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公开(公告)号：CN119086582A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411237891.2
申请日：2024-09-04
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了标准片及其制作方法、半导体材料缺陷校正方法及量测设备的校正方法，属于半导体领域。该半导体材料缺陷校正方法包括提供一标准片，获取每一种尺寸的标准颗粒对应的散射信号强度，以建立散射信号强度与颗粒尺寸的函数关系。获取半导体材料的缺陷颗粒的散射信号强度，基于函数关系，获取缺陷颗粒的修正尺寸。获取半导体材料缺陷颗粒的目标尺寸。本发明通过制作具有标准颗粒的标准片，然后建立散射信号强度与颗粒尺寸的函数关系。最后，通过获取半导体材料缺陷颗粒的散射信号强度，并基于函数关系，以获取缺陷颗粒的修正尺寸。从而能够将目标尺寸与修正尺寸进行对比校正，提高了缺陷检测的准确度。
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公开(公告)号：CN112683988A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011581016.8
申请日：2020-12-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01N27/626 , G01N1/44
Abstract: 本发明提供一种晶圆中金属杂质的检测方法，包括：将晶圆进行中温热处理，加热至350℃～550℃温度范围内，保持第一预设时间；将中温热处理后的晶圆降温至低温并进行低温热处理，低温热处理包括：在200℃～300℃温度范围内，保持第二预设时间；将低温热处理后的晶圆降温至室温；将化学气相分解液滴在室温下的晶圆表面收集金属杂质；将包含金属杂质的化学气相分解液雾化后进行电感耦合等离子体质谱光谱分析，计算得到各种金属杂质的含量。本发明采用先中温热处理，不直接降温到室温，而是降温至低温并进行低温热处理的串联热工艺，兼顾了晶圆中不同的金属杂质扩散到晶圆表面并进行检测，耗时减少，提升了效率。
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公开(公告)号：CN112665536A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011611869.1
申请日：2020-12-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01B11/30
Abstract: 本发明提供一种晶圆的边缘粗糙度的测量方法及装置，所述测量方法包括：将光束照射到晶圆的边缘发生散射，所述散射的光线经设置于所述晶圆的上下两侧的反射镜反射后聚集在光电传感器上；所述光电传感器采集到所述晶圆的边缘的散射光信号；对所述散射光信号进行傅立叶变换，获得所述晶圆的边缘粗糙度。本发明的测量方法简洁快速，无需切割样品的额外操作，无毁坏性不影响产量，能测试晶圆整个周圈的边缘粗糙度。
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公开(公告)号：CN112683988B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202011581016.8
申请日：2020-12-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01N27/626 , G01N1/44
Abstract: 本发明提供一种晶圆中金属杂质的检测方法，包括：将晶圆进行中温热处理，加热至350℃～550℃温度范围内，保持第一预设时间；将中温热处理后的晶圆降温至低温并进行低温热处理，低温热处理包括：在200℃～300℃温度范围内，保持第二预设时间；将低温热处理后的晶圆降温至室温；将化学气相分解液滴在室温下的晶圆表面收集金属杂质；将包含金属杂质的化学气相分解液雾化后进行电感耦合等离子体质谱光谱分析，计算得到各种金属杂质的含量。本发明采用先中温热处理，不直接降温到室温，而是降温至低温并进行低温热处理的串联热工艺，兼顾了晶圆中不同的金属杂质扩散到晶圆表面并进行检测，耗时减少，提升了效率。
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