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公开(公告)号：CN118581564B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411068894.8
申请日：2024-08-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶睿半导体科技有限公司
IPC: C30B15/20
Abstract: 本申请提供一种拉晶炉拉晶控制方法、控制装置及电子设备，涉及半导体制备技术领域，拉晶控制方法包括：确定加热器初始电阻值#imgabs0#、晶棒总长度#imgabs1#及晶棒提拉单位长度#imgabs2#；确定加热器的当前电阻值#imgabs3#及加热器历史总运行时间#imgabs4#；确定加热器当前电阻值#imgabs5#与初始电阻值#imgabs6#的电阻差值#imgabs7#；基于电阻差值#imgabs8#和加热器总使用时间#imgabs9#，确定每个提拉长度段的温度补偿值并存储；在拉晶过程中，基于每个提拉长度段的温度补偿值，对每个提拉长度段生长过程中的加热器的预设温度进行补偿。本申请能实现对加热器老化过程的实时监控和提前预测，进行预先修正，降低缺陷出现概率，有助实现高效、稳定的晶体生长。
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公开(公告)号：CN118581564A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411068894.8
申请日：2024-08-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶睿半导体科技有限公司
IPC: C30B15/20
Abstract: 本申请提供一种拉晶炉拉晶控制方法、控制装置及电子设备，涉及半导体制备技术领域，拉晶控制方法包括：确定加热器初始电阻值#imgabs0#、晶棒总长度#imgabs1#及晶棒提拉单位长度#imgabs2#；确定加热器的当前电阻值#imgabs3#及加热器历史总运行时间#imgabs4#；确定加热器当前电阻值#imgabs5#与初始电阻值#imgabs6#的电阻差值#imgabs7#；基于电阻差值#imgabs8#和加热器总使用时间#imgabs9#，确定每个提拉长度段的温度补偿值并存储；在拉晶过程中，基于每个提拉长度段的温度补偿值，对每个提拉长度段生长过程中的加热器的预设温度进行补偿。本申请能实现对加热器老化过程的实时监控和提前预测，进行预先修正，降低缺陷出现概率，有助实现高效、稳定的晶体生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118345504A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410599707.2
申请日：2024-05-14
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种晶棒承接装置、转运装置和单晶炉，用于与单晶炉的副室连接，副室内具有晶棒，晶棒承接装置包括：升降支架，升降支架构造为能够上下升降；多个固定扣，多个固定扣沿升降支架的轴向间隔设置于升降支架上，固定扣的内部具有允许晶棒通过的第一通道；至少一个承接件，设置于升降支架上，并且位于固定扣的下方，至少一个所述承接件用于承接所述晶棒。该装置通过将多个固定扣沿升降支架的轴向间隔设置在升降支架上，同时将承接件设置于升降支架上并位于固定扣下方，在晶棒下落过程中，固定扣可以防止晶棒倾斜倒下，承接件可以有效承接晶棒，使其停止坠落。
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公开(公告)号：CN117739838A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311283865.9
申请日：2023-09-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01B11/08
Abstract: 本申请公开了一种直拉单晶硅直径测量方法、装置和直拉单晶硅生长装置，所述方法包括：控制第一校准光源和第二校准光源发光，基于第一测量设备获取第一校准光源的第一坐标并基于第二测量设备获取第二校准光源的第二坐标；基于第一坐标、第二坐标和第一距离获取直径测量系数；在晶棒长晶时使用第一测量设备获取晶棒直径的一端的第一直径坐标，使用第二测量设备获取晶棒直径的另一端的第二直径坐标；基于第一直径坐标、第二直径坐标和直径测量系数获取晶棒的直径测量值，减小了直拉单晶硅直径测量误差，提高了晶体生长过程中的晶体直径控制准确度，从而提高了直拉单晶硅生产效率。
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公开(公告)号：CN117190888A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311283702.0
申请日：2023-09-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01B11/08
Abstract: 一种晶棒直径检测装置及晶棒生长设备，该晶棒直径检测装置，用于晶棒生长设备，包括：第一图像采集装置用于获取晶棒在熔体液面处的第一图像，所述第一图像中包括晶棒的第一边缘区域的图像；第二图像采集装置用于获取晶棒在熔体液面处的第二图像，所述第一图像中包括晶棒的第二边缘区域的图像；处理器与所述第一图像采集装置和所述第二图像采集装置连接，用于基于所述第一图像和所述第二图像，确定所述晶棒的检测直径；机架模组，设置于所述晶棒生长设备，用于固定所述第一图像采集装置和所述第二图像采集装置，并使所述第一图像采集装置和所述第二图像采集装置关于所述晶棒的中心轴对称设置。
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公开(公告)号：CN219260269U
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202320792005.7
申请日：2023-04-10
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C30B15/10
Abstract: 本申请提供一种石墨坩埚及防止石英坩埚鼓包变形的可替换装置，涉及单晶生产设备领域，其包括若干石墨替换件，每个石墨替换件均设有通气孔，锅体开设有若干安装槽，安装槽贯穿锅体的底部，若干石墨替换件一一对应设置于若干安装槽内，通气孔用于供杂质气体从锅体底部逸出。通过设置石墨替换件和安装槽，在石墨坩埚承载石英坩埚的过程中，石墨坩埚和石英坩埚之间产生的杂质气体可以通过石墨替换件上的通气孔逸出，而不会集聚在石英坩埚和石墨坩埚之间的缝隙中，导致石英坩埚鼓包，且由于石墨替换件可以从安装槽中拆卸，则当石墨替换件被腐蚀至一定程度后，可以直接对石墨替换件进行更换，无需对整个石墨坩埚进行更换，提高石墨坩埚的使用寿命。
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公开(公告)号：CN222411988U
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202421163555.3
申请日：2024-05-24
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶睿半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种单晶炉加热器及单晶炉，该单晶炉加热器包括：多个呈U字形结构的下加热器；多个呈倒置的U字形结构的上加热器，所述上加热器位于所述下加热器的上方，两者彼此错位设置从而形成蛇形的加热器；其中所述上加热器沿竖直方向的长度大于所述下加热器沿所述竖直方向的长度。本申请方案的单晶炉加热器由下加热器和上加热器组成，上加热器在沿竖直方向的长度大于下加热器沿竖直方向的长度，使得单晶炉加热器的加热中心位于上加热器中，这样在单晶炉加热器由于老化而导致加热中心厚度变薄时，只需要更换上加热器即可，无需更换完整的单晶炉加热器，能够降低成本与节省物料。
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