.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种外延基座以及外延设备。所述外延基座包括基座主体，所述基座主体包括相对设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上设置有用于承载外延基底的凹槽，所述凹槽外侧的所述基座主体包括相互交替设置的若干第一区域和若干第二区域；其中，所述第一区域的所述第一表面呈粗糙表面，所述第二区域的所述第一表面呈平滑表面；和/或所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度，以使所述第一区域和所述第二区域配置为具有不同的热辐射。所述第一区域和所述第二区域配置为具有不同的热辐射，使晶圆基座周边温度分布产生不同来补偿因晶圆晶向造成的厚度差异，以达到最终生成出的外延层周边厚度波动减小，使外延层的厚度更加均一。
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公开(公告)号：CN114686976A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011623541.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 于源源
Abstract: 本申请公开了一种外延基座以及外延设备。所述外延基座包括基座主体，在所述基座主体的一端面上设置有用于承载外延基底的凹槽，所述凹槽外侧的所述基座主体包括相互交替设置的若干第一区域和若干第二区域，其中，所述第一区域设置有贯穿所述基座主体的多个孔洞结构。通过对不同区域的基座开孔面积进行加工，使第一区域和第二区域的最终开孔面积产生差异，进而使不同区域边界层厚度在基座上下气流压力不同时产生差异。
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