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公开(公告)号：CN101353779A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810134033.X
申请日：2008-07-22
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
Abstract: 本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al－Ni－La－Si体系Al－基合金溅射靶，其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al－Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；并且(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al－Ni－La－Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni－La－Si体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni－La－Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。
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公开(公告)号：CN101353779B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810134033.X
申请日：2008-07-22
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
Abstract: 本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶，其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al-Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；并且(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni-La-Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。
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公开(公告)号：CN106575629A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580035431.4
申请日：2015-07-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/66 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L22/12 , G01R31/2656 , H01L22/14 , H01L27/14649 , H01L27/1465 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有：第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和第2步骤，在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。
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公开(公告)号：CN102165847A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137648.0
申请日：2009-11-09
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01L51/5218 , H01L27/3244 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供一种用于有机EL显示器的反射阳极电极，其具备的Al合金反射膜能够实现与氧化物导电膜的低接触电阻，同时能够实现优异的反射率。本发明的用于有机EL显示器的反射阳极电极的制造方法，其特征在于，在基板上形成含有0.1～2原子％Ni或Co的Al合金膜，在真空或惰性气体气氛下，以150℃以上的温度对所述Al合金膜实施热处理，接着，以与所述Al合金膜直接接触的方式形成氧化物导电膜。
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公开(公告)号：CN100511690C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610114892.3
申请日：2006-08-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中使用源极/漏极电极。所述的源极/漏极电极包含含氮层和纯铝或铝合金的薄膜。所述含氮层的氮结合至所述薄膜晶体管半导体层的硅上，并且将所述的纯铝或铝合金的薄膜通过所述的含氮层连接至所述的薄膜晶体管半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101410999A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011552.0
申请日：2007-03-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01F1/692 , B81B2201/0278 , B81B2203/0127 , B81C1/00666 , B81C2201/0169 , B81C2201/0178 , C23C16/402 , C23C16/56 , Y10T428/24488 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明提供一种可以容易地制造、具有优异的绝热性能和高质量的膜片结构元件。还提供一种用于制造这种膜片结构元件的方法。所述膜片结构元件配置有由氧化硅膜形成的膜片，以及基板，所述基板通过支持所述膜片的外围的一部分而以中空状态支持所述膜片。用于制造这种膜片的方法具有：膜形成步骤，即通过等离子体CVD法在硅基板(2)的表面侧上形成热收缩性氧化硅膜(13)；热处理步骤，即使用加热进行热处理以使形成在所述基板(1)上的所述氧化硅膜(13)收缩；以及去除步骤，即去除所述基板(2)的一部分，使得所述氧化硅膜(13)与所述膜片对应的部分作为膜片相对于所述基板(2)以中空状态被支持，并且形成凹部(4)。
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公开(公告)号：CN1721827A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510081955.5
申请日：2005-07-05
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01L31/028 , G01J1/429 , H01L31/09 , H01L31/1085 , Y02E10/547
Abstract: 金刚石元件安装在设有一对金属互连件的、厚度不超过3毫米的绝缘基底材料上。在金刚石元件中，用作检测层的绝缘金刚石层沉积在衬底上，一对叉指型电极沉积在该绝缘金刚石层的表面上。金刚石元件的叉指型电极通过引线连接在沉积于绝缘基底材料上的金属互连件上。绝缘基底材料可透射待检测的紫外线辐射。即使在灯与照射目标之间的距离较短时，金刚石传感器也能够稳定地检测紫外线辐射。
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公开(公告)号：CN106575629B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201580035431.4
申请日：2015-07-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/66 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有：第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和第2步骤，在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。
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公开(公告)号：CN106463433A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580031246.8
申请日：2015-06-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/66 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 提供一种在具有形成于氧化物半导体薄膜的表面的保护膜的TFT中，对于起因于氧化物半导体薄膜和保护膜的界面态的缺陷，不用实际测量其特性而简便评价的方法。本发明的评价方法，通过接触式方法或非接触式方法测量氧化物半导体薄膜的电子态，从而评价起因于上述界面态的缺陷。起因于上述界面态的缺陷，为下述(1)～(3)的某一个。(1)向薄膜晶体管外加正偏压时的阈值电压Vth；(2)对薄膜晶体管外加正偏压时，外加前后的阈值电压的差ΔVth；(3)多次测量向薄膜晶体管外加正偏压时的阈值电压时，第一次测量时的阈值。
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公开(公告)号：CN101542696A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780044289.5
申请日：2007-11-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge 0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。
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