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公开(公告)号：CN116145238A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211734788.X
申请日：2022-12-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种晶体生长方法、装置及RF‑SOI基材，应用于晶体生长技术领域，其中晶体生长方法包括：控制第一超导线圈产生第一电流，以及控制第二超导线圈产生第二电流，其中第一电流的数值与第二电流的数值不相等，第一超导线圈和第二超导线圈为相对设置地分布于坩埚外且用于在坩埚内部产生磁场的超导线圈；基于所述第一电流和所述第二电流在所述坩埚内产生的非对称磁场进行单晶直拉生长。通过调整线圈电流比为1:n来获得非对称水平磁场，进而可以通过采用非对称水平磁场来抑制熔体流动，进而基于非对称水平磁场对熔体不同抑制作用可获得非对称对流结构，能够显著降低直拉法单晶硅晶体中的氧含量。
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公开(公告)号：CN113125854B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110376796.0
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅片导电类型的判定方法，包括：提供待测硅片，对所述待测硅片进行刻蚀处理；在所述刻蚀处理前后分别对所述待测硅片进行第一次电阻率测试和第二次电阻率测试，得到相应的第一电阻率和第二电阻率，通过对比所述第一电阻率和所述第二电阻率判断所述待测硅片的导电类型；或者，在所述刻蚀处理后测量所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况，根据所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况判断所述待测硅片的导电类型。本发明用于判断具有高电阻率的硅片的导电类型，且测试结果不受硅片的表面电荷的影响，操作简单，对设备的要求低，成本低廉。
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公开(公告)号：CN116825472A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310769799.X
申请日：2023-06-27
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种磁控装置，包括：线圈组件；线圈组件用于套设于单晶硅设备外侧，线圈组件沿单晶硅设备的轴向可移动；线圈组件包括多个主线圈，多个主线圈沿单晶硅设备的周向排布，其中，主线圈产生的磁场沿单晶硅设备径向分量强度大于其沿单晶硅设备的轴向分量强度。如此配置，主线圈产生的磁场沿单晶硅设备的径向分量强度大于其沿单晶硅设备的轴向分量强度，使得磁场的径向分量强度得以提升，能够有效抑制熔体边缘自然对流，并灵活控制晶体中的氧、碳等杂质含量和径向均匀性；此外，线圈组件沿单晶硅设备的轴向可移动，进一步提升了磁控装置的实用性和灵活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113109625A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110374102.X
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅片导电类型的判定方法，包括：提供待测硅片，对所述待测硅片进行第一次电阻率测试，得到第一电阻率；对所述待测硅片进行热处理；对所述待测硅片进行第二次电阻率测试，得到第二电阻率；以及，对比所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述待测硅片的导电类型。本发明用于判断具有高电阻率的硅片的导电类型，且测试结果不受硅片的表面电荷的影响，操作简单，对设备的要求低，成本低廉。
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公开(公告)号：CN113282878A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110390415.4
申请日：2021-04-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种确定单晶炉引晶温度的方法及直拉法制备单晶硅的方法。所述方法包括：引晶前测量所述单晶炉内用于引晶的熔体的温度，并得到温度‑时间曲线；对所述温度‑时间曲线进行傅里叶分析，得到频率‑振幅曲线；根据所述温度‑时间曲线判断熔体温度无剧烈变化之后，再以引晶温度稳定的频率‑振幅曲线作为标准参考曲线，将得到的所述频率‑振幅曲线与标准参考曲线进行比较，以判断引晶温度是否稳定。本申请所述方法通过傅里叶分析辅助及时间‑温度曲线，提高了引晶温度稳定性判断的准确率，降低了因误判引晶温度而导致的断线率。
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公开(公告)号：CN113125854A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110376796.0
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅片导电类型的判定方法，包括：提供待测硅片，对所述待测硅片进行刻蚀处理；在所述刻蚀处理前后分别对所述待测硅片进行第一次电阻率测试和第二次电阻率测试，得到相应的第一电阻率和第二电阻率，通过对比所述第一电阻率和所述第二电阻率判断所述待测硅片的导电类型；或者，在所述刻蚀处理后测量所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况，根据所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况判断所述待测硅片的导电类型。本发明用于判断具有高电阻率的硅片的导电类型，且测试结果不受硅片的表面电荷的影响，操作简单，对设备的要求低，成本低廉。
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公开(公告)号：CN113282878B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202110390415.4
申请日：2021-04-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种确定单晶炉引晶温度的方法及直拉法制备单晶硅的方法。所述方法包括：引晶前测量所述单晶炉内用于引晶的熔体的温度，并得到温度‑时间曲线；对所述温度‑时间曲线进行傅里叶分析，得到频率‑振幅曲线；根据所述温度‑时间曲线判断熔体温度无剧烈变化之后，再以引晶温度稳定的频率‑振幅曲线作为标准参考曲线，将得到的所述频率‑振幅曲线与标准参考曲线进行比较，以判断引晶温度是否稳定。本申请所述方法通过傅里叶分析辅助及时间‑温度曲线，提高了引晶温度稳定性判断的准确率，降低了因误判引晶温度而导致的断线率。
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公开(公告)号：CN113161229A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110389647.8
申请日：2021-04-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供了一种多晶硅薄膜衬底的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成氧化硅层；对所述氧化硅层的表面进行氮化处理，以得到氮氧硅层；在所述氮氧硅层上形成多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜进行退火处理。形成的氮氧硅层可以减少多晶硅薄膜内应力释放，改善晶粒质量，从而改善多晶硅薄膜对外的应力，也就是说可以改善多晶硅薄膜对衬底的应力，并且，退火工艺还可以继续减小多晶硅薄膜对衬底的应力。多晶硅薄膜对衬底的应力减小，就可以使得衬底的翘曲度降低。
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