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公开(公告)号：CN112095153B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910527014.1
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；水平磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平磁场；以及导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒的所述硅熔体上方；其中，所述导流筒底部在不同的位置处具有不同的热反射系数，其中在所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数小于垂直于所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数。根据本发明，改善了硅熔体内温度分布均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN112553683A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011209784.0
申请日：2020-11-03
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶体生长的化料方法，包括：第一加热阶段，加热器以第一功率加热原料，并持续第一加热时间；第二加热阶段，所述加热器以第二功率继续加热所述原料，并持续第二加热时间，其中，所述第二功率低于所述第一功率；第三加热阶段，所述加热器以第三功率继续加热所述原料，并持续第三加热时间。根据本发明提供的用于晶体生长的化料方法，通过将化料工序分为三个阶段，且第二阶段的加热功率低于第一阶段的加热功率，以在缩短化料总时间的同时避免石英坩埚的温度超过软化温度，提高了晶体生长的良率。
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公开(公告)号：CN112095153A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910527014.1
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；水平磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平磁场；以及导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒的所述硅熔体上方；其中，所述导流筒底部在不同的位置处具有不同的热反射系数，其中在所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数小于垂直于所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数。根据本发明，改善了硅熔体内温度分布均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN112095143A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910527727.8
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加磁场；其中，在所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体液面之间的距离小于垂直于所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了硅熔体内温度分布的均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN111850675A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910362435.3
申请日：2019-04-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置和方法。所述半导体晶体生长装置包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内、用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及加热装置，所述加热装置用以在所述提拉装置从所述硅熔体内提拉出硅晶棒的过程中对所述硅晶棒的外表面进行加热。根据本发明的半导体晶体生长装置和方法，通过在硅晶棒四周设置加热装置，对拉晶过程中的硅晶棒进行加热，有效减少了硅晶棒中心和边缘的温度不均匀分布，使晶棒稳定生长，减少了晶棒生长过程中的缺陷提升了晶体生长的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111267247A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811477368.1
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种晶棒切片装置，所述装置包括：电源；电解池，用于存放电解质；阳极，所述阳极包括晶棒支撑装置及晶棒，所述晶棒支撑装置分别与所述电源及所述晶棒电性连接；阴极，容置于所述电解池内，与所述电源电性连接，所述阴极包括至少一线状电极，所述线状电极的长度方向与所述晶棒的轴向交叉设置，并且所述线状电极与所述晶棒不接触，当在所述阳极和所述阴极之间接通所述电源时通过所述线状电极与所述晶棒间的相对运动实现晶棒切片；其中，所述阴极还包括控制所述线状电极沿着所述线状电极的长度方向移动的线状电极支撑装置。根据本发明的晶棒切片装置能够使阴极的线状电极上析出的氢气及时脱除。
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公开(公告)号：CN111267246A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811477291.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种晶棒切片装置和方法，所述装置包括：电源，所述电源输出直流电和交流电；电解池，用于存放电解质；阳极，所述阳极包括晶棒，所述晶棒与所述电源输出的所述直流电的正极电性连接；阴极，包括至少一线状电极，所述线状电极容置于所述电解池内并与所述电源输出的所述直流电的负极电性连接，所述线状电极的长度方向与所述晶棒的轴向交叉设置，并且所述线状电极与所述晶棒不接触；支撑装置，用以控制所述线状电极与所述晶棒之间的相对位置；根据本发明的晶棒切片装置和方法，通过支撑装置控制线状电极和晶棒之间的相对位置配合电源直流电和交流电的加载，能够使线状电极上的氢气及时脱除，保证了晶棒切片的质量。
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公开(公告)号：CN111267244A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811477274.4
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种晶棒切片装置，所述装置包括：电源；电解池，用于存放电解质；阳极，所述阳极包括晶棒支撑装置及晶棒，所述晶棒支撑装置分别与所述电源及所述晶棒电性连接；阴极，容置于所述电解池内，与所述电源电性连接，所述阴极包括至少一线状电极，所述线状电极相对所述晶棒的轴向垂直设置且与所述晶棒不接触；其中，所述晶棒位于所述晶棒支撑装置与所述阴极之间，通过所述线状电极与所述晶棒间的相对运动实现晶棒切片。根据本发明的晶棒切片装置和方法，有效减少了晶棒切割过程中的截口损失，同时，实现了非接触切割，有效避免了机械损伤、晶圆翘曲以及接触切割产生的污染。
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公开(公告)号：CN110592661A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910860777.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶体生长装置，包括：坩埚，配置为盛装用于晶体生长的熔体；加热器，设置于所述坩埚周围，配置为加热所述坩埚；导流套筒，所述导流套筒设置于所述加热器与所述坩埚之间；辅助结构，所述导流套筒与所述辅助结构连接，以将所述加热器的顶部和侧面包围。根据本发明提供的晶体生长装置，通过在加热器与坩埚之间设置导流套筒，且导流套筒与辅助结构可以连接组合以将所述加热器的顶部和侧面包围，避免了SiO蒸气对加热器表面的侵蚀，延长了加热器的使用寿命，提高了晶体生长品质的稳定性。
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公开(公告)号：CN110528063A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910860787.1
申请日：2019-09-11
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶体生长装置，包括：坩埚，配置为盛装用于晶体生长的熔体；加热器，设置于所述坩埚周围，配置为加热所述坩埚；均热套筒，所述均热套筒设置于所述加热器与所述坩埚之间，所述均热套筒的侧壁包括厚壁区域和薄壁区域，其中，所述薄壁区域与高温区域对应设置，所述厚壁区域与低温区域对应设置。根据本发明提供的晶体生长装置，通过在加热器与坩埚之间设置于，所述均热套筒的侧壁包括厚壁区域和薄壁区域，利用壁厚的不同调节加热器对石墨坩埚辐射能量，平衡温度的影响，使坩埚在旋转中从晶体生长装置辐射的热量尽可能相同。
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