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公开(公告)号：CN110629283A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910899811.2
申请日：2019-09-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种硅单晶的生长方法，所述生长方法包括：确定设定拉速，所述设定拉速在理想拉速上下呈周期性变化；将晶体温度控制在1200℃以上，按照所述设定拉速进行提拉，以生长硅单晶。本发明提供的硅单晶的生长方法减少硅单晶中的原生缺陷，从而形成完美晶体，并且能够扩展硅单晶生长的工艺窗口。
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公开(公告)号：CN112680788B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910990351.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述导流筒内壁底部开设有凹槽，以使所述导流筒在所述磁场的施加方向上与所述硅晶棒之间的距离大于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅晶棒之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN112095143B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910527727.8
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加磁场；其中，在所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体液面之间的距离小于垂直于所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了硅熔体内温度分布的均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN112795984A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011324456.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于计算晶体生长过程中固液界面形状的方法，包括：提供晶片；在所述晶片上选取多个采样点，分别测量所述多个采样点的电阻率；基于所述多个采样点的电阻率计算所述多个采样点之间的高度差；基于所述多个采样点之间的高度差绘制固液界面形状。根据本发明提供的用于计算晶体生长过程中固液界面形状的方法，通过测量晶片表面多个采样点的电阻率，并基于测得的电阻率计算多个采样点之间的高度差，从而绘制固液界面的形状，操作简单方便，成本低。
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公开(公告)号：CN112680793B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910990349.7
申请日：2019-10-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述导流筒底部设置有具有向下凸出的台阶，以使所述导流筒底部在所述磁场的方向上与所述硅熔体液面之间的距离小于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅熔体液面之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111850681B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201910357352.5
申请日：2019-04-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长方法和装置。所述半导体晶体生长方法包括：获取石墨坩埚在首次用于半导体晶体生长过程时的初始位置CP0；获取所述石墨坩埚的当前生产批次N，所述当前生产批次N表征所述石墨坩埚当前用来进行的半导体晶体生长过程的次数；根据所述当前生产批次N在所述石墨坩埚内套设的石英坩埚内装入多晶硅原料，其中，所述多晶硅原料的总重量称为装料量W(N)，所述装料量W(N)根据当前生产批次N进行调整，以在保持所述石墨坩埚的初始位置CP0不变的同时，使所述石英坩埚内硅熔体液面的初始位置保持稳定。根据本发明，保证了拉晶过程中各参数的稳定，提升了拉晶的速度和拉晶的质量。
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公开(公告)号：CN112095142B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910527023.0
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述提拉装置提拉所述硅晶棒穿过所述导流筒的过程中，在所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅晶棒之间的距离大于垂直于所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅晶棒之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN112323141A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011212265.X
申请日：2020-11-03
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶生长方法及单晶生长设备。单晶生长方法包括：提供单晶生长设备，包括坩埚、用于提拉坩埚的坩埚提拉装置、用于提拉单晶的单晶提拉装置、导流筒和用于提拉导流筒的导流筒提拉装置；设定理论液口距，根据坩埚和单晶尺寸确定理论埚跟比后开始单晶生长；在单晶生长过程中调整坩埚、导流筒和单晶中的一个或多个的位置并实时测量得到实际液口距，计算实际液口距和理论液口距的偏差值并依偏差值得到埚跟比变化值，依埚跟比变化值对理论埚跟比进行调整；依埚跟比变化值对单晶提拉装置的拉速进行调整，以使单晶生长过程中的晶体工艺拉速保持不变，其中，晶体工艺拉速为单晶相对于液面的提升速度。本发明有助于提高单晶生长品质。
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公开(公告)号：CN112795984B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202011324456.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于计算晶体生长过程中固液界面形状的方法，包括：提供晶片；在所述晶片上选取多个采样点，分别测量所述多个采样点的电阻率；基于所述多个采样点的电阻率计算所述多个采样点之间的高度差；基于所述多个采样点之间的高度差绘制固液界面形状。根据本发明提供的用于计算晶体生长过程中固液界面形状的方法，通过测量晶片表面多个采样点的电阻率，并基于测得的电阻率计算多个采样点之间的高度差，从而绘制固液界面的形状，操作简单方便，成本低。
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公开(公告)号：CN112095154B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201910527728.2
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；加热器，所述加热器包括环绕所述坩埚设置的石墨圆筒，用以加热所述硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向上的磁场；其中，在所述石墨圆筒的侧壁沿着所述石墨圆筒的轴线方向设有多个凹槽，其中在所述磁场方向上的所述凹槽的深度小于垂直于所述磁场方向上的所述凹槽的深度。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了硅熔体内温度分布均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
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