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公开(公告)号：CN118581564A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411068894.8
申请日：2024-08-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶睿半导体科技有限公司
IPC: C30B15/20
Abstract: 本申请提供一种拉晶炉拉晶控制方法、控制装置及电子设备，涉及半导体制备技术领域，拉晶控制方法包括：确定加热器初始电阻值#imgabs0#、晶棒总长度#imgabs1#及晶棒提拉单位长度#imgabs2#；确定加热器的当前电阻值#imgabs3#及加热器历史总运行时间#imgabs4#；确定加热器当前电阻值#imgabs5#与初始电阻值#imgabs6#的电阻差值#imgabs7#；基于电阻差值#imgabs8#和加热器总使用时间#imgabs9#，确定每个提拉长度段的温度补偿值并存储；在拉晶过程中，基于每个提拉长度段的温度补偿值，对每个提拉长度段生长过程中的加热器的预设温度进行补偿。本申请能实现对加热器老化过程的实时监控和提前预测，进行预先修正，降低缺陷出现概率，有助实现高效、稳定的晶体生长。
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公开(公告)号：CN116288664A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310315825.1
申请日：2023-03-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种直拉晶体生长方法及其设备，所述直拉晶体生长方法包括采用直拉法生长晶体至等径生长的后期，并获取晶体的等径长度、测量直径及工艺信息；提供历史数据库，从历史数据库中获得与晶体相应的模拟直径；比较测量直径与模拟直径的差异是否小于或等于预设差值；若是，以测量直径作为当前直径执行工艺控制；若否，以模拟直径作为当前直径执行工艺控制。本发明中，通过模拟直径结合预设差值使当前直径始终锚定在模拟直径的允许波动范围内并使该当前直径紧跟测量直径波动而变化，因此将该当前直径用于控制晶体等径生长的直径时，可使得晶体直径稳定在模拟直径的波动范围内，防止晶体直径大幅振荡。
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公开(公告)号：CN112553683A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011209784.0
申请日：2020-11-03
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶体生长的化料方法，包括：第一加热阶段，加热器以第一功率加热原料，并持续第一加热时间；第二加热阶段，所述加热器以第二功率继续加热所述原料，并持续第二加热时间，其中，所述第二功率低于所述第一功率；第三加热阶段，所述加热器以第三功率继续加热所述原料，并持续第三加热时间。根据本发明提供的用于晶体生长的化料方法，通过将化料工序分为三个阶段，且第二阶段的加热功率低于第一阶段的加热功率，以在缩短化料总时间的同时避免石英坩埚的温度超过软化温度，提高了晶体生长的良率。
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公开(公告)号：CN112144106A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011044024.9
申请日：2020-09-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C30B15/22
Abstract: 本发明提供一种单晶生长设备及单晶生长方法。设备包括炉体、坩埚、加热器及导流组件，导流组件包括导流筒及导流筒提拉装置，坩埚、加热器及导流筒均位于炉体内；坩埚用于承载熔融硅；加热器位于坩埚的外围，用于对坩埚进行加热；导流筒与导流筒提拉装置相连接，并自坩埚的外侧延伸到熔融硅的上方；导流筒提拉装置包括控制器，导流筒在控制器的控制下上下移动，以改变所述导流筒与所述熔融硅液面的间距。本发明无需改变晶体提拉速度和坩埚上升速度，因而不会改变液面和热场的相对位置，有利于稳定单晶生长调节，有利于生长出高品质的单晶，且调整操作简单，调整精度高。
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公开(公告)号：CN118531496A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410607381.3
申请日：2024-05-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长控制方法及控制装置，所述控制方法包括：获得当前位置处的晶棒直径；获得所述当前位置处的晶棒直径与目标直径的直径偏差值；当所述直径偏差值小于直径阈值时，获得所述当前平均拉速；获得所述当前平均拉速与当前目标拉速的拉速偏差值；将所述拉速偏差值与拉速阈值进行比较，以确定采用第一控制方案或第二控制方案。根据本发明提供的晶体生长控制方法及控制装置，通过将当前位置处的实时直径和当前平均拉速分别与直径阈值和拉速阈值进行比较，来确定需采用的控制方案，优化了晶体生长的控制过程，减小了晶体直径偏差，减少了晶体缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116905083A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310715519.7
申请日：2023-06-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C30B15/20
Abstract: 本申请提供了一种晶体生长装置及晶体生长方法，该晶体生长装置包括：坩埚，用于容纳生长晶体的熔体；导流筒，位于所述熔体的液面的上方且环绕籽晶；导流筒驱动单元，用于驱动所述导流筒移动；成像单元，用于获取所述籽晶和所述导流筒在所述熔体的液面形成的投影图像；控制单元，与所述成像单元和所述导流筒驱动单元连接，用于基于所述投影图像，确定所述导流筒相对于所述籽晶是否偏心或倾斜，并在存在偏心或倾斜时修正所述导流筒的位置。本申请通过修正导流筒升降过程中产生的偏心和倾斜，避免了在晶体生长装置中设置行程过长的坩埚和高度过高的炉体，降低了热场成本和硬件成本。
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公开(公告)号：CN112553683B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011209784.0
申请日：2020-11-03
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶体生长的化料方法，包括：第一加热阶段，加热器以第一功率加热原料，并持续第一加热时间；第二加热阶段，所述加热器以第二功率继续加热所述原料，并持续第二加热时间，其中，所述第二功率低于所述第一功率；第三加热阶段，所述加热器以第三功率继续加热所述原料，并持续第三加热时间。根据本发明提供的用于晶体生长的化料方法，通过将化料工序分为三个阶段，且第二阶段的加热功率低于第一阶段的加热功率，以在缩短化料总时间的同时避免石英坩埚的温度超过软化温度，提高了晶体生长的良率。
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公开(公告)号：CN112680793A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910990349.7
申请日：2019-10-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述导流筒底部设置有具有向下凸出的台阶，以使所述导流筒底部在所述磁场的方向上与所述硅熔体液面之间的距离小于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅熔体液面之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN112680788A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910990351.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述导流筒内壁底部开设有凹槽，以使所述导流筒在所述磁场的施加方向上与所述硅晶棒之间的距离大于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅晶棒之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN118581564B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411068894.8
申请日：2024-08-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶睿半导体科技有限公司
IPC: C30B15/20
Abstract: 本申请提供一种拉晶炉拉晶控制方法、控制装置及电子设备，涉及半导体制备技术领域，拉晶控制方法包括：确定加热器初始电阻值#imgabs0#、晶棒总长度#imgabs1#及晶棒提拉单位长度#imgabs2#；确定加热器的当前电阻值#imgabs3#及加热器历史总运行时间#imgabs4#；确定加热器当前电阻值#imgabs5#与初始电阻值#imgabs6#的电阻差值#imgabs7#；基于电阻差值#imgabs8#和加热器总使用时间#imgabs9#，确定每个提拉长度段的温度补偿值并存储；在拉晶过程中，基于每个提拉长度段的温度补偿值，对每个提拉长度段生长过程中的加热器的预设温度进行补偿。本申请能实现对加热器老化过程的实时监控和提前预测，进行预先修正，降低缺陷出现概率，有助实现高效、稳定的晶体生长。
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