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公开(公告)号：CN118706530A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410775733.6
申请日：2024-06-14
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01N1/22 , G01N15/04 , G01N1/32 , G01N1/34 , G01N27/626
Abstract: 一种检测环境中金属含量的方法，包括：提供采样晶圆；将所述采样晶圆放置在环境中的第一区域进行静置，以使所述环境中的金属杂质沉积在所述采样晶圆的表面；回收所述采样晶圆表面的金属杂质；对回收的所述金属杂质进行检测，以确定所述环境中的第一区域的金属杂质的含量。本申请实现了对环境中金属杂质的检测，能够准确地反映出环境中金属杂质的含量，为晶圆的生产制造流程提供精确的数据支持，以便于更好地控制晶圆表面的金属杂质。
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公开(公告)号：CN112802767B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202011538953.5
申请日：2020-12-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种测量晶圆表面金属含量的方法。所述方法包括步骤S1：获取待检测的N个晶圆，其中N≥2；步骤S2：对所述N个晶圆中的每一个进行相同的VPD液滴扫测量步骤共进行N次所述VPD液滴扫测量步骤，获得体积为V的VPD测试液；步骤S3：检测所述体积为V的VPD测试液中的金属含量W，根据所述VPD测试液中的金属含量W获得所述N个晶圆中的每一个的表面的金属含量X。根据本发明的测量晶圆表面金属含量的方法，可以准确量测晶圆表面的金属含量，避免晶圆表面金属浓度较低使稀释后的VPD测试液低于ICP‑MS设备的测试极限导致测量不准确的问题；经过稀释过程导致在ICP‑MS设备中进行测量的液体中的金属浓度更低进而降低ICP‑MS设备对低浓度晶圆的检测能力的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119915773A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411964495.X
申请日：2024-12-27
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种重掺杂P型硅片BMD的量测方法、获取硅片生长BMD热处理最优条件的方法、系统及计算机可读介质，属于半导体领域。该重掺杂P型硅片BMD的量测方法包括提供若干重掺杂P型硅片，将所述硅片在有氧条件下进行两段热处理，包括于第一设定温度下热处理第一设定时间，并随后以设定的升温速率加热至第二设定温度，于第二设定温度条件下，加热处理第二设定时间，以在所述硅片生长BMD。将生长有BMD的硅片清洗处理。对硅片进行量测，获取所述硅片BMD的密度和大小。本发明通过对硅片能够形成最大BMD密度进行一个相对准确的定量，以评估重掺杂P型硅片的特性，对后道加工工艺具有指导性意义。
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公开(公告)号：CN116840338A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310664631.2
申请日：2023-06-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01N27/626 , G01N1/44
Abstract: 本发明公开了一种测量晶圆表面金属含量的方法，包括：获取待检测的晶圆，所述晶圆的表面包括N个分区，其中N为自然数且N≥2；对所述晶圆进行加热处理，以使所述晶圆内部的金属离子扩散至所述晶圆的表面；对所述N个分区中的每一个分别进行VPD溶液扫描测量步骤，以获得所述N个分区中的每一个的表面金属含量。根据本发明提供的测量晶圆表面金属含量的方法，首先对晶圆进行加热处理，使晶圆内部的金属离子扩散至晶圆的表面，然后分别测量晶圆表面的多个分区中的每一个的表面金属含量，从而更准确地识别金属污染以及金属污染的位置，保证半导体器件的良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN112802767A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011538953.5
申请日：2020-12-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种测量晶圆表面金属含量的方法。所述方法包括步骤S1：获取待检测的N个晶圆，其中N≥2；步骤S2：对所述N个晶圆中的每一个进行相同的VPD液滴扫测量步骤共进行N次所述VPD液滴扫测量步骤，获得体积为V的VPD测试液；步骤S3：检测所述体积为V的VPD测试液中的金属含量W，根据所述VPD测试液中的金属含量W获得所述N个晶圆中的每一个的表面的金属含量X。根据本发明的测量晶圆表面金属含量的方法，可以准确量测晶圆表面的金属含量，避免晶圆表面金属浓度较低使稀释后的VPD测试液低于ICP‑MS设备的测试极限导致测量不准确的问题；经过稀释过程导致在ICP‑MS设备中进行测量的液体中的金属浓度更低进而降低ICP‑MS设备对低浓度晶圆的检测能力的问题。
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公开(公告)号：CN116859073A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310807825.3
申请日：2023-07-03
Applicant: 北京莱伯泰科仪器股份有限公司 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于半导体痕量元素开关盖进样分析的复合垂向臂结构，具有电动升降组件、电动转动组件、开关盖组件以及取样组件，所述电动升降组件能够驱动所述电动转动组件进行升降动作，所述开关盖组件以及取样组件安装在所述电动转动组件上，并能够被所述电动转动组件驱动同步旋转。本发明通过将开关盖组件与取样组件整合到同一个复合垂向臂结构上，具有简单、高效、速度快的优点。
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公开(公告)号：CN220323342U
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202321726741.9
申请日：2023-07-03
Applicant: 北京莱伯泰科仪器股份有限公司 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种用于半导体痕量元素开关盖进样分析的复合垂向臂结构，具有电动升降组件、电动转动组件、开关盖组件以及取样组件，所述电动升降组件能够驱动所述电动转动组件进行升降动作，所述开关盖组件以及取样组件安装在所述电动转动组件上，并能够被所述电动转动组件驱动同步旋转。本实用新型通过将开关盖组件与取样组件整合到同一个复合垂向臂结构上，具有简单、高效、速度快的优点。
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