公开(公告)号：CN1279593C

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN03137307.0

申请日：2003-06-10

Applicant: 清华大学 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李志坚 ,  田立林 ,  何平 ,  林羲 ,  董业民 ,  陈猛 ,  王曦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明公开了属于微电子器件制造技术范围的一种沟道有热、电通道的绝缘层上硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管制造工艺。这种工艺和体硅及绝缘体上硅工艺完全兼容，只需在互补金属-氧化物-半导体工艺基础上增加一块注氧的掩膜版和在硅片上热生长或淀积注氧掩蔽层、用注氧掩膜版光刻注氧掩蔽层、氧离子注入及高温退火形成掩埋二氧化硅层4个工艺步骤，制造出沟道有热、电通道结构的绝缘层上硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管。该制造工艺简单、易控制，克服了绝缘体上硅器件的浮体效应和自热效应，使绝缘层上硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的热稳定性和器件稳定工作的可靠性大大提高。

公开(公告)号：CN1457088A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN03137307.0

申请日：2003-06-10

Applicant: 清华大学 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李志坚 ,  田立林 ,  何平 ,  林羲 ,  董业民 ,  陈猛 ,  王曦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明公开了属于微电子器件制造技术范围的一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺。这种工艺和体硅及SOI工艺完全兼容，只需在常规CMOS工艺基础上增加一块图形化注氧的掩膜版和在Si片上热生长或淀积注氧掩蔽层、用图形化注氧掩膜版光刻注氧掩蔽层、氧离子注入及高温退火形成掩埋SiO2层4个工艺步骤，制造出沟道有热、电通道结构的SOI MOSFET器件。该制造工艺简单、易控制，克服了SOI器件的浮体效应和自热效应，使SOI MOSFET器件的热稳定性和器件稳定工作的可靠性大大提高。

公开(公告)号：CN1261988C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN03151252.6

申请日：2003-09-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  清华大学

Inventor： 董业民 ,  王曦 ,  陈猛 ,  陈静 ,  李志坚 ,  田立林 ,  何平 ,  林羲

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明公开了一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法，依次包括纳米侧墙的生成，以侧墙厚度定义晶体管栅的长度，以SiO2掩膜和栅的叠层为掩膜进行自对准的注氧隔离等步骤，其特征在于：(1)纳米侧墙的形成，其厚度为30～100nm；(2)以侧墙的厚度定义SiO2掩膜和多晶硅栅，SiO2掩膜厚度为100～800nm，栅的厚度为300～500nm，栅氧化层的厚度为1～30nm；(3)以多晶硅栅和其上的SiO2叠层掩模，进行源漏自对准的注氧隔离，注入离子的能量为20～200keV，剂量为1.0～7.0×1017cm-2，衬底温度为400～700℃；退火温度为1200～1375℃，退火时间为1～24个小时，退火气氛为Ar与O2的混合气体，其中O2的含量为0.1%～5%；(4)CMOS工艺完成器件的制造。

公开(公告)号：CN1529349A

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN03151252.6

申请日：2003-09-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  清华大学

Inventor： 董业民 ,  王曦 ,  陈猛 ,  陈静 ,  李志坚 ,  田立林 ,  何平 ,  林羲

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明公开了一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法，依次包括纳米侧墙的生成，以侧墙厚度定义晶体管栅的长度，以SiO2掩膜和栅的叠层为掩膜进行自对准的注氧隔离等步骤，其特征在于：(1)纳米侧墙的形成，其厚度为30～100nm；(2)以侧墙的厚度定义SiO2掩膜和多晶硅栅，SiO2掩膜厚度为100～800nm，栅的厚度为300～500nm，栅氧化层的厚度为1～30nm；(3)以多晶硅栅和其上的SiO2叠层掩模，进行源漏自对准的注氧隔离，注入离子的能量为20～200keV，剂量为1.0～7.0×1017cm－2，衬底温度为400～700℃；退火温度为1200～1375℃，退火时间为1～24个小时，退火气氛为Ar与O2的混合气体，其中O2的含量为0.1％～5％。(4)CMOS工艺完成器件的制造。

公开(公告)号：CN2638246Y

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN03266116.9

申请日：2003-06-26

Applicant: 清华大学

Inventor： 李志坚 ,  田立林 ,  何平 ,  林羲

IPC: H01L29/78

Abstract: 本实用新型公开了属于微电子器件范围的一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件。在传统的SOI MOSFET器件中的掩埋绝缘层上设置了一个通道，将器件的沟道区和衬底相连在一起。该通道大大降低了器件的衬底热阻，克服了SOI器件的自热效应；完全消除了SOI器件的浮体效应。还使该器件保持了SOI器件漏区、源区寄生电容小的优点，并且保证了器件的隔离，保证SOI MOSFET器件的热稳定性和器件稳定工作的可靠性。