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公开(公告)号：CN113644017B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010345053.2
申请日：2020-04-27
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种对晶圆进行定位的方法和半导体制造设备，应用于薄膜工艺。所述方法包括：步骤S1：获取第一晶圆在进行所述薄膜工艺后，所述第一晶圆的第一表面的状态分布，其中所述第一表面是与所述薄膜工艺中形成薄膜层的表面相对的表面；步骤S2：根据所述第一表面的状态分布判断所述第一晶圆是否位于理想定位中心，当所述第一晶圆不位于所述理想定位中心时，根据所述第一表面的状态分布对将进行薄膜工艺的第二晶圆的定位位置进行调整，以使所述第二晶圆在所述薄膜工艺时定位在所述理想定位中心。根据本发明，使晶圆在薄膜工艺过程中定位在理想的定位中心，从而提高了薄膜工艺后晶圆薄膜层和整片晶圆(外延片)的质量，改善了薄膜工艺的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113644017A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010345053.2
申请日：2020-04-27
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种对晶圆进行定位的方法和半导体制造设备，应用于薄膜工艺。所述方法包括：步骤S1：获取第一晶圆在进行所述薄膜工艺后，所述第一晶圆的第一表面的状态分布，其中所述第一表面是与所述薄膜工艺中形成薄膜层的表面相对的表面；步骤S2：根据所述第一表面的状态分布判断所述第一晶圆是否位于理想定位中心，当所述第一晶圆不位于所述理想定位中心时，根据所述第一表面的状态分布对将进行薄膜工艺的第二晶圆的定位位置进行调整，以使所述第二晶圆在所述薄膜工艺时定位在所述理想定位中心。根据本发明，使晶圆在薄膜工艺过程中定位在理想的定位中心，从而提高了薄膜工艺后晶圆薄膜层和整片晶圆(外延片)的质量，改善了薄膜工艺的效果。
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公开(公告)号：CN114582707A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011380263.1
申请日：2020-11-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种外延片制备方法，包括步骤：S1：提供衬底，对衬底进行双面抛光后再清洗；S2：对衬底进行边缘抛光后再清洗；S3：对衬底进行最终抛光后再清洗；S4：于最终抛光清洗后得到的衬底表面进行外延生长；S5：对外延生长后的衬底依次进行抛光和清洗。本发明对现有的外延片制备流程重新进行了优化设计，不仅在外延生长前进行多次抛光以确保外延生长具有良好的生长条件，且在外延生长后再次进行抛光清洗，以确保生长出的外延层具有平坦表面，可以有效改善外延层表面SFQR较差的问题，有利于提高后续的器件生产良率。采用本发明，不必重新设计碳化硅基座或外延机台气流设计，进外延炉反应腔之前不用对notch角度，有助于提高生产效率及降低生产成本。
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公开(公告)号：CN112378546A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011075003.3
申请日：2020-10-09
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01K13/00
Abstract: 本发明公开了一种检测高温腔体温度的方法，在高温腔体内对选定的硅片进行指定温度的高温处理，其中指定温度包括依次设定的多个温度点，获得与各个所述温度点一一对应的所述硅片的Haze值，拟合得到高温腔体温度与所述硅片的Haze值的线性关系式一；对所述硅片进行抛光和清洗；在所述高温腔体内对抛光和清洗后的硅片再次进行指定温度的高温处理，得到高温腔体温度与抛光和清洗后的硅片的Haze值的线性关系式二；计算前后两次高温处理中同一温度点的Haze值的差值，并根据所述差值计算得到所述高温腔体的实际温度差值。本发明提高了高温腔体温度检测的效率与准确率，减少了硅片厚度、电阻率的波动；提高了硅片利用率，减少了成本。
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公开(公告)号：CN112378546B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202011075003.3
申请日：2020-10-09
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01K13/00
Abstract: 本发明公开了一种检测高温腔体温度的方法，在高温腔体内对选定的硅片进行指定温度的高温处理，其中指定温度包括依次设定的多个温度点，获得与各个所述温度点一一对应的所述硅片的Haze值，拟合得到高温腔体温度与所述硅片的Haze值的线性关系式一；对所述硅片进行抛光和清洗；在所述高温腔体内对抛光和清洗后的硅片再次进行指定温度的高温处理，得到高温腔体温度与抛光和清洗后的硅片的Haze值的线性关系式二；计算前后两次高温处理中同一温度点的Haze值的差值，并根据所述差值计算得到所述高温腔体的实际温度差值。本发明提高了高温腔体温度检测的效率与准确率，减少了硅片厚度、电阻率的波动；提高了硅片利用率，减少了成本。
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公开(公告)号：CN114334726A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111592808.X
申请日：2021-12-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , B08B13/00 , B08B5/02
Abstract: 本发明提供一种清洗装置和清洗方法，包括承载台，用于承载并固定待清洗的晶圆；旋转轴承，位于在承载台之下，用于带动承载台旋转；清洗管路，位于在旋转轴承中间，所述清洗管路的侧壁设置通孔；气体管路，与所述通孔连接，用于向所述清洗管路与所述旋转轴承之间的间隙吹扫保护气体，以避免旋转轴承高速旋转产生的气流将异物通过间隙带入吸附在所述晶圆的背面。本发明在清洗管路的侧壁设置通孔，通过所述通孔向旋转轴承和清洗管路之间间隙吹扫保护气体，避免旋转轴承高速旋转产生的气流将外界异物或旋转轴承表面的金属颗粒通过所述间隙带入并吸附在晶圆背面，进而改善晶圆表面颗粒和金属沾污，避免晶圆表面体金属沾污对后道制程产品的不利影响。
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