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公开(公告)号：CN114571354A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011377841.6
申请日：2020-11-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/07 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供一种抛光设备及方法。设备包括光电传感器、反射模块、抛光头、抛光垫、抛光轴及驱动装置；反射模块固定于抛光轴上，反射模块上设置有反射区；光电传感器包括发射单元及接收单元，发射单元朝反射模块发射信号，接收单元接收自反射区反射的信号，抛光头固定于抛光轴的底部，且位于抛光垫的上方；驱动装置与抛光轴相连接，用于驱动抛光轴旋转，由此带动抛光头及发射模块旋转，通过计算发射单元发射的信号被反射模块的反射区反射至接收单元的次数可获知抛光头的实际旋转转速。本发明利用光反射原理，可以实时地监控到抛光头的实际转速值，并且可在机台外部便可获知转速读值，可减少转速异常对工艺的不良影响，有助于提高硅片抛光质量。
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公开(公告)号：CN112706060B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202011537224.8
申请日：2020-12-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有自清洗功能的双面抛光设备及抛光方法。设备包括下锭盘、上锭盘、挡板及喷洒装置；上锭盘位于下锭盘的上方，挡板绕设在下锭盘及上锭盘的周向且与下锭盘及上锭盘均有间距；喷洒装置包括安装基柱及喷嘴，安装基柱固定于上锭盘上，喷嘴设置于安装基柱上且喷嘴通过液体管路与清洁液体源相连接，喷嘴包括多个第一喷嘴和多个第二喷嘴，多个第一喷嘴和多个第二喷嘴沿上锭盘周向间隔分布；第一喷嘴用于喷洒水雾以使双面抛光设备内保持润湿氛围，第二喷嘴用于喷洒高压水流以对挡板表面进行清洗，由此可以有效避免抛光液残液及抛光废屑附着在挡板表面，有助于改善晶圆边缘缺陷，延长抛光组件的使用寿命，降低抛光成本。
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公开(公告)号：CN112372862A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011261629.3
申请日：2020-11-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶棒工件板及晶棒切割方法。使用时，树脂条固定于晶棒工件板上，晶棒工件板和树脂条的长度方向均与晶棒的长度方向一致，晶棒工件板的宽度大于树脂条的宽度，且小于晶棒的直径，晶棒工件板的两侧沿晶棒工件板的长度方向间隔设置有多个开孔；晶棒工件板内部还设置有冷却通道，冷却通道沿晶棒工件板的长度方向延伸，多个开孔与冷却通道相连通，开孔的孔径小于冷却通道的直径；在对晶棒进行线切割的过程中，向冷却通道内通入砂浆，砂浆流经多个开孔后顺着晶棒表面流下，以在完成晶棒切割的过程中通过砂浆带走晶棒上部的热量。本发明可以有效减少晶棒各个部位的温差，有助于减少切割过程中产生的翘曲，有助于提高切割质量。
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公开(公告)号：CN109238510B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201811253222.9
申请日：2018-10-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种校准外延腔温度的方法，所述方法包括:提供若干晶圆；提供第一外延腔，在所述第一外延腔中处理所述晶圆以形成第一雾状表面，分别测量所述第一外延腔的不同温度下相应的第一雾状表面的值；提供第二外延腔，在所述第二外延腔中处理所述晶圆以形成第二雾状表面，分别测量所述第二外延腔的不同温度下相应的第二雾状表面的值；将所述第一外延腔与所述第二外延腔的温度校准在同一水平。根据本发明提供的校准外延腔温度的方法，可以简单、准确、直接地校准外延腔温度，从而提高外延产品的质量。
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公开(公告)号：CN109411401A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201710713577.0
申请日：2017-08-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种衬底支撑装置以及外延生长设备，所述衬底支撑装置包括基座环和具有凹槽的底座；所述基座环位于所述凹槽内并用于承载所述衬底，且所述基座环与所述底座之间形成有容置空间。所述外延生长设备包括所述衬底支撑装置。本发明提供的衬底支撑装置能够很好的隔热，使所述衬底支撑装置内的部件不容易因过热而老化，降低了所述部件的更换频率；同时，由于所述零部件更换频率的减少，使生产能够更顺利的进行，从而提升了生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107331634A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201610278900.1
申请日：2016-04-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延设备腔室盖板，放置于外延设备腔室的上部，其中一部分所述盖板为透明材质，在所述盖板上形成可视窗口，从而采用红外测温装置替换目前使用的热电阻测温，红外测温装置的探头在所述可视窗口上自由移动，能够测量整个晶圆内的温度分布，降低设备维护成本，使得维护简单方便，且不影响外延设备的稳定性。
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公开(公告)号：CN119666680A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411869835.0
申请日：2024-12-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01N15/06 , B65B43/18 , B65B43/30 , G01N27/626
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种包装袋检测装置及检测方法，所述包装袋检测装置包括：抓取单元、注液单元、取样单元以及检测单元；所述抓取单元用于抓取包装袋，并打开或闭合所述包装袋的袋口；所述注液单元用于在所述包装袋袋口被打开时，向所述包装袋内注入检测液体；所述取样单元用于提取所述包装袋内的检测液体并将检测液体输送至所述检测单元；所述检测单元用于检测接收到的所述检测液体。该检测装置设置可实现对包装袋颗粒自动检测的功能以及无污染的提取包装袋检测液体的功能，以保证较高的检测准确度。
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公开(公告)号：CN118707131A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410743273.9
申请日：2024-06-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种夹持速度检测装置、机械手夹持速度检测装置及调试方法，其中夹持速度检测装置包括基座、测试标准片、滑移连接构件、状态检测单元、和控制器，所述基座包括活动侧和固定侧；所述测试标准片设置于所述滑移连接构件上，所述滑移连接构件的一端连接在所述固定侧上，另一端连接在所述活动侧上，所述状态检测单元与所述控制器连接。使用本发明的夹持速度检测装置可以实现对夹持速度的精确检测。
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公开(公告)号：CN115990835A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202111221682.5
申请日：2021-10-20
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种双面抛光设备监测装置及双面抛光设备，所述双面抛光设备监测装置包括激光发射单元、激光接收单元、压力传感单元、处理单元及显示单元；激光发射单元设置于第一锭盘内用于向第二锭盘发射激光线；激光接收单元设置于第二锭盘内且与激光发射单元相对应，用于检测第一锭盘及第二锭盘的距离数据；压力传感单元设置于第一锭盘或第二锭盘中，用于检测第一锭盘及第二锭盘之间的压力数据。本发明利用激光发射单元及激光接收单元监测第一锭盘及第二锭盘之间距离数据，并利用压力传感单元监测第一锭盘及第二锭盘的压力数据，从而及时准确的监测双面抛光设备的第一锭盘及第二锭盘的形貌。
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公开(公告)号：CN114582707A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011380263.1
申请日：2020-11-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种外延片制备方法，包括步骤：S1：提供衬底，对衬底进行双面抛光后再清洗；S2：对衬底进行边缘抛光后再清洗；S3：对衬底进行最终抛光后再清洗；S4：于最终抛光清洗后得到的衬底表面进行外延生长；S5：对外延生长后的衬底依次进行抛光和清洗。本发明对现有的外延片制备流程重新进行了优化设计，不仅在外延生长前进行多次抛光以确保外延生长具有良好的生长条件，且在外延生长后再次进行抛光清洗，以确保生长出的外延层具有平坦表面，可以有效改善外延层表面SFQR较差的问题，有利于提高后续的器件生产良率。采用本发明，不必重新设计碳化硅基座或外延机台气流设计，进外延炉反应腔之前不用对notch角度，有助于提高生产效率及降低生产成本。
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