公开(公告)号：CN118748159A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410815036.9

申请日：2024-06-21

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 曹共柏 ,  潘帅 ,  王华杰 ,  王佳 ,  林明献 ,  李炜

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种石英罩、半导体工艺装置及半导体工艺方法，石英罩包括凹透镜部分和凸透镜部分，所述凹透镜部分的焦距小于0，所述凸透镜部分的焦距大于0，所述凹透镜部分和所述凸透镜部分分别位于所述石英罩的预设位置。本发明通过设置石英罩的结构改变透射石英罩的加热光线，使辐射热能更均匀地分布到待处理半导体结构的表面，从而可以得到厚度均匀、电阻率均匀的外延层；同时通过设置石英罩的内壁为连续平滑表面，避免由于凹透镜部分和凸透镜部分的设置引起石英罩内壁的不平整，避免对工艺效果产生不良影响；另外，通过设置凹透镜部分和凸透镜部分的焦距范围，可以进一步调整辐射热能的分布，改善加热温度的分布均匀性。

公开(公告)号：CN118741776A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410816714.3

申请日：2024-06-21

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 ,  上海新昇晶科半导体科技有限公司

Inventor： 曹共柏 ,  王华杰 ,  王佳 ,  郑华浩 ,  林明献 ,  李炜

IPC: H05B3/00 ,  H05B3/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种石英支撑件、半导体工艺腔室及半导体工艺方法，石英支撑件包括有中心透镜和环透镜的透镜结构和支撑结构；透镜结构放置于支撑结构。本发明通过将晶圆基座设置在包含透镜结构的石英支撑件上，设置透镜结构包含中心透镜和环透镜的透镜结构，对加热光线进行折射，调节由于加热灯管、反射金板和腔体结构引起的环形不均匀的辐射热量分布，优化加热均匀度的调节精准度，提高经过加热工艺后得到的外延层厚度和电阻率的均匀性；另外通过设置透镜结构和支撑结构为一体成型结构，降低石英支撑件带来的浮尘颗粒，提高产品良率；最后通过叠放顺序可调节的支撑块和石英块，使透镜结构的高度可灵活调节，进一步提高对加热均匀度的调节精准度。

公开(公告)号：CN118448334A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410525462.9

申请日：2024-04-28

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 王华杰 ,  曹共柏 ,  王佳 ,  郑华浩 ,  林明献 ,  李炜

IPC: H01L21/687 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种外延基座、外延设备以及半导体器件的外延生长方法，外延基座包括：承载部和底座；承载部沿底座的轴向向外凸出，用于承载晶片；底座上设置有多个通孔，通孔沿底座的轴向贯通底座；其中，底座上设置有第一区域和第二区域，第一区域中单位面积内的所述通孔的面积大于第二区域中单位面积内的所述通孔的面积。如此配置，单位面积内的通孔面积越大的区域，红外光照的覆盖率就越大，温度就越高，相同条件下，温度越高，掺杂量就越大，相应电阻会越低，本申请通过将形成的外延层中电阻偏高位置与第一区域相匹配，使得外延层中电阻偏高位置的电阻降低，从而使外延层的电阻率分布得到改善。

公开(公告)号：CN222294262U

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202420899872.5

申请日：2024-04-28

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 ,  上海新昇晶科半导体科技有限公司

Inventor： 曹共柏 ,  王华杰 ,  王佳 ,  郑华浩 ,  林明献 ,  李炜

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/12 ,  C30B25/10

Abstract: 本实用新型提供一种外延基座以及外延设备，外延基座包括：基座主体；基座主体包括承载台以及凹陷部，承载台设置于基座主体的边沿，承载台与凹陷部连接，形成用于承载晶片的承载面，凹陷部相对于承载台沿远离晶片的方向内凹，晶片搭设于承载台上，且晶片在外延过程中与凹陷部相接触；凹陷部设置有至少两个凹槽，凹槽沿基座主体的周向设置，且至少两个凹槽沿基座主体的径向排布。如此配置，基座主体靠近晶片的一侧具有凹凸的面貌，导致凹槽区域的温度分布改变，使晶片背面的受热和传热出现变化，从而改变晶片表面的温度，引起沉积速率的变化，以达到补偿其他硬件或气流导致的沉积速率的变化，合适的补偿能够改善晶片外延的平坦度和厚度均匀性。