公开(公告)号：CN116825472A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310769799.X

申请日：2023-06-27

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈松松 ,  魏星 ,  刘文凯

IPC: H01F7/06 ,  C30B15/20 ,  H01F27/28 ,  H01F6/06

Abstract: 本发明提供一种磁控装置，包括：线圈组件；线圈组件用于套设于单晶硅设备外侧，线圈组件沿单晶硅设备的轴向可移动；线圈组件包括多个主线圈，多个主线圈沿单晶硅设备的周向排布，其中，主线圈产生的磁场沿单晶硅设备径向分量强度大于其沿单晶硅设备的轴向分量强度。如此配置，主线圈产生的磁场沿单晶硅设备的径向分量强度大于其沿单晶硅设备的轴向分量强度，使得磁场的径向分量强度得以提升，能够有效抑制熔体边缘自然对流，并灵活控制晶体中的氧、碳等杂质含量和径向均匀性；此外，线圈组件沿单晶硅设备的轴向可移动，进一步提升了磁控装置的实用性和灵活性。

公开(公告)号：CN114592238A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202011401119.1

申请日：2020-12-02

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈松松 ,  张楠 ,  薛忠营 ,  魏星

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/14

Abstract: 本发明提供一种带移动保温的单晶生长设备及方法。设备包括炉体、坩埚、侧加热器、底加热器、导流筒、水冷套、坩埚支撑装置、侧保温层、底保温层及保温层移动装置；侧加热器位于坩埚的周向外侧，底加热器位于坩埚的底部，导流筒自坩埚的外侧延伸到硅料的上方；水冷套延伸到炉体内部；坩埚支撑装置与坩埚的底部相连接；侧保温层位于侧加热器及炉体的内壁之间，底保温层位于底加热器的下部；保温层移动装置与底保温层和/或侧保温层相连接，在单晶生长的不同阶段，通过改变所述底保温层与所述侧保温层之间的相对位置改变热场下部温度。本发明有助于控制晶棒内氧杂质含量以提高晶棒生长质量，且有助于缩减热场冷却时间以增加单晶生产产能。