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公开(公告)号：CN112683988B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202011581016.8
申请日：2020-12-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01N27/626 , G01N1/44
Abstract: 本发明提供一种晶圆中金属杂质的检测方法，包括：将晶圆进行中温热处理，加热至350℃～550℃温度范围内，保持第一预设时间；将中温热处理后的晶圆降温至低温并进行低温热处理，低温热处理包括：在200℃～300℃温度范围内，保持第二预设时间；将低温热处理后的晶圆降温至室温；将化学气相分解液滴在室温下的晶圆表面收集金属杂质；将包含金属杂质的化学气相分解液雾化后进行电感耦合等离子体质谱光谱分析，计算得到各种金属杂质的含量。本发明采用先中温热处理，不直接降温到室温，而是降温至低温并进行低温热处理的串联热工艺，兼顾了晶圆中不同的金属杂质扩散到晶圆表面并进行检测，耗时减少，提升了效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119915773A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411964495.X
申请日：2024-12-27
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种重掺杂P型硅片BMD的量测方法、获取硅片生长BMD热处理最优条件的方法、系统及计算机可读介质，属于半导体领域。该重掺杂P型硅片BMD的量测方法包括提供若干重掺杂P型硅片，将所述硅片在有氧条件下进行两段热处理，包括于第一设定温度下热处理第一设定时间，并随后以设定的升温速率加热至第二设定温度，于第二设定温度条件下，加热处理第二设定时间，以在所述硅片生长BMD。将生长有BMD的硅片清洗处理。对硅片进行量测，获取所述硅片BMD的密度和大小。本发明通过对硅片能够形成最大BMD密度进行一个相对准确的定量，以评估重掺杂P型硅片的特性，对后道加工工艺具有指导性意义。
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公开(公告)号：CN119086582A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411237891.2
申请日：2024-09-04
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了标准片及其制作方法、半导体材料缺陷校正方法及量测设备的校正方法，属于半导体领域。该半导体材料缺陷校正方法包括提供一标准片，获取每一种尺寸的标准颗粒对应的散射信号强度，以建立散射信号强度与颗粒尺寸的函数关系。获取半导体材料的缺陷颗粒的散射信号强度，基于函数关系，获取缺陷颗粒的修正尺寸。获取半导体材料缺陷颗粒的目标尺寸。本发明通过制作具有标准颗粒的标准片，然后建立散射信号强度与颗粒尺寸的函数关系。最后，通过获取半导体材料缺陷颗粒的散射信号强度，并基于函数关系，以获取缺陷颗粒的修正尺寸。从而能够将目标尺寸与修正尺寸进行对比校正，提高了缺陷检测的准确度。
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公开(公告)号：CN112683988A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011581016.8
申请日：2020-12-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01N27/626 , G01N1/44
Abstract: 本发明提供一种晶圆中金属杂质的检测方法，包括：将晶圆进行中温热处理，加热至350℃～550℃温度范围内，保持第一预设时间；将中温热处理后的晶圆降温至低温并进行低温热处理，低温热处理包括：在200℃～300℃温度范围内，保持第二预设时间；将低温热处理后的晶圆降温至室温；将化学气相分解液滴在室温下的晶圆表面收集金属杂质；将包含金属杂质的化学气相分解液雾化后进行电感耦合等离子体质谱光谱分析，计算得到各种金属杂质的含量。本发明采用先中温热处理，不直接降温到室温，而是降温至低温并进行低温热处理的串联热工艺，兼顾了晶圆中不同的金属杂质扩散到晶圆表面并进行检测，耗时减少，提升了效率。
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公开(公告)号：CN118777698A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410783405.0
申请日：2024-06-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种高阻外延片电阻率的测量方法，针对反型高阻外延层的电阻率的量测，在衬底上形成外延层，外延层与衬底的掺杂类型相反，且外延层的掺杂浓度高于衬底的掺杂浓度，或者外延层的掺杂浓度与衬底的掺杂浓度的差值小于等于一个数量级，以避免衬底内的掺杂离子扩散至外延层内，保证了外延层电阻率测试的准确性。通过先执行特定的预处理，去除所述外延层的表面自然氧化层和颗粒以使外延层的表面洁净，减少电学干扰，满足量测需求；再将所述高阻外延置于四探针机台上采用四探针法对所述外延层进行IV测试，根据四探针的电流源电压以及所述外延层端电流电压特性，准确测量高阻外延的电阻率。
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公开(公告)号：CN112665536A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011611869.1
申请日：2020-12-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01B11/30
Abstract: 本发明提供一种晶圆的边缘粗糙度的测量方法及装置，所述测量方法包括：将光束照射到晶圆的边缘发生散射，所述散射的光线经设置于所述晶圆的上下两侧的反射镜反射后聚集在光电传感器上；所述光电传感器采集到所述晶圆的边缘的散射光信号；对所述散射光信号进行傅立叶变换，获得所述晶圆的边缘粗糙度。本发明的测量方法简洁快速，无需切割样品的额外操作，无毁坏性不影响产量，能测试晶圆整个周圈的边缘粗糙度。
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