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发明公开
重掺杂P型硅片BMD的量测方法、获取硅片生长BMD热处理最优条件的方法、系统及计算机可读介质审中-实审

公开(公告)号：CN119915773A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411964495.X

申请日：2024-12-27

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 刘鹏飞 , 郭俊 , 陈微微 , 冯天

IPC: G01N21/47 , H01L21/66

Abstract: 本发明提供了一种重掺杂P型硅片BMD的量测方法、获取硅片生长BMD热处理最优条件的方法、系统及计算机可读介质，属于半导体领域。该重掺杂P型硅片BMD的量测方法包括提供若干重掺杂P型硅片，将所述硅片在有氧条件下进行两段热处理，包括于第一设定温度下热处理第一设定时间，并随后以设定的升温速率加热至第二设定温度，于第二设定温度条件下，加热处理第二设定时间，以在所述硅片生长BMD。将生长有BMD的硅片清洗处理。对硅片进行量测，获取所述硅片BMD的密度和大小。本发明通过对硅片能够形成最大BMD密度进行一个相对准确的定量，以评估重掺杂P型硅片的特性，对后道加工工艺具有指导性意义。

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