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公开(公告)号：CN101542696A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780044289.5
申请日：2007-11-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge 0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。
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公开(公告)号：CN100412661C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610091236.6
申请日：2006-06-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G09F9/00
Abstract: 一种显示装置，其中互连—包含Cu合金膜和透明导电膜的电极不经由难熔金属薄膜而直接连接，其中所述Cu合金膜含有总量为0.1原子%～3.0原子%的Zn和/或Mg或总量为0.1原子%～0.5原子%的Ni和/或Mn，从而不使用势垒金属，能够在Cu合金膜与透明电极之间低电阻率地直接连接，并且在例如应用到液晶显示器的情况中给出高的显示质量。
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公开(公告)号：CN111226307B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201880067635.X
申请日：2018-10-29
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供氧化物半导体薄膜，使用该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管，其制造成本比较低，形成薄膜晶体管时的载流子迁移率和光应力耐性高。本发明的氧化物半导体薄膜，含有In、Zn和Fe，相对于In、Zn和Fe的合计原子数，In的原子数为20atm％以上并在89atm％以下，Zn的原子数为10atm％以上并在79atm％以下，Fe的原子数为0.2atm％以上并在2atm％以下。本发明包括具有该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN101330102B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200810108563.7
申请日：2008-05-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/43 , H01L29/786 , H01L27/12 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 提供一种技术，即使省略势垒金属层，也能够发挥优异的TFT特性，并能够将源-漏配线直接且确实地连接在TFT的半导体层上。在具有薄膜晶体管的半导体层(33)和源-漏电极(28、29)的薄膜晶体管基板中，源-漏电极(28、29)由含有氧的含氧层(28a、29a)、和纯Cu或Cu合金的薄膜(28b、29b)构成。构成含氧层的氧的一部分或全部与薄膜晶体管的半导体层(33)的Si结合。另外，纯Cu或Cu合金的薄膜(28a、29a)经由含氧层(28a、29a)与薄膜晶体管的半导体层(33)连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100511690C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610114892.3
申请日：2006-08-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中使用源极/漏极电极。所述的源极/漏极电极包含含氮层和纯铝或铝合金的薄膜。所述含氮层的氮结合至所述薄膜晶体管半导体层的硅上，并且将所述的纯铝或铝合金的薄膜通过所述的含氮层连接至所述的薄膜晶体管半导体层。
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公开(公告)号：CN1877428A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610091236.6
申请日：2006-06-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G09F9/00
Abstract: 一种显示装置，其中互连—包含Cu合金膜和透明导电膜的电极不经由难熔金属薄膜而直接连接，其中所述Cu合金膜含有总量为0.1原子％～3.0原子％的Zn和/或Mg或总量为0.1原子％～0.5原子％的Ni和/或Mn，从而不使用势垒金属，能够在Cu合金膜与透明电极之间低电阻率地直接连接，并且在例如应用到液晶显示器的情况中给出高的显示质量。
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公开(公告)号：CN118922578A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380027757.7
申请日：2023-03-08
Applicant: 株式会社神户制钢所 , 株式会社莫尓蒂诺刀具
IPC: C23C14/06
Abstract: 本发明的被覆构件包括：基材；以及硬质覆膜，形成于基材的表面，并且含有金属元素的氮化物或碳氮化物，其中，在硬质覆膜含有的金属元素和半金属元素的总量中，Al含量为65原子％以上且85原子％，Cr含量为15原子％以上且35原子％以下，并且，Al和Cr的合计含量为90原子％以上且100原子％以下，在根据透射电子显微镜的选区衍射图案求出的强度分布中，在基材附近和在表面附近显示最大峰强度的晶面不相同，在基材附近，与面心立方晶格结构的(111)面或(200)面对应的峰显示最大强度，在表面附近，与面心立方晶格结构的(220)面对应的峰强度为在与面心立方晶格结构的(200)面对应的峰强度和与(111)面对应的峰强度中的较大者的0.6倍以上。
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公开(公告)号：CN101083269B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200710103204.8
申请日：2007-05-10
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/43 , G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC classification number: H01L29/458 , H01L29/78609
Abstract: 提供一种可以省略在薄膜晶体管的半导体层和源电极及漏电极之间形成壁垒金属(无需在薄膜晶体管的半导体层和源电极及漏电极之间形成壁垒金属)的薄膜晶体管基板及显示器件。(1)一种薄膜晶体管基板，具有：薄膜晶体管的半导体层；源电极、漏电极；以及透明导电膜，其中，具有所述源电极及漏电极与所述薄膜晶体管的半导体层直接连接的构造，并且所述源电极及漏电极由含有0.1～6.0原子％的Ni、0.1～1.0原子％的La、0.1～1.5原子％的Si的Al合金薄膜构成，(2)一种设有所述薄膜晶体管基板的显示器件等。
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公开(公告)号：CN101542696B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200780044289.5
申请日：2007-11-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。
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