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公开(公告)号：CN119571455A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411779032.6
申请日：2024-12-04
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于电阻率量测的样片及其制备方法，属于半导体技术领域。该用于电阻率量测样片的制备方法包括提供一晶棒，将所述晶棒切割成若干硅片，并将所述硅片作为衬底，所述衬底具有第一面和第二面。在所述衬底的第一面形成掺杂的外延层，在形成外延层时，通过控制掺杂气体的种类和流量，在至少一衬底分别形成不同电阻率的外延层。将所述衬底去除，获取样片。本发明通过将一晶棒切割成若干硅片作为衬底，并在衬底形成具有不同电阻率的外延层。最后，去除衬底，获取样片。不仅缩短了制样的时间，还降低了晶棒的损耗。
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公开(公告)号：CN116564845A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310635958.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种外延生长工艺调优方法，包括：S1：提供多个实验片，并测量各所述实验片的平坦度数据；S2：对多个所述实验片分别在不同工作参数下生长外延层，并测量各所述实验片生长外延层后的平坦度数据；S3：计算各所述实验片生长外延层前后平坦度数据的差值，并将使得生长外延层前后平坦度数据的差值最小的工作参数作为所述外延生长工艺调优方法当前的最优工作参数。采用本发明提供的外延生长工艺调优方法，使得无需工艺人员现场观察每片基片的形变并做调整直至最佳工艺设定，节省了人力和时间。
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公开(公告)号：CN107275251B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201610218470.4
申请日：2016-04-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明揭示了一种降低预抽腔体中芯片温度的方法及芯片降温装置。所述降低预抽腔体中芯片温度的方法包括：提供一预抽腔体及一芯片承载盘，该芯片承载盘装设于该预抽腔体内；以及导入冷却气体至该预抽腔体内，该冷却气体的成分包含有氮气以及体积比为100ppm～1％的二氧化碳。
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公开(公告)号：CN110767531A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810835104.2
申请日：2018-07-26
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种外延片的制备方法，包括：1）第一衬底上生长外延层；2）测量外延层的第一实际厚度，获得外延模拟厚度；3）对第二衬底抛光处理，测量其实际厚度，获得衬底模拟厚度；4）将外延模拟厚度与衬底模拟厚度叠加获得模拟叠加厚度，进行平坦度参数计算，获得平坦度预测参数；5）判定所述平坦度预测参数是否合格；6）若合格，则进行实际外延生长，若不合格，则返工处理。本发明通过模拟方式直接预测衬底外延后平坦度的优劣，并选择模拟合格的外延片进行实际外延，不合格的外延片则可直接返工处理，从而可以对外延片衬底进行筛选，提高外延片平坦度性能与良率，同时可节省外延使用机时、减少晶片消耗以及外延设备损耗。
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公开(公告)号：CN110685009A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910980116.9
申请日：2019-10-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延生长装置和一种外延生长方法。所述外延生长装置的生长腔室上设置有允许用于在晶片上形成外延层的反应气体进入生长腔室内的进气口，当进行外延生长工艺的晶片的边缘部分具有晶向不同的较快区和较慢区且外延层在较快区比在较慢区生长更快时，进气口在较快区旋转经过时提供的反应气体的进气速率小于在较慢区旋转经过时提供的反应气体的进气速率。所述外延生长装置可以调节外延层在不同晶向上的沉积，有助于获得厚度均一的外延层，提高外延晶片的质量。所述外延生长方法与所述外延生长装置具有相同或类似的特点，可以不改变外延生长装置的结构而提高外延层的厚度均一性，降低外延晶片的局部平直度，灵活性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106856183B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201510901208.5
申请日：2015-12-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提出了一种监测基座温度均匀性的方法，在晶圆表面形成二氧化硅，将晶圆放置在基座上进行升温，同时通入氢气，借助于氢气的还原作用与二氧化硅进行反应，减少二氧化硅薄膜厚度，温度越高的区域还原反应速率越快，二氧化硅薄膜的厚度减少的越多，由此推算出温度均匀性，此外，晶圆表面形成的二氧化硅可以通过湿法刻蚀去除，解决晶圆回收问题，并且不会对反应腔室造成污染。
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公开(公告)号：CN107326433A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201610278856.4
申请日：2016-04-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
CPC classification number: C30B25/08 , C30B25/105 , H01L21/6719 , H01L21/67207
Abstract: 本发明提供了一种外延设备，包括反应腔体、位于反应腔体上部的盖板以及位于反应腔体下部的托盘，通过冷却水进出口在空心中通入冷却水，用于在生长外延层的过程中降低整个反应腔室的温度，防止外延设备各部件长时间承受高温，从而能够一次生长相对较厚的外延层，并且不影响外延设备的性能及机台产能；使用射频加热线圈代替现有技术中的加热灯管，并将射频加热线圈设置为空心，在其中通入冷却水，以防止射频加热线圈的温度过高；将腔室盖板的一部分设置为透明材质，在盖板上形成可视窗口，从而采用红外测温装置替换目前使用的热电阻测温，红外测温装置的探头在所述可视窗口上自由移动，能够测量整个晶圆内的温度分布。
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公开(公告)号：CN107275251A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201610218470.4
申请日：2016-04-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明揭示了一种降低预抽腔体中芯片温度的方法及芯片降温装置。所述降低预抽腔体中芯片温度的方法包括：提供一预抽腔体及一芯片承载盘，该芯片承载盘装设于该预抽腔体内；以及导入冷却气体至该预抽腔体内，该冷却气体的成分包含有氮气以及体积比为100ppm～1％的二氧化碳。
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公开(公告)号：CN110592665A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910734324.0
申请日：2019-08-09
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体薄膜平坦度改善的方法，所述方法包括:提供晶圆；执行气相沉积，以在所述晶圆的表面形成外延层；其中，在所述气相沉积过程中加入抑制所述外延层的生长的气体，以调节位于所述晶圆的边缘区域的所述外延层的厚度，提高所述外延层的平坦度。根据本发明提供的半导体薄膜平坦度改善的方法，通过在执行气相沉积时通入抑制所述外延层生长的气体，以调节位于所述晶圆的边缘区域的所述外延层的厚度，抑制了边缘外延层的生长，改善了边缘处的形貌，减少了SFQR值，改善了外延层的平坦度。
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公开(公告)号：CN110578166A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910979234.8
申请日：2019-10-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延生长设备和一种外延生长方法。所述外延生长设备的腔体上设置有第一进气口和第二进气口，第一进气口允许用于在晶片上形成外延层的反应气体进入腔体，第二进气口允许用于阻止外延层的沉积的刻蚀气体进入腔体，当晶片的边缘部分具有晶向不同的较快区和较慢区且外延层在较快区比在较慢区生长更快时，在外延过程中，随着晶片的旋转，第二进气口在较快区旋转经过时提供的刻蚀气体的进气速率大于在较慢区旋转经过时提供的刻蚀气体的进气速率，从而刻蚀气体对于较快区的外延层的去除效率更大，可以对较快区和较慢区的外延生长进行调节，有助于提高外延层的厚度均一性，降低局部平直度，提高外延晶片的质量。
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