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公开(公告)号：CN117385474A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311322780.7
申请日：2023-10-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供硅晶体、硅晶体缺陷的处理方法及缺陷的表征方法，硅晶体缺陷的处理方法，包括：提供一硅晶体，所述硅晶体内包含自间隙型缺陷；对所述硅晶体执行快速热处理工艺，以至少消除距离所述硅晶体的表面预设距离内的自间隙型缺陷。通过对硅晶体执行快速热处理工艺，能够快速、有效减少乃至完全消除硅晶体中自间隙型缺陷。
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公开(公告)号：CN117364248A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311322943.1
申请日：2023-10-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明提供一种消除硅晶体中自间隙缺陷的方法及自间隙缺陷表征方法，通过长时间退火工艺，有效地减少乃至消除了硅晶体中自间隙缺陷。其中，退火工艺的时间为30min至1200min且退火工艺的温度为1000℃至1250℃。进一步的，由于长时间退火且退火温度较低，因此，所述退火工艺的气氛设置为纯氮气，氮气越多，硅片中注入的空位越多，而空位在高温下可以与自间隙缺陷结合从而消除自间隙型缺陷，因此，采用长时间退火工艺消除硅晶体中自间隙缺陷的方法中，退火工艺的气氛为纯氮气。
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公开(公告)号：CN117393588A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311324353.2
申请日：2023-10-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/30 , C30B29/06 , C30B33/02 , C30B33/00 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆及其形成方法，单晶硅晶圆包括上表面以及距离上表面预定距离内的第一区域，所述第一区域内无自间隙型缺陷。采用无自间隙型缺陷的单晶硅晶圆制作的半导体器件，降低了器件漏电流以及提高击穿电压，提高了半导体器件的性能。进一步的，单晶硅晶圆的形成方法通过热处理工艺消除单晶硅晶圆汇总的自间隙型缺陷，热处理工艺包括快速热处理工艺和/或长时间热处理工艺。也即通过热处理工艺能够获得一种无自间隙型缺陷的单晶硅晶圆，提高了半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN119082865A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410834345.0
申请日：2024-06-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供硅片及硅片的形成方法，硅片用于半导体器件大规模集成电路和/或同质及异质半导体材料外延生长，通过在硅片的边缘区域形成一BMD圈，BMD圈位于滑移缺陷内侧，BMD圈能够有效地钉扎滑移缺陷的移动，从而阻挡硅片边缘的滑移缺陷的沿硅片边缘至硅片中心的方向传播。BMD对滑移缺陷的钉扎效果与BMD密度及大小有关，进一步的，BMD的密度大于E+8ea/cm3，BMD中的氧沉淀的直径为20nm至200nm时，滑移缺陷被高密度BMD阻挡，减弱甚至完全没有侵入硅片内部。
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