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公开(公告)号：CN116288664A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310315825.1
申请日：2023-03-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种直拉晶体生长方法及其设备，所述直拉晶体生长方法包括采用直拉法生长晶体至等径生长的后期，并获取晶体的等径长度、测量直径及工艺信息；提供历史数据库，从历史数据库中获得与晶体相应的模拟直径；比较测量直径与模拟直径的差异是否小于或等于预设差值；若是，以测量直径作为当前直径执行工艺控制；若否，以模拟直径作为当前直径执行工艺控制。本发明中，通过模拟直径结合预设差值使当前直径始终锚定在模拟直径的允许波动范围内并使该当前直径紧跟测量直径波动而变化，因此将该当前直径用于控制晶体等径生长的直径时，可使得晶体直径稳定在模拟直径的波动范围内，防止晶体直径大幅振荡。
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公开(公告)号：CN119392352A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411519832.4
申请日：2024-10-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 一种单晶生长方法、控制装置和单晶生长装置，其中单晶生长方法包括：在长晶炉的坩埚中放置硅料；对所述坩埚进行加热，以使所述硅料熔融为硅熔体；将籽晶浸入所述硅熔体中，并以当前提拉速度向上旋转提拉所述籽晶，使所述硅熔体在所述籽晶下端凝固结晶，以得到晶棒；其中，通过所述坩埚的当前实际位置与当前目标位置的偏差值对预设提拉速度进行补偿，得到所述当前提拉速度，以控制所述坩埚当前的拉速与温度梯度比值。本申请的单晶生长方法，通过坩埚的当前实际位置与当前目标位置的偏差值对预设提拉速度进行补偿，控制坩埚的当前的拉速与温度梯度比值保持不变，进而减少了单晶缺陷，提高了单晶质量。
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公开(公告)号：CN118531496A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410607381.3
申请日：2024-05-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长控制方法及控制装置，所述控制方法包括：获得当前位置处的晶棒直径；获得所述当前位置处的晶棒直径与目标直径的直径偏差值；当所述直径偏差值小于直径阈值时，获得所述当前平均拉速；获得所述当前平均拉速与当前目标拉速的拉速偏差值；将所述拉速偏差值与拉速阈值进行比较，以确定采用第一控制方案或第二控制方案。根据本发明提供的晶体生长控制方法及控制装置，通过将当前位置处的实时直径和当前平均拉速分别与直径阈值和拉速阈值进行比较，来确定需采用的控制方案，优化了晶体生长的控制过程，减小了晶体直径偏差，减少了晶体缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116905083A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310715519.7
申请日：2023-06-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C30B15/20
Abstract: 本申请提供了一种晶体生长装置及晶体生长方法，该晶体生长装置包括：坩埚，用于容纳生长晶体的熔体；导流筒，位于所述熔体的液面的上方且环绕籽晶；导流筒驱动单元，用于驱动所述导流筒移动；成像单元，用于获取所述籽晶和所述导流筒在所述熔体的液面形成的投影图像；控制单元，与所述成像单元和所述导流筒驱动单元连接，用于基于所述投影图像，确定所述导流筒相对于所述籽晶是否偏心或倾斜，并在存在偏心或倾斜时修正所述导流筒的位置。本申请通过修正导流筒升降过程中产生的偏心和倾斜，避免了在晶体生长装置中设置行程过长的坩埚和高度过高的炉体，降低了热场成本和硬件成本。
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公开(公告)号：CN118910717A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411010375.6
申请日：2024-07-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶睿半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种单晶硅收尾控制方法，包括以下步骤：设定收尾速度并设定晶棒收尾段的基础形状，以收尾速度匀速提拉晶棒；检测收尾段的生成位置的实时收尾直径；计算所述基础形状对应所述生成位置处的设定直径与所述实时收尾直径的直径偏差值，若所述直径偏差值超出直径偏差阈值范围，调整埚跟比和调整收尾温度以使得实时收尾直径趋近所述设定直径。上述的单晶硅收尾控制方法，可使得整个晶棒的缺陷单晶的区域几乎与变径段重合，即将缺陷单晶限定在变径段所在区域内，等径圆柱段底部分几乎为完美单晶，大大提高了完美单晶的比例。
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公开(公告)号：CN118773729A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410817357.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 一种晶棒生长控制方法、装置、系统、存储介质和计算机程序产品，晶棒生长控制方法包括：获取当前晶棒生长过程中的实际坩埚位置和实际直径，以及获取多根历史晶棒生长过程中的实际坩埚位置；根据历史晶棒的实际坩埚位置确定当前晶棒生长过程中的目标坩埚位置；根据当前晶棒的实际坩埚位置和目标坩埚位置计算坩埚位置差值；根据坩埚位置差值对当前晶棒的实际直径进行修正，以得到当前晶棒的模拟直径；根据模拟直径和目标直径对当前晶棒的生长过程进行控制。本申请可以弥补晶棒生长过程中由于坩埚位置存在差异所导致的晶体缺陷偏差，使得根据模拟直径和目标直径控制生长得到的晶棒具有相同情况的晶体缺陷，从而有利于晶棒的规模化生产。
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公开(公告)号：CN118621426A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410660715.3
申请日：2024-05-24
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 一种晶棒生长控制方法、装置、系统、存储介质和计算机程序产品，晶棒生长控制方法包括：获取晶棒生长过程中晶棒的称重直径、人工测量直径和相机测量直径；计算称重直径和人工测量直径之间的差值是否处于预设差值范围；在差值不处于预设差值范围内时，直接根据相机测量直径对晶棒的生长过程进行控制；在差值处于预设差值范围内时，对称重直径和相机测量直径进行数据处理以得到模拟直径，并根据模拟直径对晶棒的生长过程进行控制。本申请可以确定晶棒称重系统是否正常工作，以及减少不同晶棒的直径偏差，增强拉晶等径阶段晶棒直径的控制精度。
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公开(公告)号：CN219637400U
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202321392288.2
申请日：2023-06-02
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本说明书实施例提供一种拉晶装置，包括坩埚、加热器、隔热层和生长室，所述隔热层置于所述生长室内，所述隔热层环绕所述加热器设置，所述加热器设置于所述隔热层和所述坩埚之间，所述装置还包括若干磁场探测器，所述隔热层外周开设有用于安装若干所述磁场探测器的若干放置槽。通过在隔热层的外周开设若干放置槽，通过在若干放置槽内放置磁场探测器，隔热层可以隔绝大部分热量，避免磁场探测器受到损伤，通过磁场探测器可以直接测量磁场强度，可以更精确的控制超导磁场的输出磁场，从而实现更稳定的单晶生长环境。
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