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公开(公告)号：CN1279593C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN03137307.0
申请日：2003-06-10
Applicant: 清华大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
Abstract: 本发明公开了属于微电子器件制造技术范围的一种沟道有热、电通道的绝缘层上硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管制造工艺。这种工艺和体硅及绝缘体上硅工艺完全兼容，只需在互补金属-氧化物-半导体工艺基础上增加一块注氧的掩膜版和在硅片上热生长或淀积注氧掩蔽层、用注氧掩膜版光刻注氧掩蔽层、氧离子注入及高温退火形成掩埋二氧化硅层4个工艺步骤，制造出沟道有热、电通道结构的绝缘层上硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管。该制造工艺简单、易控制，克服了绝缘体上硅器件的浮体效应和自热效应，使绝缘层上硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的热稳定性和器件稳定工作的可靠性大大提高。
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公开(公告)号：CN1261988C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN03151252.6
申请日：2003-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 清华大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/84
Abstract: 本发明公开了一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法，依次包括纳米侧墙的生成，以侧墙厚度定义晶体管栅的长度，以SiO2掩膜和栅的叠层为掩膜进行自对准的注氧隔离等步骤，其特征在于：(1)纳米侧墙的形成，其厚度为30～100nm；(2)以侧墙的厚度定义SiO2掩膜和多晶硅栅，SiO2掩膜厚度为100～800nm，栅的厚度为300～500nm，栅氧化层的厚度为1～30nm；(3)以多晶硅栅和其上的SiO2叠层掩模，进行源漏自对准的注氧隔离，注入离子的能量为20～200keV，剂量为1.0～7.0×1017cm-2，衬底温度为400～700℃；退火温度为1200～1375℃，退火时间为1～24个小时，退火气氛为Ar与O2的混合气体，其中O2的含量为0.1%～5%；(4)CMOS工艺完成器件的制造。
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公开(公告)号：CN1529349A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03151252.6
申请日：2003-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 清华大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/84
Abstract: 本发明公开了一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法，依次包括纳米侧墙的生成，以侧墙厚度定义晶体管栅的长度，以SiO2掩膜和栅的叠层为掩膜进行自对准的注氧隔离等步骤，其特征在于：(1)纳米侧墙的形成，其厚度为30～100nm；(2)以侧墙的厚度定义SiO2掩膜和多晶硅栅，SiO2掩膜厚度为100～800nm，栅的厚度为300～500nm，栅氧化层的厚度为1～30nm；(3)以多晶硅栅和其上的SiO2叠层掩模，进行源漏自对准的注氧隔离，注入离子的能量为20～200keV，剂量为1.0～7.0×1017cm－2，衬底温度为400～700℃；退火温度为1200～1375℃，退火时间为1～24个小时，退火气氛为Ar与O2的混合气体，其中O2的含量为0.1％～5％。(4)CMOS工艺完成器件的制造。
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公开(公告)号：CN1457088A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN03137307.0
申请日：2003-06-10
Applicant: 清华大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
Abstract: 本发明公开了属于微电子器件制造技术范围的一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺。这种工艺和体硅及SOI工艺完全兼容，只需在常规CMOS工艺基础上增加一块图形化注氧的掩膜版和在Si片上热生长或淀积注氧掩蔽层、用图形化注氧掩膜版光刻注氧掩蔽层、氧离子注入及高温退火形成掩埋SiO2层4个工艺步骤，制造出沟道有热、电通道结构的SOI MOSFET器件。该制造工艺简单、易控制，克服了SOI器件的浮体效应和自热效应，使SOI MOSFET器件的热稳定性和器件稳定工作的可靠性大大提高。
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公开(公告)号：CN101620952B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200810240374.5
申请日：2008-12-19
Applicant: 清华大学 , 上海得倍电子技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种欧姆接触式射频开关，包括绝缘材料衬底、下电极，还包括偏置线、金属桥及偏置电阻，所述金属桥的两端跨接在分开的CPW地极上；所述偏置线穿过所述金属桥连接至所述偏置电阻，对所述下电极进行驱动。本发明还对应提出一种欧姆接触式射频开关的集成工艺。本发明的技术方案使用玻璃、陶瓷等绝缘材料作为衬底，利用PECVD工艺制作的非晶硅薄膜作为偏置电阻，实现了偏置电阻的片上集成；同时通过特殊的工艺步骤，实现了欧姆接触式射频开关，使其保持了MEMS器件的可集成、偏置电路简单等优点。
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公开(公告)号：CN101159199A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710176081.0
申请日：2007-10-19
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及微机械开关低应力氮氧化硅桥膜的制备方法，属于半导体器件及集成电路制作技术领域。该方法为：在制备微机械开关的介质桥膜的步骤中，采用等离子增强化学气相淀积方法，在常规的工艺条件下，通过调节反应气体流量比，一次淀积制备出氮氧化硅介质层；所述的反应气体由硅烷、氨气和氧化二氮组成。采用本方法制备的氮氧化硅作为介质桥膜，可以降低开关的驱动电压。同时，本方法工艺简单，可得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN1322527C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200410077951.5
申请日：2004-09-21
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于微型半导体电子元器件范围的一种利用螺线圈电感结构调节谐振频率的微机械开关。是在硅衬底上依次为热氧化层、下极板、覆盖下极板的氮化硅层、连接上极板和下极板的牺牲层。在上极板两端的螺线圈电感结构连接上电极和共面波导地线。在工艺流程、机械性能和传统开关基本相当或相同条件下，通过对简单的结构的调节，方便地实现对电容式微机械开关谐振频率的可控调节，大幅度地降低电容式微机械开关的谐振频率；很大程度地改善开关隔离度。保证开关的机械强度和使用寿命。
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公开(公告)号：CN1114718C
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN99109821.8
申请日：1999-07-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种在硅衬底上直接电铸三维金属结构的方法和专用夹具，该方法为首先对被镀硅片进行双面掺杂处理，然后在硅表面形成微模具，再将硅片放入氢氟酸缓冲液清洗，将清洗过的硅片放入电镀液槽中，进行电铸，最后进行合金化处理。本发明的夹具包括压盖、夹具主体、输入电极、弹性金属和金属板等部件。利用本发明的方法和专用夹具，获得了各种金属结构，包扩金X射线掩模、用于生物芯片铁镍合金微结构阵列、镍微加速度传感器结构。
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公开(公告)号：CN1063557A
公开(公告)日：1992-08-12
申请号：CN91100410.6
申请日：1991-01-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于半导体测量技术，适用于半导体电学特性及绝缘体/半导体界面电学特性的测量。由于采用了脉冲电荷法新的测量技术，及由放大器、采样电路、积分器、反馈元件依次连接而成的新型漏电补偿反馈电路，并加入了微机控制，使本发明成为集“时域模式”、“瞬态电荷测量”及“漏电补偿”这样三个各有显著优点的因素于一体的实用测量系统，可以取代多种现有测量方法及装置，并能测量薄栅介质及漏电较大的MOS或MIS样品，可获取全部信息，且具有测量精度高等优点。
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