-
公开(公告)号：CN115247279A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110469915.7
申请日：2021-04-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 邓先亮
Abstract: 本发明提供一种冷却装置及直拉晶体生长设备，所述冷却装置包括水冷套及隔热屏，所述水冷套环绕晶体布置，所述隔热屏间隔设置于所述晶体与所述水冷套之间且相对靠近所述水冷套的下端，所述隔热屏远离所述水冷套一侧为倾斜面，所述倾斜面距所述晶体的距离由下往上逐渐增大。利用间隔设置于水冷套和晶体之间且与晶体距离由下往上逐渐增大的结构的隔热屏，可降低晶体表面的轴向温度梯度，进而降低晶体中心与晶体表面的径向温度梯度，与此同时还可降低过大的内外温差对水冷套的影响，保护水冷套，延长其使用寿命，以提高直拉生长晶体的质量。
-
公开(公告)号：CN112680793B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910990349.7
申请日：2019-10-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述导流筒底部设置有具有向下凸出的台阶，以使所述导流筒底部在所述磁场的方向上与所述硅熔体液面之间的距离小于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅熔体液面之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
-
公开(公告)号：CN112095142B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910527023.0
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述提拉装置提拉所述硅晶棒穿过所述导流筒的过程中，在所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅晶棒之间的距离大于垂直于所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅晶棒之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
-
公开(公告)号：CN111139520A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811308065.7
申请日：2018-11-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 邓先亮
Abstract: 本发明提供一种直拉法引晶方法，包括步骤：提供一硅熔体和一籽晶，所述硅熔体的液面处于第一液面位置；将所述籽晶浸入所述硅熔体中，并将所述籽晶向上提拉并旋转以从所述硅熔体的液面上引出细晶；在所述引出细晶的过程中，当所述细晶的长度达到预定值时，将所述硅熔体的液面提升至第二液面位置，所述第二液面位置高于所述第一液面位置。本发明的一种直拉法引晶方法具有降低籽晶在引晶过程中的温度差，降低由于温差引起的位错，从而提高引晶成功率，节约长晶成本。
-
公开(公告)号：CN107805840A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610814793.X
申请日：2016-09-09
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/00
Abstract: 本发明提供一种拉晶炉的拉晶机构，包括：热屏蔽反射器，位于坩埚上方，围绕坩埚形成一个中央开口，使由坩埚内熔体提拉生长的晶锭从所述中央开口穿过；籽晶夹，位于坩埚上方，设有固定结构夹持籽晶；提拉部件，与所述籽晶夹连接，控制所述籽晶夹在由坩埚内熔体提拉生长晶锭的提拉方向上提升或下降；其中，所述籽晶夹具有在垂直所述提拉方向上的横向延伸部分，且所述籽晶夹在垂直于所述提拉方向的平面上的投影覆盖由坩埚内熔体提拉生长的晶锭在所述平面上的投影。本发明的拉晶机构使晶锭顶端的热场更加稳定，明显改善了晶锭前端部分的均匀性和内部缺陷，同时也减少了热量损耗，节约能源，降低了成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112095153B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910527014.1
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；水平磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平磁场；以及导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒的所述硅熔体上方；其中，所述导流筒底部在不同的位置处具有不同的热反射系数，其中在所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数小于垂直于所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数。根据本发明，改善了硅熔体内温度分布均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
-
公开(公告)号：CN112095153A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910527014.1
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；水平磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平磁场；以及导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒的所述硅熔体上方；其中，所述导流筒底部在不同的位置处具有不同的热反射系数，其中在所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数小于垂直于所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数。根据本发明，改善了硅熔体内温度分布均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
-
公开(公告)号：CN112095143A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910527727.8
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加磁场；其中，在所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体液面之间的距离小于垂直于所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了硅熔体内温度分布的均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
-
公开(公告)号：CN110735180A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201810806334.6
申请日：2018-07-20
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 邓先亮
Abstract: 本发明提供一种拉晶炉，用于生产无缺陷硅单晶棒，包括：内部设置有腔体的炉体；坩埚，设置于所述腔体内；侧部加热器，设置于所述坩埚的外侧；保温层，设置在所述炉体的内壁上；底部加热器，设置于所述坩埚底部与所述炉体底部的所述保温层之间；其中，所述底部加热器包括若干个同心的环形加热部以及设置在所述环形加热部中的电极接口部，其中所述若干个同心的环形加热部之间通过所述电极接口部电连接。本发明的方案改善了长晶过程中温度分布的均匀性。
-
公开(公告)号：CN110629282A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910978400.2
申请日：2019-10-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 邓先亮
Abstract: 本发明提供一种坩埚组件及其安装方法，所述坩埚组件包括：碳碳坩埚，所述碳碳坩埚侧壁的同一高度上分布有至少三个第一通孔；吊装环，所述吊装环的内径不小于所述碳碳坩埚的外径，所述吊装环的侧壁上分布有与所述第一通孔一一对应的第二通孔，并且，所述吊装环顶部设置有用于吊装的支脚；以及插销，用于插入所述第一通孔和第二通孔，以使所述碳碳坩埚和所述吊装环相对固定。本发明提供的坩埚组件及其安装方法能够方便快捷地将碳碳坩埚、石英坩埚及硅料放置于炉内；能够快速调节好水平，保证热场的稳定性；能够避免石英坩埚的损伤，降低事故发生的概率；还能够在停炉之后坩埚温度较高的情况下取放坩埚。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
45
records
(took 0.026 seconds)
