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公开(公告)号：CN108950680A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810903652.4
申请日：2018-08-09
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C30B25/12 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种外延基座，包括基座主体、环形基座外沿及多个凸块；基座主体包括用于放置待处理的晶圆的基座载台及环绕基座载台外围的环形侧壁，基座载台与环形侧壁相连接；环形基座外沿位于环形侧壁上，环形基座外沿自基座主体向远离基座主体的方向延伸；多个凸块位于环形基座外沿的上表面，且沿环形基座外沿的周向均匀间隔排布。本发明的外延基座，能够实现（110）晶面上的外延沉积速率相应降低，从而使晶圆边缘整体的外延生长速度趋于相同，因而在本发明的外延基座中进行外延沉积的晶圆的ESFQR相对于在传统外延基座中沉积的晶圆有极大改善。本发明结构简单，使用方便。采用本发明的外延设备，能有效提高外延层厚度均匀性，提高生产良率。
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公开(公告)号：CN109238510B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201811253222.9
申请日：2018-10-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种校准外延腔温度的方法，所述方法包括:提供若干晶圆；提供第一外延腔，在所述第一外延腔中处理所述晶圆以形成第一雾状表面，分别测量所述第一外延腔的不同温度下相应的第一雾状表面的值；提供第二外延腔，在所述第二外延腔中处理所述晶圆以形成第二雾状表面，分别测量所述第二外延腔的不同温度下相应的第二雾状表面的值；将所述第一外延腔与所述第二外延腔的温度校准在同一水平。根据本发明提供的校准外延腔温度的方法，可以简单、准确、直接地校准外延腔温度，从而提高外延产品的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110685009A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910980116.9
申请日：2019-10-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延生长装置和一种外延生长方法。所述外延生长装置的生长腔室上设置有允许用于在晶片上形成外延层的反应气体进入生长腔室内的进气口，当进行外延生长工艺的晶片的边缘部分具有晶向不同的较快区和较慢区且外延层在较快区比在较慢区生长更快时，进气口在较快区旋转经过时提供的反应气体的进气速率小于在较慢区旋转经过时提供的反应气体的进气速率。所述外延生长装置可以调节外延层在不同晶向上的沉积，有助于获得厚度均一的外延层，提高外延晶片的质量。所述外延生长方法与所述外延生长装置具有相同或类似的特点，可以不改变外延生长装置的结构而提高外延层的厚度均一性，降低外延晶片的局部平直度，灵活性高。
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公开(公告)号：CN108842143A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810747275.X
申请日：2018-07-09
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延炉冷却系统及冷却方法，所述外延炉冷却系统包括：冷却腔体、温度检测器以及冷却腔体控制器，其中所述冷却腔体用于冷却放置于其内的晶圆，温度检测器用于检测放置于所述冷却腔体内晶圆的温度，并将所述晶圆的实际温度传输至所述冷却腔体控制器，所述冷却腔体控制器具有一预设温度，并实时接收所述实际温度，并将所述实际温度与设定温度进行比较，如果所述实际温度大于所述设定温度，则控制所述冷却腔体继续冷却，如果所述实际温度等于或小于所述设定温度，则控制所述冷却腔体结束冷却，由此可以有效控制所述晶圆的冷却温度而及时结束晶圆的冷却，并通过温度控制提高冷却腔体的产出效率。
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公开(公告)号：CN110592665A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910734324.0
申请日：2019-08-09
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体薄膜平坦度改善的方法，所述方法包括:提供晶圆；执行气相沉积，以在所述晶圆的表面形成外延层；其中，在所述气相沉积过程中加入抑制所述外延层的生长的气体，以调节位于所述晶圆的边缘区域的所述外延层的厚度，提高所述外延层的平坦度。根据本发明提供的半导体薄膜平坦度改善的方法，通过在执行气相沉积时通入抑制所述外延层生长的气体，以调节位于所述晶圆的边缘区域的所述外延层的厚度，抑制了边缘外延层的生长，改善了边缘处的形貌，减少了SFQR值，改善了外延层的平坦度。
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公开(公告)号：CN110578166A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910979234.8
申请日：2019-10-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延生长设备和一种外延生长方法。所述外延生长设备的腔体上设置有第一进气口和第二进气口，第一进气口允许用于在晶片上形成外延层的反应气体进入腔体，第二进气口允许用于阻止外延层的沉积的刻蚀气体进入腔体，当晶片的边缘部分具有晶向不同的较快区和较慢区且外延层在较快区比在较慢区生长更快时，在外延过程中，随着晶片的旋转，第二进气口在较快区旋转经过时提供的刻蚀气体的进气速率大于在较慢区旋转经过时提供的刻蚀气体的进气速率，从而刻蚀气体对于较快区的外延层的去除效率更大，可以对较快区和较慢区的外延生长进行调节，有助于提高外延层的厚度均一性，降低局部平直度，提高外延晶片的质量。
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公开(公告)号：CN109238510A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811253222.9
申请日：2018-10-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种校准外延腔温度的方法，所述方法包括:提供若干晶圆；提供第一外延腔，在所述第一外延腔中处理所述晶圆以形成第一雾状表面，分别测量所述第一外延腔的不同温度下相应的第一雾状表面的值；提供第二外延腔，在所述第二外延腔中处理所述晶圆以形成第二雾状表面，分别测量所述第二外延腔的不同温度下相应的第二雾状表面的值；将所述第一外延腔与所述第二外延腔的温度校准在同一水平。根据本发明提供的校准外延腔温度的方法，可以简单、准确、直接地校准外延腔温度，从而提高外延产品的质量。
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