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公开(公告)号：CN112599470B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202011445232.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供的一种绝缘体上硅结构的方法包括以下步骤：提供一键合结构，键合结构包括第一衬底、第二衬底和绝缘埋层，绝缘埋层位于第一衬底和第二衬底之间；从键合结构上剥离去除部分厚度的第一衬底，以得到第一薄膜；在第一温度下第一次刻蚀第一薄膜，以去除第一厚度的第一薄膜；在第二温度下第二次刻蚀第一薄膜，以平坦化处理第一薄膜，并去除第二厚度的第一薄膜，第一温度小于第二温度，第一厚度大于第二厚度，第一厚度和第二厚度为第一薄膜的总刻蚀厚度。本发明通过先在第一温度下刻蚀减薄第一薄膜，再在第二温度下平坦化处理所述第一薄膜，同时达到第一薄膜的目标厚度，使得在平坦化处理顶层硅的同时还可以提高顶层硅厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN113281304A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110356915.6
申请日：2021-04-01
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种退火炉降温速率校准的方法，所述方法包括：在所述第一退火炉中对多个第一晶圆进行加热；将多个所述第一晶圆在所述第一退火炉中在不同的降温时间内分别降温至预设温度；测量多个第一晶圆的表面参数；建立表面参数和所述降温时间的第一对应关系；在第二退火炉中对多个第二晶圆进行加热和降温，以建立表面参数和降温时间的第二对应关系，其中第二晶圆的加热和降温的条件与所述第一晶圆的加热和降温条件相同；以所述第一对应关系为参照，调节所述第二退火炉中的降温速率，以将所述第一对应关系和所述第二对应关系中相同降温时间下的表面参数校准到同一水平。通过所述方法在高温退火过程中发现降温速率的差异，并实现降温速率的校准。
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公开(公告)号：CN113109625A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110374102.X
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅片导电类型的判定方法，包括：提供待测硅片，对所述待测硅片进行第一次电阻率测试，得到第一电阻率；对所述待测硅片进行热处理；对所述待测硅片进行第二次电阻率测试，得到第二电阻率；以及，对比所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述待测硅片的导电类型。本发明用于判断具有高电阻率的硅片的导电类型，且测试结果不受硅片的表面电荷的影响，操作简单，对设备的要求低，成本低廉。
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公开(公告)号：CN112582332A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011443228.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/324 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供的一种绝缘体上硅结构及其方法，所述绝缘体上硅结构的方法包括以下步骤：提供一键合结构，所述键合结构包括第一衬底、第二衬底和绝缘埋层，所述绝缘埋层位于所述第一衬底和第二衬底之间；从所述键合结构上剥离去除部分厚度的所述第一衬底，以得到绝缘体上硅结构；通过恒温退火工艺平坦化处理所述绝缘体上硅结构，所述恒温退火工艺的压强低于常压。本发明通过恒温退火工艺平坦化处理所述绝缘体上硅结构，所述恒温退火工艺的压强低于常压，可以有效减少滑移线的数量，同时不会影响顶层硅的平坦化效果。
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公开(公告)号：CN111893558A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010625055.7
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片，包括第一折射层和第二折射层，所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同，所述第一折射层和所述第二折射层相互交替形成层叠结构，所述第一折射层和与之相邻设置的第二折射层相贴合；在此基础上，本发明还提供一种单晶硅生长炉，所述薄膜隔热片设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上；本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片，在热辐射波长范围内具有良好的反射性能，当将其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时，能够提高热屏对热能的反射能力，降低熔融的硅熔体热量的耗散，提高热能利用率；并且有利于热场的保温性能，从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111763985A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010621640.X
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于单晶生产炉的热屏结构，所述热屏结构用于设在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏结构包括外壳和隔热板，所述隔热板设于所述外壳的内部，所述外壳底部外表面用于朝向所述熔体坩埚内部，所述隔热板所在平面与所述外壳底部所在平面形成的夹角为锐角且所述夹角朝向所述单晶硅的外表面。本发明的目的是提供一种用于单晶生产炉的热屏结构及单晶生产炉，结构简单，通过改变热屏设计，增设隔热板将吸热板吸收到的热量传递给单晶硅，在热屏中形成热通道，实现对单晶硅的径向温度梯度进行优化，从而实现拉速的控制，进而提高单晶硅径向的质量均匀性。
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公开(公告)号：CN113109363B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110260251.3
申请日：2021-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种表征硅晶体中缺陷的方法，所述方法包括：对硅晶体的表面进行蚀刻，以去除目标厚度的硅晶体；对蚀刻后的所述硅晶体的水平表面进行光散射扫描，以得到所述水平表面的光散射颗粒扫描图、缺陷的光散射等效尺寸以及缺陷体密度；根据所述水平表面的光散射颗粒扫描图、所述光散射等效尺寸和所述缺陷体密度中的至少一种确定硅晶体中存在的缺陷的类型和/或每种缺陷在水平面上存在的缺陷区间。所述方法可以减少缺陷表征周期、减少表征成本、同时表征多种缺陷(空洞，氧沉淀，位错)，还可以提高表征精度，能够实现缺陷类型与缺陷区间的区分，具有高可靠性，适用所有晶体缺陷类别，操作简便，为一种环境友好型的原生缺陷检测手段。
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公开(公告)号：CN113655094A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110902930.6
申请日：2021-08-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种确定硅片导电类型的方法。所述方法包括：测量所述硅片的电阻率，以得到第一电阻率；将所述硅片在空气中放置预设时间；放置预设时间之后再次测量所述硅片的电阻率，以得到第二电阻率；通过比较所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述硅片的导电类型。所述方法对于高电阻率(高于500ohm‑cm)可以快速准确的判断硅片导电类型，测试结果准确，操作简单，对设备要求低，成本低。
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公开(公告)号：CN113282878A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110390415.4
申请日：2021-04-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种确定单晶炉引晶温度的方法及直拉法制备单晶硅的方法。所述方法包括：引晶前测量所述单晶炉内用于引晶的熔体的温度，并得到温度‑时间曲线；对所述温度‑时间曲线进行傅里叶分析，得到频率‑振幅曲线；根据所述温度‑时间曲线判断熔体温度无剧烈变化之后，再以引晶温度稳定的频率‑振幅曲线作为标准参考曲线，将得到的所述频率‑振幅曲线与标准参考曲线进行比较，以判断引晶温度是否稳定。本申请所述方法通过傅里叶分析辅助及时间‑温度曲线，提高了引晶温度稳定性判断的准确率，降低了因误判引晶温度而导致的断线率。
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公开(公告)号：CN113125854A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110376796.0
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅片导电类型的判定方法，包括：提供待测硅片，对所述待测硅片进行刻蚀处理；在所述刻蚀处理前后分别对所述待测硅片进行第一次电阻率测试和第二次电阻率测试，得到相应的第一电阻率和第二电阻率，通过对比所述第一电阻率和所述第二电阻率判断所述待测硅片的导电类型；或者，在所述刻蚀处理后测量所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况，根据所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况判断所述待测硅片的导电类型。本发明用于判断具有高电阻率的硅片的导电类型，且测试结果不受硅片的表面电荷的影响，操作简单，对设备的要求低，成本低廉。
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