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公开(公告)号：CN117213344A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311288024.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 翁海统
IPC: G01B5/24
Abstract: 一种晶棒缺口的角度测量装置，包括：基座、角度尺、指示件和至少一个定位件；其中，角度尺设置于基座上；指示件以角度尺的圆心作为旋转中心与基座枢接；定位件设置于指示件上；定位件用于对晶棒进行缺口定位，指示件用于在定位件实现缺口定位时在角度尺上指示缺口的旋转角度。本申请可以准确地对晶棒缺口旋转角度进行测量确认，避免晶棒缺口旋转角度错误或者出现偏差，降低产品报废率。
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公开(公告)号：CN118682597B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411186634.0
申请日：2024-08-27
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶科半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种研磨载具及研磨设备、研磨方法，研磨载具包括第一载体和第二载体；第一载体上有第一容置槽；多个第二载体可拆卸地设置在第一容置槽内，并绕第一容置槽的轴线等间距布置，第二载体上有第二容置槽，第二容置槽容置目标物。研磨载具应用于研磨设备，研磨设备包括基体，基体上设有研磨区域；多个研磨载具绕研磨区域的轴线等间距地布置，研磨载具能绕研磨区域的轴线公转。使用时，根据待研磨的目标物的数量调整研磨载具的第二载体的数量，从而调整研磨设备一次性容置的目标物的数量，提高研磨设备一次性可容置的硅片的数量与待研磨目标物的数量的适应性，降低偏盘问题对研磨质量的不利影响。
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公开(公告)号：CN118559598A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410607235.0
申请日：2024-05-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: B24B37/04
Abstract: 本发明提供一种切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法，包括：收集基于同一目标切割厚度生产得到的多个晶片作为样本晶片，以计算切割后晶片表面需要被移除的总厚度值X1及计算研磨后晶片的厚度波动值X2；以及根据计算的所述总厚度值X1及所述厚度波动值X2之和计算实际研磨时晶片厚度的总移除量X。即，本发明直接通过公式计算获得切割后晶片在研磨时需要的具体厚度移除量，节省了验证成本，也减少了人力、物力的消耗。
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公开(公告)号：CN118682597A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411186634.0
申请日：2024-08-27
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶科半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种研磨载具及研磨设备、研磨方法，研磨载具包括第一载体和第二载体；第一载体上有第一容置槽；多个第二载体可拆卸地设置在第一容置槽内，并绕第一容置槽的轴线等间距布置，第二载体上有第二容置槽，第二容置槽容置目标物。研磨载具应用于研磨设备，研磨设备包括基体，基体上设有研磨区域；多个研磨载具绕研磨区域的轴线等间距地布置，研磨载具能绕研磨区域的轴线公转。使用时，根据待研磨的目标物的数量调整研磨载具的第二载体的数量，从而调整研磨设备一次性容置的目标物的数量，提高研磨设备一次性可容置的硅片的数量与待研磨目标物的数量的适应性，降低偏盘问题对研磨质量的不利影响。
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