-
公开(公告)号：CN112665536A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011611869.1
申请日：2020-12-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01B11/30
Abstract: 本发明提供一种晶圆的边缘粗糙度的测量方法及装置，所述测量方法包括：将光束照射到晶圆的边缘发生散射，所述散射的光线经设置于所述晶圆的上下两侧的反射镜反射后聚集在光电传感器上；所述光电传感器采集到所述晶圆的边缘的散射光信号；对所述散射光信号进行傅立叶变换，获得所述晶圆的边缘粗糙度。本发明的测量方法简洁快速，无需切割样品的额外操作，无毁坏性不影响产量，能测试晶圆整个周圈的边缘粗糙度。
-
公开(公告)号：CN110370479A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910636557.7
申请日：2019-07-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶棒切割装置和方法。所述装置包括：晶棒支撑装置，所述晶棒支撑装置用以支撑晶棒；切割线供给装置，所述切割线供给装置包括用以切割所述晶棒形成薄片状晶圆的切割线；以及切割缓冲装置，所述切割缓冲装置设置在所述晶棒的外周面上与所述切割线相对的位置，用以对所述切割线接触所述晶棒时起进行缓冲。根据本发明的晶棒切割装置和方法，通过在切割线供给装置的切割线与晶棒表面之间设置切割缓冲装置，解决了晶棒切割后形成的晶圆因为切割线的抖动和热量突变产生的晶圆翘曲，达到稳定切割的目的。
-
公开(公告)号：CN112683988B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202011581016.8
申请日：2020-12-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01N27/626 , G01N1/44
Abstract: 本发明提供一种晶圆中金属杂质的检测方法，包括：将晶圆进行中温热处理，加热至350℃～550℃温度范围内，保持第一预设时间；将中温热处理后的晶圆降温至低温并进行低温热处理，低温热处理包括：在200℃～300℃温度范围内，保持第二预设时间；将低温热处理后的晶圆降温至室温；将化学气相分解液滴在室温下的晶圆表面收集金属杂质；将包含金属杂质的化学气相分解液雾化后进行电感耦合等离子体质谱光谱分析，计算得到各种金属杂质的含量。本发明采用先中温热处理，不直接降温到室温，而是降温至低温并进行低温热处理的串联热工艺，兼顾了晶圆中不同的金属杂质扩散到晶圆表面并进行检测，耗时减少，提升了效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110154253A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910488829.3
申请日：2019-06-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: B28D5/00
Abstract: 本发明提供一种晶棒翻转小车，包括：车身、晶棒固定机构、换向翻转机构及转动机构，所述晶棒固定机构固定在所述车身的顶部，所述晶棒固定机构与所述换向翻转机构固定连接，所述转动机构与所述换向翻转机构传动连接，通过转动所述转动机构带动所述换向翻转机构翻转固定在所述晶棒固定机构上的晶棒。本发明提供的晶棒翻转小车，操作过程安全简单，翻转过程中晶棒不会直接与地面或其他硬物接触，避免了晶棒因受力不均匀而导致隐裂异常，保证了晶棒的品质，节省了人力，提高了效率。
-
公开(公告)号：CN119086582A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411237891.2
申请日：2024-09-04
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了标准片及其制作方法、半导体材料缺陷校正方法及量测设备的校正方法，属于半导体领域。该半导体材料缺陷校正方法包括提供一标准片，获取每一种尺寸的标准颗粒对应的散射信号强度，以建立散射信号强度与颗粒尺寸的函数关系。获取半导体材料的缺陷颗粒的散射信号强度，基于函数关系，获取缺陷颗粒的修正尺寸。获取半导体材料缺陷颗粒的目标尺寸。本发明通过制作具有标准颗粒的标准片，然后建立散射信号强度与颗粒尺寸的函数关系。最后，通过获取半导体材料缺陷颗粒的散射信号强度，并基于函数关系，以获取缺陷颗粒的修正尺寸。从而能够将目标尺寸与修正尺寸进行对比校正，提高了缺陷检测的准确度。
-
公开(公告)号：CN112683988A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011581016.8
申请日：2020-12-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01N27/626 , G01N1/44
Abstract: 本发明提供一种晶圆中金属杂质的检测方法，包括：将晶圆进行中温热处理，加热至350℃～550℃温度范围内，保持第一预设时间；将中温热处理后的晶圆降温至低温并进行低温热处理，低温热处理包括：在200℃～300℃温度范围内，保持第二预设时间；将低温热处理后的晶圆降温至室温；将化学气相分解液滴在室温下的晶圆表面收集金属杂质；将包含金属杂质的化学气相分解液雾化后进行电感耦合等离子体质谱光谱分析，计算得到各种金属杂质的含量。本发明采用先中温热处理，不直接降温到室温，而是降温至低温并进行低温热处理的串联热工艺，兼顾了晶圆中不同的金属杂质扩散到晶圆表面并进行检测，耗时减少，提升了效率。
-
公开(公告)号：CN213005970U
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202021182861.3
申请日：2020-06-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种晶棒线切割辊及晶棒多线切割装置。所述晶棒线切割辊上设置有多个凹槽，所述多个凹槽沿所述晶棒线切割辊的长度方向均匀间隔分布，所述多个凹槽的底面为圆弧面。本实用新型的晶棒线切割辊经改善的结构设计，在切割辊上设置多个凹槽且凹槽的底面设置为圆弧面，使得切割线能更好地与凹槽相贴合而被稳定地固定于凹槽内，可以有效避免切割过程中切割线的跳动(尤其是极大改善第一刀切割中的质量问题)，可以有效提高切割质量，避免原材料的浪费。采用本实用新型的晶棒多线切割装置，可以有效避免切割过程中切割线的跳动，可以有效提高切割质量，避免原材料的浪费，有助于提高生产效率和降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN209682653U
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201821631102.3
申请日：2018-10-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种树脂垫板及半导体晶体切割机，所述树脂垫板用于半导体晶体切割机上，树脂垫板的一表面沿其长度方向开设有一圆弧形凹面，树脂垫板的宽度范围为130mm～145mm，且圆弧形凹面沿垂直于树脂垫板的长度方向的截面圆弧的圆心角为48°-58°。通过增大圆弧形凹面的截面圆弧的圆心角，增加了半导体晶体与树脂垫板的接触面积，在切割过程中树脂垫板对半导体晶体的支撑和包裹更好，减少了半导体晶体的震动和位移，从而保证了切割出的半导体晶片的表面的平整度，同时降低了涨砂导致的半导体晶体发生断片和掉片现象，提高了生产良率。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.025 seconds)
