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发明公开
一种外延生长工艺调优方法审中-实审

公开(公告)号：CN116564845A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310635958.7

申请日：2023-05-31

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 黄宋平 , 张斌 , 林志鑫 , 余航波

IPC: H01L21/66 , C30B25/16

Abstract: 本发明提供一种外延生长工艺调优方法，包括：S1：提供多个实验片，并测量各所述实验片的平坦度数据；S2：对多个所述实验片分别在不同工作参数下生长外延层，并测量各所述实验片生长外延层后的平坦度数据；S3：计算各所述实验片生长外延层前后平坦度数据的差值，并将使得生长外延层前后平坦度数据的差值最小的工作参数作为所述外延生长工艺调优方法当前的最优工作参数。采用本发明提供的外延生长工艺调优方法，使得无需工艺人员现场观察每片基片的形变并做调整直至最佳工艺设定，节省了人力和时间。

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