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公开(公告)号：CN117739838A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311283865.9
申请日：2023-09-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01B11/08
Abstract: 本申请公开了一种直拉单晶硅直径测量方法、装置和直拉单晶硅生长装置，所述方法包括：控制第一校准光源和第二校准光源发光，基于第一测量设备获取第一校准光源的第一坐标并基于第二测量设备获取第二校准光源的第二坐标；基于第一坐标、第二坐标和第一距离获取直径测量系数；在晶棒长晶时使用第一测量设备获取晶棒直径的一端的第一直径坐标，使用第二测量设备获取晶棒直径的另一端的第二直径坐标；基于第一直径坐标、第二直径坐标和直径测量系数获取晶棒的直径测量值，减小了直拉单晶硅直径测量误差，提高了晶体生长过程中的晶体直径控制准确度，从而提高了直拉单晶硅生产效率。
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公开(公告)号：CN114855263A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210357367.3
申请日：2022-04-01
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长方法，包括：当晶体生长进入等径阶段，坩埚以第一坩埚转速旋转，晶体以第一晶体转速旋转；当晶体生长至第一长度，坩埚以第二坩埚转速旋转，和/或晶体以第二晶体转速旋转；其中，所述第二坩埚转速小于所述第一坩埚转速，所述第二晶体转速小于所述第一晶体转速。根据本发明提供的晶体生长方法，通过在等径阶段晶体生长至第一长度之后，将坩埚从第一坩埚转速降低至第二坩埚转速，和/或将晶体从第一晶体转速降低至第二晶体转速，降低了晶体中的氧含量。
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公开(公告)号：CN114808112B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210343801.2
申请日：2022-03-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种单晶生长方法及晶圆，所述单晶生长方法包括：提供熔体和经过掺杂的籽晶；获取所述经过掺杂的籽晶的初始长度l0；将所述经过掺杂的籽晶浸入所述熔体中，获取所述经过掺杂的籽晶露出所述熔体表面的长度l1，其中l0＞l1；利用所述熔体和所述经过掺杂的籽晶采用直拉法生长单晶。本发明使用经过掺杂的籽晶，能够精准控制单晶的P/N型及电阻率，避免了额外引入掺杂剂带来的用量难以控制的问题，保持了单晶的重复性。
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公开(公告)号：CN117190888A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311283702.0
申请日：2023-09-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01B11/08
Abstract: 一种晶棒直径检测装置及晶棒生长设备，该晶棒直径检测装置，用于晶棒生长设备，包括：第一图像采集装置用于获取晶棒在熔体液面处的第一图像，所述第一图像中包括晶棒的第一边缘区域的图像；第二图像采集装置用于获取晶棒在熔体液面处的第二图像，所述第一图像中包括晶棒的第二边缘区域的图像；处理器与所述第一图像采集装置和所述第二图像采集装置连接，用于基于所述第一图像和所述第二图像，确定所述晶棒的检测直径；机架模组，设置于所述晶棒生长设备，用于固定所述第一图像采集装置和所述第二图像采集装置，并使所述第一图像采集装置和所述第二图像采集装置关于所述晶棒的中心轴对称设置。
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公开(公告)号：CN114836822A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210493974.2
申请日：2022-04-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C30B15/20
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长装置、晶体直径控制方法、系统及存储介质，晶体生长装置包括：直径获取单元、坩埚、导流筒、加热单元、晶体提拉单元、坩埚升降单元和控制单元，控制单元与直径获取单元、加热单元、晶体提拉单元和坩埚升降单元连接，用于根据所述当前晶体直径与预设的目标晶体直径的直径偏差，计算需要调整的埚跟比偏差，并根据所述埚跟比偏差调整当前埚跟比，以改变坩埚升降单元的升降速度，从而改变液面距，进而对所述直径偏差进行修正，其中，所述液面距为所述熔体液面与所述导流筒的距离。根据本发明的晶体生长装置、晶体直径控制方法、系统及存储介质可以及时有效地对晶体直径偏差进行修正，抑制晶体直径变化的波动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107805840A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610814793.X
申请日：2016-09-09
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/00
Abstract: 本发明提供一种拉晶炉的拉晶机构，包括：热屏蔽反射器，位于坩埚上方，围绕坩埚形成一个中央开口，使由坩埚内熔体提拉生长的晶锭从所述中央开口穿过；籽晶夹，位于坩埚上方，设有固定结构夹持籽晶；提拉部件，与所述籽晶夹连接，控制所述籽晶夹在由坩埚内熔体提拉生长晶锭的提拉方向上提升或下降；其中，所述籽晶夹具有在垂直所述提拉方向上的横向延伸部分，且所述籽晶夹在垂直于所述提拉方向的平面上的投影覆盖由坩埚内熔体提拉生长的晶锭在所述平面上的投影。本发明的拉晶机构使晶锭顶端的热场更加稳定，明显改善了晶锭前端部分的均匀性和内部缺陷，同时也减少了热量损耗，节约能源，降低了成本。
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公开(公告)号：CN114855284A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210359258.5
申请日：2022-04-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种生长单晶硅的方法，该方法包括：在长晶炉的坩埚中放置硅料；对所述坩埚进行加热，以使所述硅料熔融为硅熔体；确定所述硅熔体的液面位置；通过磁场发生器向所述硅熔体施加超导磁场，并调整所述磁场发生器的位置，使所述超导磁场的最强点位于所述液面位置下方的预设范围内；将籽晶浸入所述硅熔体中，并向上旋转提拉所述籽晶，使所述硅熔体在所述籽晶下端凝固结晶，以得到单晶硅的晶棒。本发明将超导磁场最强点的位置设置在硅熔体液面下方来控制晶棒中的氧含量，不需要对热场结构进行复杂更改，成本低且拉晶成功率高。
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公开(公告)号：CN114808112A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210343801.2
申请日：2022-03-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种单晶生长方法及晶圆，所述单晶生长方法包括：提供熔体和经过掺杂的籽晶；获取所述经过掺杂的籽晶的初始长度l0；将所述经过掺杂的籽晶浸入所述熔体中，获取所述经过掺杂的籽晶露出所述熔体表面的长度l1，其中l0＞l1；利用所述熔体和所述经过掺杂的籽晶采用直拉法生长单晶。本发明使用经过掺杂的籽晶，能够精准控制单晶的P/N型及电阻率，避免了额外引入掺杂剂带来的用量难以控制的问题，保持了单晶的重复性。
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公开(公告)号：CN113122919A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110413783.6
申请日：2021-04-16
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本说明书实施例提供一种二次加料方法及装置、单晶硅生长方法及装置，应用于半导体技术领域。其中二次加料方案包括：监测坩埚中硅原料的熔化状态；当监测到所述熔化状态进入预设状态时，按预设磁场施加策略对所述坩埚中的硅液施加目标强度的磁场；在施加所述磁场后，在预设时间内将加料管中的硅原料落入所述坩埚中。通过本申请的处理方案，可避免二次加料中硅液飞溅，提高单晶硅生长设备部件的寿命，提高拉晶成功率。
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公开(公告)号：CN108342770A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710056545.8
申请日：2017-01-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C30B15/32
Abstract: 本发明提供一种籽晶夹头及单晶提拉炉，所述籽晶夹头为透明夹头，所述籽晶夹头的头部设有气流导向斜面。本发明的籽晶夹头为透明籽晶头，从引晶阶段开始都可以观察到整个过程，可以及时观测和及时修正引晶直径，确保整个拉晶过程正常进行，保证了晶锭生长的质量；通过在所述籽晶夹头的头部设置气流导向斜面，可以更好的引导炉腔体内气流，减少乱流现象的产生，从而保证晶锭生长的质量。
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