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公开(公告)号：CN111850675A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910362435.3
申请日：2019-04-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置和方法。所述半导体晶体生长装置包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内、用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及加热装置，所述加热装置用以在所述提拉装置从所述硅熔体内提拉出硅晶棒的过程中对所述硅晶棒的外表面进行加热。根据本发明的半导体晶体生长装置和方法，通过在硅晶棒四周设置加热装置，对拉晶过程中的硅晶棒进行加热，有效减少了硅晶棒中心和边缘的温度不均匀分布，使晶棒稳定生长，减少了晶棒生长过程中的缺陷提升了晶体生长的质量。
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公开(公告)号：CN111267247A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811477368.1
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种晶棒切片装置，所述装置包括：电源；电解池，用于存放电解质；阳极，所述阳极包括晶棒支撑装置及晶棒，所述晶棒支撑装置分别与所述电源及所述晶棒电性连接；阴极，容置于所述电解池内，与所述电源电性连接，所述阴极包括至少一线状电极，所述线状电极的长度方向与所述晶棒的轴向交叉设置，并且所述线状电极与所述晶棒不接触，当在所述阳极和所述阴极之间接通所述电源时通过所述线状电极与所述晶棒间的相对运动实现晶棒切片；其中，所述阴极还包括控制所述线状电极沿着所述线状电极的长度方向移动的线状电极支撑装置。根据本发明的晶棒切片装置能够使阴极的线状电极上析出的氢气及时脱除。
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公开(公告)号：CN111267246A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811477291.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种晶棒切片装置和方法，所述装置包括：电源，所述电源输出直流电和交流电；电解池，用于存放电解质；阳极，所述阳极包括晶棒，所述晶棒与所述电源输出的所述直流电的正极电性连接；阴极，包括至少一线状电极，所述线状电极容置于所述电解池内并与所述电源输出的所述直流电的负极电性连接，所述线状电极的长度方向与所述晶棒的轴向交叉设置，并且所述线状电极与所述晶棒不接触；支撑装置，用以控制所述线状电极与所述晶棒之间的相对位置；根据本发明的晶棒切片装置和方法，通过支撑装置控制线状电极和晶棒之间的相对位置配合电源直流电和交流电的加载，能够使线状电极上的氢气及时脱除，保证了晶棒切片的质量。
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公开(公告)号：CN111267244A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811477274.4
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种晶棒切片装置，所述装置包括：电源；电解池，用于存放电解质；阳极，所述阳极包括晶棒支撑装置及晶棒，所述晶棒支撑装置分别与所述电源及所述晶棒电性连接；阴极，容置于所述电解池内，与所述电源电性连接，所述阴极包括至少一线状电极，所述线状电极相对所述晶棒的轴向垂直设置且与所述晶棒不接触；其中，所述晶棒位于所述晶棒支撑装置与所述阴极之间，通过所述线状电极与所述晶棒间的相对运动实现晶棒切片。根据本发明的晶棒切片装置和方法，有效减少了晶棒切割过程中的截口损失，同时，实现了非接触切割，有效避免了机械损伤、晶圆翘曲以及接触切割产生的污染。
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公开(公告)号：CN111312605B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201811520405.2
申请日：2018-12-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种晶圆测试装置和方法，所述装置包括测试电源和测试探针，所述测试探针包括柔性电极，当在所述测试探针上加载所述测试电源时，所述柔性电极在测试晶圆上能够形成盘状。根据本发明的晶圆测试装置和方法，测试探针采用柔性电极，在测试探针上加载测试电源时，通过改变柔性电极的形状，使柔性电极与晶圆上的测试点之间形成紧密的接触，接触界面间不存在空气间隙或污染物，有效提升了测试的准确性，同时，根据本发明的晶圆测试装置和方法，柔性电极能够形成盘状而作为测试中形成电容器的一个极板，从而不需要在硅基底表面的介质层上形成导电层以作为测试用电容器，节省工艺，操作简单，减少测试时间和测试成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111267254A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811477262.1
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B28D5/04
Abstract: 本发明提供一种晶棒切片方法，所述方法包括：步骤S1：将晶棒至少部分浸没于包含电解质的电解池中，所述电解池中设置有包含一线状电极的阴极；步骤S2：调整所述晶棒与所述阴极之间的相对位置，以使所述晶棒的轴向与所述线状电极的长度方向交叉设置，并且所述晶棒与所述线状电极不接触；步骤S3：在所述晶棒和所述阴极之间接通电源的同时使所述晶棒和所述阴极上的所述线状电极做相对运动，其中，所述电源包括直流电源，所述晶棒接通所述直流电源的正极，所述阴极接通所述直流电源的负极，通过所述相对运动实现对所述晶棒的切片。根据本发明的晶棒切片方法有效减少了截口损失，同时，有效避免了机械损伤、晶圆翘曲以及接触切割产生的污染。
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公开(公告)号：CN111267245A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811477279.7
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种晶棒切片装置，所述装置包括：电源；电解池，用于存放电解质；阳极，所述阳极包括晶棒，所述晶棒与所述电源电性连接；阴极，包括至少一线状电极，所述线状电极容置于所述电解池内并与所述电源电性连接，所述线状电极的长度方向与所述晶棒的轴向交叉设置，并且所述线状电极与所述晶棒不接触，当在所述阳极和所述阴极之间接通所述电源时通过所述线状电极与所述晶棒间的相对运动实现晶棒切片；其中，所述电解池中还设置有辅助对流装置，用以增强所述电解池内的所述电解质的流动。根据本发明的晶棒切片装置，在电解池中设置辅助对流装置，增强电解质在电解池中的流动，减少了H2吸附在线状电极上而影响晶棒切割速率和切割质量。
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公开(公告)号：CN110629283A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910899811.2
申请日：2019-09-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种硅单晶的生长方法，所述生长方法包括：确定设定拉速，所述设定拉速在理想拉速上下呈周期性变化；将晶体温度控制在1200℃以上，按照所述设定拉速进行提拉，以生长硅单晶。本发明提供的硅单晶的生长方法减少硅单晶中的原生缺陷，从而形成完美晶体，并且能够扩展硅单晶生长的工艺窗口。
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公开(公告)号：CN111312605A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811520405.2
申请日：2018-12-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种晶圆测试装置和方法，所述装置包括测试电源和测试探针，所述测试探针包括柔性电极，当在所述测试探针上加载所述测试电源时，所述柔性电极在测试晶圆上能够形成盘状。根据本发明的晶圆测试装置和方法，测试探针采用柔性电极，在测试探针上加载测试电源时，通过改变柔性电极的形状，使柔性电极与晶圆上的测试点之间形成紧密的接触，接触界面间不存在空气间隙或污染物，有效提升了测试的准确性，同时，根据本发明的晶圆测试装置和方法，柔性电极能够形成盘状而作为测试中形成电容器的一个极板，从而不需要在硅基底表面的介质层上形成导电层以作为测试用电容器，节省工艺，操作简单，减少测试时间和测试成本。
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公开(公告)号：CN117712203A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311723009.0
申请日：2023-12-13
Applicant: 宁波大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 南方科技大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18 , C23C16/515 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供了一种光电探测器、制备方法及应用，依次包括层状设置的零维石墨烯、三维石墨烯、二维石墨烯和衬底层。本发明在零维石墨烯和二维石墨烯的配合作用下，有效提升了三维石墨烯的光电性能，由此本发明提供了一种有效提升三维石墨烯光电性能的手段。
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