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公开(公告)号：CN102279206B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110166926.4
申请日：2011-06-21
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了半导体制造技术以及纳米材料应用技术领域中的一种热分析型化学及气体探测传感器，用于解决碳纳米管单独作为传感器应用存在的缺陷。包括半导体衬底、悬空结构、加热元件、测温元件、绝缘层和用于生长碳纳米管薄膜的催化剂层；悬空结构的两端固定在半导体衬底上，并且悬空结构的下表面与半导体衬底不接触；悬空结构的上表面布设加热元件和测温元件；加热元件和测温元件上表面布设绝缘层；催化剂层覆盖整个悬空结构和绝缘层。本发明采用直接生长的方式，将较高热导率和热稳定性的碳纳米管薄膜集成在悬空结构上，可以满足热分析传感器对于高吸附能力材料的要求，提高热分析型传感器的性能。
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公开(公告)号：CN102626617B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201210074930.2
申请日：2012-03-20
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了属于微型能源和催化技术领域的一种多孔硅负载三维铂纳米催化剂的制备方法。在多孔硅表面负载三维铂纳米催化剂的化学镀制备方法分为三个部分，首先是多孔硅膜的制备；其次是利用ICP和HF预处理对多孔硅膜进行表面修饰；最后是在经过表面修饰的多孔硅膜上化学镀三维铂纳米催化剂；本发明克服现有技术中利用溅射与电化学镀的方法制备催化剂存在的工艺条件苛刻，难于质量控制的缺陷，操作工艺简单，质量控制容易，特别适合微型直接甲醇燃料电池的生产工艺。
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公开(公告)号：CN101894844B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010199043.9
申请日：2010-06-04
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： 本发明涉及基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器，包括：硅衬底，源区、漏区，隔离层介质膜，铁电薄膜层，栅电极，源极，漏极，以及用于器件测量的衬底接触区和衬底接触电极；所述隔离层介质为：ZrO2、TiO2中的任意一种；所述铁电薄膜层为：Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)，各组份的摩尔比例为：Pb∶(Zr+Ti)∶O＝1∶1∶3，Zr∶Ti＝(1-x)∶x，x取值范围为0.1＜x＜1.0；该方法包括：对硅衬底进行清洗、氧化层；先后光刻，依次形成源漏区、衬底接触区并生长氧化层及栅区：生长隔离层介质薄膜和铁电薄膜：制备电极金属层：形成栅电极：形成接触孔：制备金属层，形成衬底接触电极金属层及合金化处理。本发明获得了大面积、均匀致密的、性能良好的存储介质薄膜和隔离层材料，用其制备的器件具有更小的漏电，更高的保持特性。
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公开(公告)号：CN101872768B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010202569.8
申请日：2010-06-11
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/02 , H01L21/31 , G11C11/22 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域，该器件的区别特征为隔离层介质为：ZrO2或TiO2；铁电薄膜层为BXT或BXFY中的任意一种：其中，X为掺杂的稀土元素，Y为掺杂的过渡金属元素。该方法包括：对硅衬底进行清洗及氧化：光刻形成源漏区和衬底接触区后生长氧化层：再光刻形成栅区后生长隔离层介质薄膜和铁电薄膜；在铁电薄膜上溅射电极金属层；再光刻和刻蚀形成栅电极、接触孔；源极、漏极以及衬底接触金属层及电极金属层；最后合金化处理。本发明可获得大面积、均匀致密的、性能良好的存储介质薄膜和隔离层材料，用其制备的FEDRAM器件具有更小的漏电，更高的保持特性。
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公开(公告)号：CN102290361A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110185954.0
申请日：2011-07-05
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了属于三维集成电路和微传感器芯片系统领域的一种适用于三维集成技术的模版对准方法。其技术方案如下：以深槽对准模板为定位基准，将平板对准装置嵌入深槽对准模板，两者在垂直方向上重叠；深槽对准模板的内侧面与平板对准装置的外侧面接触。本发明的有益效果为：1)不需要机械装置测量芯片的相对位置以及移动距离，亦不需要进行复杂的光学视觉对准过程，可以直接实现芯片到芯片、芯片到晶圆、或晶圆到晶圆的对准，具有很强的通用性；2)同时完成两层晶圆或芯片的对准与接触，能有效地避免机械转移过程所带来的误差，有利于实现高精度的晶圆或芯片对准。
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公开(公告)号：CN102231273A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110096874.8
申请日：2011-04-18
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提出一种无铅超声换能器及具有该无铅超声换能器的雷达测距系统。其中，雷达测距系统包括：主控器、至少一个无铅超声换能器和显示装置，其中，无铅超声换能器与主控器连接，且使用无铅压电材料；主控器产生电压激励信号并将其放大后发送至无铅超声换能器以使其发射超声波，超声波遇到障碍物后反射回无铅超声换能器后转化为电压信号后发送至主控器，主控器对电压信号进行处理以获得无铅超声换能器与障碍物之间的距离；显示装置与主控器连接，用于显示主控器计算出的距离。本发明的雷达测距系统应用基于无铅材料的超声换能器，实现了系统的环保化。而且，通过采用高性能的信号处理系统，补偿了无铅材料的弱压电性，实现了距离测定的高精度性。
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公开(公告)号：CN101894844A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010199043.9
申请日：2010-06-04
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： 本发明涉及基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器，包括：硅衬底，源区、漏区，隔离层介质膜，铁电薄膜层，栅电极，源极，漏极，以及用于器件测量的衬底接触区和衬底接触电极；所述隔离层介质为：ZrO2、TiO2中的任意一种；所述铁电薄膜层为：Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)，各组份的摩尔比例为：Pb∶(Zr+Ti)∶O＝1∶1∶3，Zr∶Ti＝(1-x)∶x，x取值范围为0.1＜x＜1.0；该方法包括：对硅衬底进行清洗、氧化层；先后光刻，依次形成源漏区、衬底接触区并生长氧化层及栅区：生长隔离层介质薄膜和铁电薄膜：制备电极金属层：形成栅电极：形成接触孔：制备金属层，形成衬底接触电极金属层及合金化处理。本发明获得了大面积、均匀致密的、性能良好的存储介质薄膜和隔离层材料，用其制备的器件具有更小的漏电，更高的保持特性。
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公开(公告)号：CN101244303B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810100806.2
申请日：2008-02-22
申请人： 清华大学
CPC分类号： A61B5/1411 , A61B5/14514 , A61B5/150022 , A61B5/150282 , A61B5/150984 , A61M37/0015 , A61M2037/003 , A61M2037/0053
摘要： 本发明公开了属于医疗、美容器械及微细加工技术领域的一种微型实心或空心硅针、硅针阵列及其制造方法。微型硅针针头的下端为柱状体，针头的上端针尖部分至少存在弧形或有一个或多个尖角形成针的顶点，顶点上开有与底面倒三角形沟槽相连的通孔，采用微电子工艺制备在(110)面晶向单晶硅片的正、反两面上，采用各向异性自停止湿法腐蚀的方法，同时批量加工出由6个硅(111)面形成的两种倒三角形沟槽，然后采用DRIE方法在正面倒三角形沟槽中同时形成硅针及其与反面倒三角形沟槽相连的通孔。本发明能够低成本、高产率、批量化的制造出结构坚固的实心、空心硅针阵列，在透皮给药、微量体液提取等生物医学领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101241882B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810102494.9
申请日：2008-03-21
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/768
摘要： 本发明公开一种基于SOI圆片的三维集成电路的实现方法。所述方法包括：刻蚀去除制造好集成电路的绝缘体上硅(SOI)圆片对应垂直互连的SOI器件层；利用有机聚合物将SOI圆片与辅助圆片临时键合，去除SOI圆片衬底将SOI层向辅助圆片转移；利用有机聚合物实现临时转移的SOI圆片和另一个制造好集成电路的底层圆片的背面对正面永久键合，形成叠加圆片；从叠加圆片正面刻蚀二氧化硅层和永久键合层形成垂直通孔，填充金属实现SOI层圆片与底层圆片的垂直互连。本发明在绝缘位置制造垂直互连解决深孔侧壁绝缘，降低了三维集成的制造难度。本方法可用于集成电路和微型传感器领域，实现多层芯片的背面对正面键合的三维集成。
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公开(公告)号：CN101714834A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910238145.4
申请日：2009-11-16
申请人： 清华大学
IPC分类号： H02N2/18
摘要： 一种碰撞式压电振动能量收集装置，属于压电材料能量转化与收集装置技术领域。装置包括支撑基片(2)、垫片(3)、振动块(4)、固定块(6)等；支撑基片(2)固定在垫片(3)上，垫片(3)固定在振动块(4)上，振动块(4)在环境振动或冲击的作用下与固定块之间产生相对运动，与固定块(6)发生碰撞，碰撞后支撑基片带动压电层以其自振频率振动。所述支撑基片为压电材料或固定有压电层(1)。所述支撑基片上有质量块(7)。本发明可以有效收集低频、高强度冲击能量，解决了因环境固有振动频率与振动结构谐振频率不易匹配、能量转换效率低等问题，适用于低频、冲击能量高、非连续振动环境，可应用于传感器或其他低功耗系统中自供电。
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