公开(公告)号：CN116657243A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310636436.9

申请日：2023-05-31

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 孙飞 ,  张斌 ,  戴子轩 ,  崔林涛

IPC: C30B23/02 ,  C30B25/08 ,  C30B19/06 ,  F27D25/00

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种外延炉内置件清洗装置，包括：外壳、注液组件、排液组件以及通气组件；所述外壳内设置有清洗室，所述清洗室至少被分隔为相互连通的小件清洗区、大件清洗区和异形件清洗区；所述注液组件用于向所述清洗室内注入清洗液，所述排液组件用于排出清洗液；所述通气组件用于向所述大件清洗区和/或所述异形件清洗区的底部通入惰性气体。如此配置，提高了外延炉内置件的清洗效率，且清洗过程中利于规范化，清洗效果利于统一化，且有助于使得全部的内置件均满足洁净标准，同时，通过分区设置，适配于不同形状的内置件，利于全部不规则内置件的同步清洗。

公开(公告)号：CN116564845A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310635958.7

申请日：2023-05-31

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 黄宋平 ,  张斌 ,  林志鑫 ,  余航波

IPC: H01L21/66 ,  C30B25/16

Abstract: 本发明提供一种外延生长工艺调优方法，包括：S1：提供多个实验片，并测量各所述实验片的平坦度数据；S2：对多个所述实验片分别在不同工作参数下生长外延层，并测量各所述实验片生长外延层后的平坦度数据；S3：计算各所述实验片生长外延层前后平坦度数据的差值，并将使得生长外延层前后平坦度数据的差值最小的工作参数作为所述外延生长工艺调优方法当前的最优工作参数。采用本发明提供的外延生长工艺调优方法，使得无需工艺人员现场观察每片基片的形变并做调整直至最佳工艺设定，节省了人力和时间。

公开(公告)号：CN119663438A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411899118.2

申请日：2024-12-20

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 李洪江 ,  俞登永 ,  张斌 ,  林志鑫 ,  谭虎臣

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/10 ,  C30B23/06

Abstract: 本发明提供了一种外延设备的复机方法，复机方法：步骤S1、执行校温程序；步骤S2、获取目标温控模块在工件台上的温场稳定后的目标参数的实际值；步骤S3、获取实际值与预设的基准值的偏差；步骤S4、判断偏差是否在预设范围内，若是，则执行步骤S5，若否，则执行步骤S6后返回执行步骤S1；步骤S5、使外延设备对晶圆进行外延生长，并基于晶圆长出的单晶层进行温场调节；步骤S6、更换或重新安装目标温控模块。通过执行上述复机方法以在复机过程中避免发生晶圆外延生长时因温场剧变引起应力集中、进而破裂并污染工艺腔所导致的重新维护问题，进而加快所述外延设备的复机速度。

公开(公告)号：CN222636762U

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202421180626.0

申请日：2024-05-27

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 ,  上海新昇晶科半导体科技有限公司

Inventor： 远刚 ,  范峰 ,  张斌 ,  周庆 ,  孙飞

IPC: G09B25/02 ,  H01L21/687

Abstract: 本申请提供一种晶圆取放调试辅助工具及晶圆取放调试系统，其中，晶圆取放调试辅助工具包括盘状件和限位块。盘状件包括圆盘和凸台，凸台固定设置于圆盘一面；凸台包括两条平行于第一方向的平直边部；在圆盘沿第二方向延伸的中心线方向上，上述平直边部与圆盘的中心相距预定距离；凸台在圆盘表面的投影轮廓不超出圆盘表面的轮廓边界。限位块设置于盘状件的至少一侧表面；处于盘状件同一侧表面的限位块之间形成出沿第一方向延伸的容纳通道；容纳通道沿第二方向的中点在圆盘表面的投影处于圆盘沿第一方向延伸的中心线上。本申请的技术方案能够用于辅助调节机械手完成在晶圆传送盒内的竖直及水平位置的示教过程。

公开(公告)号：CN222619687U

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202421300410.3

申请日：2024-06-07

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 ,  上海新昇晶科半导体科技有限公司

Inventor： 张雁汝 ,  张斌

IPC: H01L21/66

Abstract: 本实用新型提供了一种近表面电阻测试仪的导流装置，包括壳体、上盖和导流板；壳体包括第一侧板、第二侧板、第三侧板、第四侧板和底板；导流板固定在氧化腔内，导流板的一端和第二侧板的内壁贴合，导流板的另一端与第四侧板的内壁贴合，导流板的下表面与底板的内壁贴合。在测量晶圆表面外延层的电阻时，CDA从进气口进入氧化腔内被导流板阻挡，CDA从导流板靠近进气口的侧面和顶面吹送至整个晶圆的上表面，这样可以使晶圆表面的气流分布地更加均匀，进而使晶圆表面的氧化层的密度和厚度更加均匀，最终测得的电阻值更加准确和稳定。

公开(公告)号：CN217077861U

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202220841965.3

申请日：2022-04-08

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 曹共柏 ,  潘帅 ,  俞登永 ,  张斌

IPC: C30B25/12 ,  C30B25/08 ,  C30B29/06 ,  C30B25/16

Abstract: 本实用新型提供一种外延基座及外延设备，外延基座的第一面设置有用于装载晶圆的承载槽，承载槽的底壁包括第一接触部以及环绕第一接触部的第二接触部，第一接触部相对晶圆内凹于第二接触部，且第一接触部在执行外延工艺时与晶圆接触；第一接触部上设置有多个呈环状分布的第一凸点或第一凹坑，和/或，外延基座的第二面上设置有多个呈环状分布的第二凸点或第二凹坑。在本实用新型中，通过在外延基座的第一面设置第一凸点或第一凹坑，和/或在第二面设置第二凸点或第二凹坑，利用第一凸点及第二凹坑以提高晶圆对应区域的温度，或者利用第一凹坑及第二凸点以降低晶圆对应区域的温度，从而提高外延工艺时外延层的厚度及电阻率的均匀性。