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公开(公告)号：CN116145238A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211734788.X
申请日：2022-12-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种晶体生长方法、装置及RF‑SOI基材，应用于晶体生长技术领域，其中晶体生长方法包括：控制第一超导线圈产生第一电流，以及控制第二超导线圈产生第二电流，其中第一电流的数值与第二电流的数值不相等，第一超导线圈和第二超导线圈为相对设置地分布于坩埚外且用于在坩埚内部产生磁场的超导线圈；基于所述第一电流和所述第二电流在所述坩埚内产生的非对称磁场进行单晶直拉生长。通过调整线圈电流比为1:n来获得非对称水平磁场，进而可以通过采用非对称水平磁场来抑制熔体流动，进而基于非对称水平磁场对熔体不同抑制作用可获得非对称对流结构，能够显著降低直拉法单晶硅晶体中的氧含量。
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公开(公告)号：CN114664657A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111269451.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种晶圆表面处理方法。本发明通过控制处理过程中各个阶段的气体配置以及相应的升温退火和降温氧化减薄过程，使最终晶圆表面粗糙度小于5A，有效减少了最终处理工艺成本，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114156179A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111269452.6
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种改善绝缘层上硅晶圆表面粗糙度的方法。本发明通过控制快速热处理过程中各个阶段的气体配置以及相应的升温退火过程，使最终晶圆表面粗糙度小于5A，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115662943A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211378498.6
申请日：2022-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上硅的制备方法，在p型掺杂单晶硅外延衬底上形成自下而上叠置的本征硅第一腐蚀停止层、锗硅合金第二腐蚀停止层及硅器件层，经氧化、键合、加固及研磨处理后，进行选择性腐蚀，通过p+/本征硅的选择性腐蚀，将位于锗硅合金第二腐蚀停止层上的本征硅第一腐蚀停止层的厚度偏差控制在100nm以内，继而通过第二次腐蚀以及第三次腐蚀，可将最终制备的绝缘体上硅薄膜的厚度偏差优化到小于5nm，表面粗糙度小于从而实现绝缘体上硅薄膜的平坦化制备。
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公开(公告)号：CN114188212A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111467522.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体衬底及其形成方法，形成方法通过形成第一多晶硅薄层和第二多晶硅薄层以分次形成总的多晶硅薄层，使得其具有更低的应力，及更随机的晶粒取向和更细小的晶粒尺寸，保持高的晶界密度，提高层间的电荷捕获能力；并且通过不同沉积温度下生长的多晶硅薄层的相互作用，以及在每次恒温退火处理后均经过两种降温速率的结合，使得第一多晶硅薄层及第二多晶硅薄层与初始半导体衬底之间的收缩速率减缓，降低了半导体衬底热膨胀失配的程度，减小了多晶硅薄层与初始半导体衬底之间的拉伸程度，使得半导体衬底的翘曲度进一步的降低，从而进一步降低了多晶硅薄层在生长过程中产生的应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114005751A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111276158.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种SOI晶圆的表面处理方法，包括以下步骤：提供一SOI晶圆，SOI晶圆包括背衬底、顶层硅和绝缘埋层，绝缘埋层位于背衬底和顶层硅之间，且顶层硅的表面粗糙度大于在第一目标温度下，通过第一恒温退火工艺去除顶层硅的表面自然氧化层，第一恒温退火工艺的气氛为氩气和氢气的混合气氛；以及从第一目标温度升温至第二目标温度，并在第二目标温度下，通过第二恒温退火工艺平坦化处理顶层硅的表面，所述第二恒温退火工艺的气氛为纯氩气气氛，以优化长时间的热退火处理的气氛，其相较于现有技术具有更好的平坦化效果，具体的，本方案的SOI晶圆的顶层硅的表面粗糙度小于
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公开(公告)号：CN113109625A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110374102.X
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅片导电类型的判定方法，包括：提供待测硅片，对所述待测硅片进行第一次电阻率测试，得到第一电阻率；对所述待测硅片进行热处理；对所述待测硅片进行第二次电阻率测试，得到第二电阻率；以及，对比所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述待测硅片的导电类型。本发明用于判断具有高电阻率的硅片的导电类型，且测试结果不受硅片的表面电荷的影响，操作简单，对设备的要求低，成本低廉。
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公开(公告)号：CN119545901A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411461368.8
申请日：2024-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅结构及其制备方法，包括衬底；所述衬底自下而上依次设置有不同孔隙率的多孔硅结构、氧化层、顶层硅层。制备方法包括如下步骤：(1)提供两片衬底，分别为第一衬底和第二衬底；(2)对第一衬底进行阳极氧化，通过改变工艺参数在第一衬底上形成不同孔隙率的多孔硅结构；(3)对第一衬底进行热处理，以稳定多孔硅结构；(4)将第一衬底与第二衬底键合，并通过热处理进行分离形成绝缘体上硅衬底；(5)对绝缘体上硅衬底表面进行热氧化处理，并用刻蚀剂去除氧化层以减薄顶层硅厚度；(6)对绝缘体上硅衬底表面进行高温热处理，得到平坦的顶层硅。本发明所制备的绝缘体上硅结构实现射频与光通信技术的单片集成。
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公开(公告)号：CN116364533A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310573286.1
申请日：2023-05-19
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种富陷阱绝缘体上硅结构及其制备方法，其中富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法包括以下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底具有正面，对所述正面进行粗糙化处理，以使得所述正面呈不平整的形貌；在所述正面形成表面处理层，所述表面处理层的表面也呈不平整的形貌；以及在所述表面处理层上形成多晶硅膜层，本发明通过粗糙化处理第一衬底，使得第一衬底的正面和表面处理层的表面均呈不平整的形貌，从而使得形成的多晶硅膜层有稳定的取向演变和晶粒尺寸，使多晶硅膜层具有更高的晶界密度，从而能够得到高效率的电荷捕获多晶硅膜层。
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公开(公告)号：CN114023643A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111273132.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种SOI晶圆的表面处理方法，包括以下步骤：提供一SOI晶圆，SOI晶圆包括背衬底、顶层硅和绝缘埋层，绝缘埋层位于背衬底和顶层硅之间，顶层硅的表面粗糙度大于在第一目标温度下，通过长时间热退火工艺对顶层硅的表面进行第一次平坦化处理；以及在第二目标温度下，通过快速热退火工艺对顶层硅的表面进行第二次平坦化处理，以将长时间热退火工艺和快速热退火工艺结合，优化了SOI晶圆，特别是SOI晶圆的表面粗糙度，使得经过上述两个工艺的平坦化处理的SOI晶圆的顶层硅的表面粗糙度满足工艺需求。
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