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公开(公告)号：CN114334792B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202111274089.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/324 , H10D86/00
Abstract: 本发明提供了一种SOI结构的半导体硅晶圆及其制备方法，属于半导体制造领域，具体包括步骤一，将半导体硅晶圆置于第一垂直炉管进行长时间热处理；步骤二，将长时间热处理后的所述半导体硅晶圆放入第二垂直炉管中，进行氧化减薄处理；步骤三，对氧化减薄后的所述半导体硅晶圆进行快速热退火处理，其中，在长时间热处理中，先将所述半导体硅晶圆置于纯氩气氛中进行保护，而后在1‑n％氩气+n％氢气的混合气氛升温至目标温度再进行退火阶段，退火阶段，气氛为1‑n％氩气+n％氢气的混合气氛或者纯氩气，n为不大于10的数值。通过本申请的处理方案，使半导体硅晶圆表面粗糙度小于5埃，且边缘无滑移线。
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公开(公告)号：CN113125854B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110376796.0
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅片导电类型的判定方法，包括：提供待测硅片，对所述待测硅片进行刻蚀处理；在所述刻蚀处理前后分别对所述待测硅片进行第一次电阻率测试和第二次电阻率测试，得到相应的第一电阻率和第二电阻率，通过对比所述第一电阻率和所述第二电阻率判断所述待测硅片的导电类型；或者，在所述刻蚀处理后测量所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况，根据所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况判断所述待测硅片的导电类型。本发明用于判断具有高电阻率的硅片的导电类型，且测试结果不受硅片的表面电荷的影响，操作简单，对设备的要求低，成本低廉。
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公开(公告)号：CN113655094B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202110902930.6
申请日：2021-08-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种确定硅片导电类型的方法。所述方法包括：测量所述硅片的电阻率，以得到第一电阻率；将所述硅片在空气中放置预设时间；放置预设时间之后再次测量所述硅片的电阻率，以得到第二电阻率；通过比较所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述硅片的导电类‑cm型。所述方法对于高电阻率(高于500ohm )可以快速准确的判断硅片导电类型，测试结果准确，操作简单，对设备要求低，成本低。
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公开(公告)号：CN117385474A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311322780.7
申请日：2023-10-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供硅晶体、硅晶体缺陷的处理方法及缺陷的表征方法，硅晶体缺陷的处理方法，包括：提供一硅晶体，所述硅晶体内包含自间隙型缺陷；对所述硅晶体执行快速热处理工艺，以至少消除距离所述硅晶体的表面预设距离内的自间隙型缺陷。通过对硅晶体执行快速热处理工艺，能够快速、有效减少乃至完全消除硅晶体中自间隙型缺陷。
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公开(公告)号：CN117364248A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311322943.1
申请日：2023-10-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明提供一种消除硅晶体中自间隙缺陷的方法及自间隙缺陷表征方法，通过长时间退火工艺，有效地减少乃至消除了硅晶体中自间隙缺陷。其中，退火工艺的时间为30min至1200min且退火工艺的温度为1000℃至1250℃。进一步的，由于长时间退火且退火温度较低，因此，所述退火工艺的气氛设置为纯氮气，氮气越多，硅片中注入的空位越多，而空位在高温下可以与自间隙缺陷结合从而消除自间隙型缺陷，因此，采用长时间退火工艺消除硅晶体中自间隙缺陷的方法中，退火工艺的气氛为纯氮气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113281304B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202110356915.6
申请日：2021-04-01
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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公开(公告)号：CN116613054A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310572297.8
申请日：2023-05-19
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种富陷阱绝缘体上硅结构及其制备方法，其中富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法包括以下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底具有正面，通过沉积工艺在所述正面形成钉扎层；以及通过干法刻蚀工艺均匀化处理所述钉扎层的表面，以调整所述钉扎层的厚度均匀性，使得沉积获得的多晶硅薄膜的厚度均匀性达到一个良好的状态。
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公开(公告)号：CN115513123A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211374642.9
申请日：2022-11-04
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12 , H01L21/3105
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上硅结构及其形成方法，绝缘体上硅结构的形成方法，通过活化处理增加键合工艺时的常温键合强度，降低了后续加固工艺所需的温度，从而降低了所述腐蚀停止层中的异质组分热扩散，保证了所述腐蚀停止层与器件层之间的界面清晰，进而避免了所述器件层在后续去除腐蚀停止层之后所述器件层的厚度均匀性恶化；还通过两次选择性腐蚀工艺控制腐蚀后器件层的均匀性，使得最终得到的绝缘体上硅结构的器件层的厚度均匀性小于10％；还通过牺牲氧化层的形成和去除使得器件层的表面没有高频腐蚀起伏的多孔形貌存在。
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公开(公告)号：CN115050690A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210542017.4
申请日：2022-05-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/78 , H01L27/12
Abstract: 本申请公开了一种绝缘体上硅及其制备方法和半导体器件，所述方法包括以下步骤，提供外延衬底，在所述外延衬底上外延一器件层；提供支撑衬底，至少在所述支撑衬底和所述器件层之一的表面形成一绝缘层；注入离子，以在所述外延衬底中靠近所述器件层的位置形成一脆化层；将所述支撑衬底与所述器件层以所述绝缘层为界面进行键合；进行热处理，将所述外延衬底沿所述脆化层区域进行剥离，得到绝缘体上硅多层结构；使用腐蚀液对所述多层结构进行腐蚀，移除来自所述外延衬底的剩余部分，得到绝缘体上硅。本申请具有生产成本低、提高生产效率的效果。
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公开(公告)号：CN114050123A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111271381.3
申请日：2021-10-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种SOI晶圆及其最终处理方法，其对第一晶圆进行快速热退火得到第二晶圆；其中第一升温过程在氩气和氢气混合气氛中进行，且氢气的体积比例小于10％；第一退火过程在氩气和可任选的氢气气氛中进行，且可任选的氢气体积比例不大于10％；对第二晶圆进行长时间热退火，得到SOI晶圆成品；长时间热退火包括第二升温过程和第二退火过程，第二升温过程在氩气和氢气混合气氛中进行，且氢气的体积比例小于10％；第二退火过程在氩气和可任选的氢气气氛中进行，且氢气体积比例不大于10％。本发明还提供一种SOI晶圆，所述SOI晶圆的顶层硅表面粗糙度小于4埃，厚度均匀性在±1％以内，SPx检测阈值为37nm时的颗粒总数小于100个。本发明的处理方法最终得到具有更优异表面的SOI晶圆，为后摩尔时代硅基器件提供可行的衬底材料支持。
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