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发明公开
一种晶圆的边缘粗糙度的测量方法及装置无效

公开(公告)号：CN112665536A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011611869.1

申请日：2020-12-30

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 闻澜霖 , 冯天 , 孙超 , 王若川 , 周珍

IPC: G01B11/30

Abstract: 本发明提供一种晶圆的边缘粗糙度的测量方法及装置，所述测量方法包括：将光束照射到晶圆的边缘发生散射，所述散射的光线经设置于所述晶圆的上下两侧的反射镜反射后聚集在光电传感器上；所述光电传感器采集到所述晶圆的边缘的散射光信号；对所述散射光信号进行傅立叶变换，获得所述晶圆的边缘粗糙度。本发明的测量方法简洁快速，无需切割样品的额外操作，无毁坏性不影响产量，能测试晶圆整个周圈的边缘粗糙度。

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