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公开(公告)号：CN119017254A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411235670.1
申请日：2024-09-04
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆承载装置、研磨设备和抛光设备，晶圆承载装置包括：载体，载体上设有至少一个放置孔；至少一个保持环，每个保持环对应一个放置孔内，保持环套设在对应的放置孔的内侧，保持环的内侧开设有多个间隔的凹槽，保持环的第一表面设置有多个第一沟槽，每个凹槽对应连接至少一个第一沟槽，每个第一沟槽连接保持环外圆面和对应的凹槽。本申请的晶圆承载装置能够使得抛光或研磨过程中产生的余料与抛光研磨液混合物流入凹槽内，并将凹槽内的余料与抛光研磨液混合物及时的导出至保持环外侧，避免余料与抛光研磨液混合物堆积在晶圆的边缘，影响边缘平坦度，且能够防止余料与抛光研磨液混合物中的颗粒对晶圆造成划伤。
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公开(公告)号：CN118854463A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410895377.1
申请日：2024-07-04
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅料处理方法、棒状硅料及硅料装载方法，包括：对原硅料进行预处理，以得到尺寸满足要求的棒状硅料，所述预处理包括截断和/或破碎，在采用破碎方法获取棒状硅料时，围绕一轴心对原硅料的侧壁进行敲击；在获取棒状硅料后，将棒状硅料层层叠放在硅料运输容器内，每两层棒状硅料之间通过平铺的小硅料和/或大硅料间隔，且每层棒状硅料的间隙用小硅料和/或大硅料填充，小硅料及大硅料的最大轮廓尺寸分别为D1和D2，棒状硅料的直径为D3，D1＜D2＜D3。采用本发明提供的硅料处理方法及装载方法，可以更好地利用装载空间，减少装量强度，而且运输过程中因挤压所产生的碎渣以及粉尘能够大幅减少，减少来自硅料表面的金属污染。
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公开(公告)号：CN112795984A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011324456.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于计算晶体生长过程中固液界面形状的方法，包括：提供晶片；在所述晶片上选取多个采样点，分别测量所述多个采样点的电阻率；基于所述多个采样点的电阻率计算所述多个采样点之间的高度差；基于所述多个采样点之间的高度差绘制固液界面形状。根据本发明提供的用于计算晶体生长过程中固液界面形状的方法，通过测量晶片表面多个采样点的电阻率，并基于测得的电阻率计算多个采样点之间的高度差，从而绘制固液界面的形状，操作简单方便，成本低。
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公开(公告)号：CN110512276A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910841934.0
申请日：2019-09-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于晶体生长的坩埚底座装置，包括:底座本体，所述底座本体的上表面的一部分与坩埚相接触；连接机构，配置为将所述底座本体与所述坩埚固定连接。根据本发明提供的一种用于晶体生长的坩埚底座装置，通过使底座本体的上表面的一部分与坩埚相接触，减少坩埚底座装置与坩埚的接触面积，从而减少了通过固固传热的方式散失的热量，提高了热场的保温性，减少电能的消耗，延长了设备的使用寿命，降低了生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108333298B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201710051656.X
申请日：2017-01-19
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明提供了一种晶片放置装置和晶片定向仪，所述晶片放置装置包括用于放置晶片的底座、两个定位挡板、凹槽定位装置、前端挡板和滑动板；所述前端挡板安装于所述底座的一端，所述前端挡板具有一缝隙；所述滑动板安装于所述底座的另一端，并可在所述底座上滑动，以改变所述滑动板与所述前端挡板之间的距离；两个定位挡板对称安装于所述滑动板上，两个定位挡板上具有刻度；所述凹槽定位装置安装于两个定位挡板之间，所述凹槽定位装置的中心与所述前端挡板的缝隙在一条直线上，所述凹槽定位装置可沿该直线滑动。解决了传统的晶片定向仪的晶片放置装置在检测不同尺寸晶片时，需要进行机台部件的调整和校准以及存在金属污染风险的问题。
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公开(公告)号：CN108728896B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201710272634.6
申请日：2017-04-24
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C30B15/00
Abstract: 本发明提供了一种坩埚轴升降装置，用于驱动坩埚轴进行升降运动，所述升降装置包括：一驱动部件、一底盘以及至少两个升降部件，所述驱动部件与所述至少两个升降部件连接，用于驱动所述至少两个升降部件；所述至少两个升降部件与所述底盘连接，用于驱动所述底盘进行升降运动；所述底盘，用于与坩埚轴连接。在本发明提供的坩埚轴升降装置中，利用至少两个升降部件来驱动坩埚轴的上升或下降，从而使坩埚轴在驱动过程中更稳定。
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公开(公告)号：CN107779946A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610728299.1
申请日：2016-08-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种热屏组件及单晶提拉炉热场结构，所述热屏组件包括热屏及位于所述热屏外围的排气管。本发明的热屏组件通过在热屏的外围设置一组排气管，将所述热屏组件用于单晶提拉炉热场结构时，所述排气管可以作为新增的氩气出口，可以改变氩气在热场结构内流动的路径，使得氩气在热场结构内不易形成涡旋。同时可以将从熔体中挥发的SiO及时排出，减少氩气流中的SiO进入熔体及与坩埚下方的高温石墨元件反应，从而延长各石墨组件的使用寿命，降低晶体中的氧含量和碳含量，并降低长晶结束后清炉的难度；同时，所述热屏组件还可以通过改变排气管中的流速，调节热屏附近的温度梯度。
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公开(公告)号：CN108728896A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710272634.6
申请日：2017-04-24
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C30B15/00
Abstract: 本发明提供了一种坩埚轴升降装置，用于驱动坩埚轴进行升降运动，所述升降装置包括：一驱动部件、一底盘以及至少两个升降部件，所述驱动部件与所述至少两个升降部件连接，用于驱动所述至少两个升降部件；所述至少两个升降部件与所述底盘连接，用于驱动所述底盘进行升降运动；所述底盘，用于与坩埚轴连接。在本发明提供的坩埚轴升降装置中，利用至少两个升降部件来驱动坩埚轴的上升或下降，从而使坩埚轴在驱动过程中更稳定。
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公开(公告)号：CN112795984B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202011324456.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于计算晶体生长过程中固液界面形状的方法，包括：提供晶片；在所述晶片上选取多个采样点，分别测量所述多个采样点的电阻率；基于所述多个采样点的电阻率计算所述多个采样点之间的高度差；基于所述多个采样点之间的高度差绘制固液界面形状。根据本发明提供的用于计算晶体生长过程中固液界面形状的方法，通过测量晶片表面多个采样点的电阻率，并基于测得的电阻率计算多个采样点之间的高度差，从而绘制固液界面的形状，操作简单方便，成本低。
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