公开(公告)号：CN118777698A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410783405.0

申请日：2024-06-17

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 章玲然 ,  冯天 ,  林明献

IPC: G01R27/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种高阻外延片电阻率的测量方法，针对反型高阻外延层的电阻率的量测，在衬底上形成外延层，外延层与衬底的掺杂类型相反，且外延层的掺杂浓度高于衬底的掺杂浓度，或者外延层的掺杂浓度与衬底的掺杂浓度的差值小于等于一个数量级，以避免衬底内的掺杂离子扩散至外延层内，保证了外延层电阻率测试的准确性。通过先执行特定的预处理，去除所述外延层的表面自然氧化层和颗粒以使外延层的表面洁净，减少电学干扰，满足量测需求；再将所述高阻外延置于四探针机台上采用四探针法对所述外延层进行IV测试，根据四探针的电流源电压以及所述外延层端电流电压特性，准确测量高阻外延的电阻率。

公开(公告)号：CN119086582A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411237891.2

申请日：2024-09-04

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 闻澜霖 ,  冯天 ,  周珍 ,  章玲然

IPC: G01N21/93 ,  G01N21/95

Abstract: 本发明提供了标准片及其制作方法、半导体材料缺陷校正方法及量测设备的校正方法，属于半导体领域。该半导体材料缺陷校正方法包括提供一标准片，获取每一种尺寸的标准颗粒对应的散射信号强度，以建立散射信号强度与颗粒尺寸的函数关系。获取半导体材料的缺陷颗粒的散射信号强度，基于函数关系，获取缺陷颗粒的修正尺寸。获取半导体材料缺陷颗粒的目标尺寸。本发明通过制作具有标准颗粒的标准片，然后建立散射信号强度与颗粒尺寸的函数关系。最后，通过获取半导体材料缺陷颗粒的散射信号强度，并基于函数关系，以获取缺陷颗粒的修正尺寸。从而能够将目标尺寸与修正尺寸进行对比校正，提高了缺陷检测的准确度。