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公开(公告)号：CN118741776A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410816714.3
申请日：2024-06-21
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶科半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种石英支撑件、半导体工艺腔室及半导体工艺方法，石英支撑件包括有中心透镜和环透镜的透镜结构和支撑结构；透镜结构放置于支撑结构。本发明通过将晶圆基座设置在包含透镜结构的石英支撑件上，设置透镜结构包含中心透镜和环透镜的透镜结构，对加热光线进行折射，调节由于加热灯管、反射金板和腔体结构引起的环形不均匀的辐射热量分布，优化加热均匀度的调节精准度，提高经过加热工艺后得到的外延层厚度和电阻率的均匀性；另外通过设置透镜结构和支撑结构为一体成型结构，降低石英支撑件带来的浮尘颗粒，提高产品良率；最后通过叠放顺序可调节的支撑块和石英块，使透镜结构的高度可灵活调节，进一步提高对加热均匀度的调节精准度。
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公开(公告)号：CN118777698A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410783405.0
申请日：2024-06-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种高阻外延片电阻率的测量方法，针对反型高阻外延层的电阻率的量测，在衬底上形成外延层，外延层与衬底的掺杂类型相反，且外延层的掺杂浓度高于衬底的掺杂浓度，或者外延层的掺杂浓度与衬底的掺杂浓度的差值小于等于一个数量级，以避免衬底内的掺杂离子扩散至外延层内，保证了外延层电阻率测试的准确性。通过先执行特定的预处理，去除所述外延层的表面自然氧化层和颗粒以使外延层的表面洁净，减少电学干扰，满足量测需求；再将所述高阻外延置于四探针机台上采用四探针法对所述外延层进行IV测试，根据四探针的电流源电压以及所述外延层端电流电压特性，准确测量高阻外延的电阻率。
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公开(公告)号：CN118682597A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411186634.0
申请日：2024-08-27
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶科半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种研磨载具及研磨设备、研磨方法，研磨载具包括第一载体和第二载体；第一载体上有第一容置槽；多个第二载体可拆卸地设置在第一容置槽内，并绕第一容置槽的轴线等间距布置，第二载体上有第二容置槽，第二容置槽容置目标物。研磨载具应用于研磨设备，研磨设备包括基体，基体上设有研磨区域；多个研磨载具绕研磨区域的轴线等间距地布置，研磨载具能绕研磨区域的轴线公转。使用时，根据待研磨的目标物的数量调整研磨载具的第二载体的数量，从而调整研磨设备一次性容置的目标物的数量，提高研磨设备一次性可容置的硅片的数量与待研磨目标物的数量的适应性，降低偏盘问题对研磨质量的不利影响。
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公开(公告)号：CN118448334A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410525462.9
申请日：2024-04-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种外延基座、外延设备以及半导体器件的外延生长方法，外延基座包括：承载部和底座；承载部沿底座的轴向向外凸出，用于承载晶片；底座上设置有多个通孔，通孔沿底座的轴向贯通底座；其中，底座上设置有第一区域和第二区域，第一区域中单位面积内的所述通孔的面积大于第二区域中单位面积内的所述通孔的面积。如此配置，单位面积内的通孔面积越大的区域，红外光照的覆盖率就越大，温度就越高，相同条件下，温度越高，掺杂量就越大，相应电阻会越低，本申请通过将形成的外延层中电阻偏高位置与第一区域相匹配，使得外延层中电阻偏高位置的电阻降低，从而使外延层的电阻率分布得到改善。
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公开(公告)号：CN116463607A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310589909.4
申请日：2023-05-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种外延生长设备的气流调节结构及外延层的生长方法，所述气流调节结构呈环形管状，且具有沿轴向延伸的环壁，所述环壁不同位置具有不同的轴向延伸高度，以调控外延生长工艺中进入半导体衬底上方的气流大小。通过气流调节结构调节外延生长工艺中半导体衬底上方局部气流，进而使外延层薄膜厚度均匀性与平坦度得到优化。本发明中，气流调节结构与基座是相互独立的两个装置，无需调整基座，气流调节结构制造工艺简单，加工周期通常仅需基座制造一半时间，降低了设备成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118682597B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411186634.0
申请日：2024-08-27
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶科半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种研磨载具及研磨设备、研磨方法，研磨载具包括第一载体和第二载体；第一载体上有第一容置槽；多个第二载体可拆卸地设置在第一容置槽内，并绕第一容置槽的轴线等间距布置，第二载体上有第二容置槽，第二容置槽容置目标物。研磨载具应用于研磨设备，研磨设备包括基体，基体上设有研磨区域；多个研磨载具绕研磨区域的轴线等间距地布置，研磨载具能绕研磨区域的轴线公转。使用时，根据待研磨的目标物的数量调整研磨载具的第二载体的数量，从而调整研磨设备一次性容置的目标物的数量，提高研磨设备一次性可容置的硅片的数量与待研磨目标物的数量的适应性，降低偏盘问题对研磨质量的不利影响。
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公开(公告)号：CN118748159A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410815036.9
申请日：2024-06-21
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种石英罩、半导体工艺装置及半导体工艺方法，石英罩包括凹透镜部分和凸透镜部分，所述凹透镜部分的焦距小于0，所述凸透镜部分的焦距大于0，所述凹透镜部分和所述凸透镜部分分别位于所述石英罩的预设位置。本发明通过设置石英罩的结构改变透射石英罩的加热光线，使辐射热能更均匀地分布到待处理半导体结构的表面，从而可以得到厚度均匀、电阻率均匀的外延层；同时通过设置石英罩的内壁为连续平滑表面，避免由于凹透镜部分和凸透镜部分的设置引起石英罩内壁的不平整，避免对工艺效果产生不良影响；另外，通过设置凹透镜部分和凸透镜部分的焦距范围，可以进一步调整辐射热能的分布，改善加热温度的分布均匀性。
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公开(公告)号：CN118559598A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410607235.0
申请日：2024-05-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: B24B37/04
Abstract: 本发明提供一种切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法，包括：收集基于同一目标切割厚度生产得到的多个晶片作为样本晶片，以计算切割后晶片表面需要被移除的总厚度值X1及计算研磨后晶片的厚度波动值X2；以及根据计算的所述总厚度值X1及所述厚度波动值X2之和计算实际研磨时晶片厚度的总移除量X。即，本发明直接通过公式计算获得切割后晶片在研磨时需要的具体厚度移除量，节省了验证成本，也减少了人力、物力的消耗。
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公开(公告)号：CN116587452A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310639334.2
申请日：2023-05-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种多个晶棒的粘棒方法，包括以下步骤：提供多个晶棒，多个所述晶棒均具有第一端面；分别对多个所述晶棒的第一端面进行磨面，以优化多个所述晶棒自转角度，并使得磨面后的所述第一端面的晶向取值为目标晶向值；将多个所述晶棒沿长度方向间隔粘设在粘棒治具台上，多个所述晶棒的第一端面与所述粘棒治具台垂直设置，且相邻两个所述晶棒之间的间隔为预设取值，可以降低粘棒难度，且使得切割时线网张力损失尽可能小。
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公开(公告)号：CN222711819U
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202421459878.7
申请日：2024-06-24
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶科半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种保持环及化学抛光装置，所述保持环上设置有多组沿周向依次排布的沟槽，每组所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽；每组所述沟槽中，所述第一沟槽沿第一方向与所述保持环的外圈及内圈连通，所述第二沟槽包括彼此成角度连通的第一部分和第二部分，所述第一部分及所述第二部分别于第一位置及第二位置与所述第一沟槽连通，其中，所述第一位置相对于所述第二位置更靠近所述保持环的外圈，且所述第二沟槽内抛光液的流动方向保持为从所述第一位置流向所述第二位置。采用本实用新型提供的所述保持环，可以减少保持环上沟槽带给硅片边缘的抛光液的量，达到减少硅片边缘去除量的目的。
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