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公开(公告)号：CN115579302A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211247825.4
申请日：2022-10-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 周虹
Abstract: 本发明公开了一种用于非标厚度硅片的量测方法及切片机，所述方法包括：提供切片机，所述切片机包括表面开有多个凹槽的导轮，所述多个凹槽包括第一槽距的凹槽以及第二槽距的凹槽；利用所述切片机生成多个硅片，包括多个非标厚度硅片以及至少一个监控硅片；利用量测机台对所述监控硅片进行量测。根据本发明提供的用于非标厚度硅片的量测方法及切片机，通过生成多个非标厚度硅片以及至少一个监控硅片，其中监控硅片的厚度未超出量测机台的量测范围，利用量测机台对所述监控硅片进行量测，以反映非标厚度硅片的量测情况。
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公开(公告)号：CN116587452A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310639334.2
申请日：2023-05-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种多个晶棒的粘棒方法，包括以下步骤：提供多个晶棒，多个所述晶棒均具有第一端面；分别对多个所述晶棒的第一端面进行磨面，以优化多个所述晶棒自转角度，并使得磨面后的所述第一端面的晶向取值为目标晶向值；将多个所述晶棒沿长度方向间隔粘设在粘棒治具台上，多个所述晶棒的第一端面与所述粘棒治具台垂直设置，且相邻两个所述晶棒之间的间隔为预设取值，可以降低粘棒难度，且使得切割时线网张力损失尽可能小。
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公开(公告)号：CN115881602A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211610145.4
申请日：2022-12-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 周虹
Abstract: 本发明提供一种晶棒粘棒前的晶向定位方法，包括以下步骤：步骤S1：提供一晶棒，并将所述晶棒放置于粘棒机上；步骤S2：检测所述晶棒的第一晶向偏角，以得到水平晶向偏角a和垂直晶向偏角b；步骤S3：建立xy二维坐标系，将(a，b)对应为所述xy二维坐标系中的一点；步骤S4：判断(a，b)在所述xy二维坐标系所处象限，若(a，b)处于第一象限或第二象限，则进入下一步对所述晶棒的晶向进行调整；若(a，b)处于第三象限或第四象限，则将所述晶棒掉头放置后再进入下一步对所述晶棒的晶向进行调整，可以提高所述晶棒的晶向精度，减少复检值超差，减少脱胶重做的次数，提升效率。
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公开(公告)号：CN120038599A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202411997561.3
申请日：2024-12-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 周虹
Abstract: 本发明提供了一种判断 型晶棒晶向是否处于最佳转角区域的方法、 型晶棒加工的方法及系统，属于半导体领域。该 型晶棒加工的方法包括提供一 型晶棒，获取晶棒晶向的初始X晶向偏差和初始Y晶向偏差；判断晶棒晶向是否处于最佳转角区域，若晶棒晶向处于最佳转角区域，则将晶棒进行加工，若晶棒晶向未处于最佳转角区域，则调节晶棒的X轴晶向和Y轴晶向，以使所述晶棒晶向处于最佳转角区域之后，将晶棒进行加工。本发明通过将晶棒晶向从随机转角转动到最佳转角范围内。不仅能够降低切片后硅片warp值，还能够使得warp值保持稳定。
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公开(公告)号：CN119550490A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411506065.3
申请日：2024-10-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 周虹
Abstract: 本发明提供了一种 型晶棒粘贴方法及粘棒机系统，属于半导体领域。该 型晶棒粘贴方法包括提供一 型晶棒。晶棒还具有Notch槽，将Notch槽朝上，粘棒机系统获取偏差值和晶棒晶向的初始转角，并设定晶棒的Y轴初始定向角度。在粘棒机系统中，不断重置Y轴定向角度，直至晶棒晶向的实时转角位于目标转角范围内。基于晶棒绕自身周向方向转动的角度，使晶棒转动。基于目标定向角度，在树脂条内设置斜坡，以将目标定向角度补正到0°。本发明通过获取晶棒的目标定向角度，获取晶棒沿其长度方向倾斜的高度，能够使得晶棒在锯切时，提高晶棒位于最佳转角的概率，锯切晶棒两边材料的弹性模量对称，避免硅片存在翘曲的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108724495B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201710272188.9
申请日：2017-04-24
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 周虹
Abstract: 本发明提供了一种硅片切割辅助装置，所述辅助装置包括工件夹紧装置、热空气输送装置、切割机台和可控温液槽，所述可控温液槽中承载有冷却液，其中：所述工件夹紧装置锁紧一晶棒，所述热空气输送装置向所述工件夹紧装置输送热空气，所述热空气对所述晶棒进行温度补偿；所述工件夹紧装置带动所述晶棒移动，以使所述晶棒靠近所述切割机台；所述切割机台对所述晶棒进行切割，形成多个硅片；所述晶棒在切割过程中，已形成硅片的部分浸入所述可控温液槽；所述可控温液槽根据所述硅片浸入的深度控制所述硅片的温度变化。
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公开(公告)号：CN119567443A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410867826.1
申请日：2024-06-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 周虹
Abstract: 本发明提供一种晶圆翘曲形貌、晶棒线切形貌的表征方法及评价方法，晶圆翘曲形貌的表征方法包括：获取晶棒线切割后晶圆翘曲形貌的原始数据；基于原始数据中晶圆的整体翘曲形貌，选取晶圆各若干径向在第一至第三半径范围的翘曲数据，并分别提取第一至第三半径范围内的翘曲数据的图形特征以得到对应的第一信息码，其中，第二半径范围在径向位于第一半径范围和第三半径范围之间且位于晶圆的中间区域；将晶圆同一径向在第一至第三半径范围的第一信息码依次组合得到对应径向的第二信息码，及将晶圆的至少两个径向的第二信息码依次组合得到晶圆的第三信息码。本发明中可用于直观地表示晶棒线切后的翘曲形貌并便于识别及判定晶圆的翘曲形貌。
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公开(公告)号：CN116460995A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310287927.7
申请日：2023-03-22
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 周虹
Abstract: 本发明提供一种粘棒晶棒自转角优化方法，包括：将晶棒置于夹具中，夹具的底部与晶棒的第一端面接触设置，夹具的顶部端面与晶棒的第二端面之间平行设置；测量并调整位于夹具中的晶棒的晶面晶向角度，以找到晶棒的目标晶向，晶棒的晶向包括水平晶向和垂直晶向，水平晶向和垂直晶向取值均落在目标晶向区间内，调整后的晶棒的第二端面与夹具的顶部端面之间具有夹角；对第二端面进行磨面，以使得磨面后的第二端面的晶向取值为目标晶向值，夹具的顶部端面与磨面后的第二端面之间平行设置，在粘棒前的磨面可以实现磨面后的晶棒来料晶向处于非解理区间，实现了粘棒转角从随机分布变成非解理区间分布，从而降低了硅片碎片率。
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公开(公告)号：CN112092225B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202011004365.3
申请日：2020-09-22
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 周虹
Abstract: 本发明提供一种晶棒档片及晶棒切割方法。在晶棒切割过程中两个晶棒档片对称贴置于待切割晶棒的相对两侧，且沿晶棒的长度方向延伸。晶棒档片具有两个相对的表面，其中，与晶棒相贴置的表面为弧形面，晶棒部分嵌入弧形面内；切割时，晶棒放置于粘接有树脂条的工件板上，晶棒档片与粘接有树脂条的工件板位于晶棒的不同侧面，且与树脂条具有间距，在晶棒切割过程中晶棒档片被同步切割。由于有晶棒档片的缓冲，12寸硅片的翘曲，尤其是晶棒侧面(垂直于进给方向)的进出线侧翘曲可以显著降低，从而可以有效减小硅片的翘曲，有助于提高切割品质。本发明尤其适用于采用结构线进行切割，在提高切割速度的同时可以有效提高硅片的表面平坦度及切割品质。
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公开(公告)号：CN108262678B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201611264423.X
申请日：2016-12-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硅片研磨装置及其研磨方法，所述硅片研磨装置，包括：若干游星轮、一外齿轮、一太阳轮、两个研磨盘以及驱动装置；太阳轮设置于外齿轮内侧，每个游星轮均设置于太阳轮和外齿轮之间，且每个游星轮既与太阳轮啮合，又与外齿轮啮合；两个研磨盘分别设置于所述太阳轮两侧，并覆盖所有游星轮；两个研磨盘和太阳轮均与驱动装置连接，驱动装置用于驱动两个研磨盘以及太阳轮转动。在本发明提供的硅片研磨装置中，利用两个研磨盘同时对多个硅片进行研磨，提高了研磨的效率，而且设置多个厚度不同的游星轮，从而可根据硅片表面的弯曲程度以及硅片的厚度，对硅片进行至少一次研磨，利用该装置在提高了研磨的效率的同时也保证了研磨质量。
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