公开(公告)号：CN103154308B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180048311.X

申请日：2011-10-05

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 松本克史 ,  高木胜寿 ,  武富雄一 ,  中井淳一 ,  莳野秀忠 ,  高木敏晃

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/115 ,  B22F3/15 ,  B22F3/24 ,  C22C1/02 ,  C22C1/04 ,  C22C21/00 ,  C22F1/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F3/115 ,  B22F3/15 ,  B22F3/24 ,  C22C1/0416 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586

Abstract: 本发明提供使用了溅射靶时的成膜速度(溅射速率)被提高、理想的是能够防止飞溅的发生的Al基合金溅射靶。本发明的Al基合金溅射靶含有Ta。优选的是含有Al及Ta的Al-Ta系金属间化合物的平均粒子直径为0.005μm以上且1.0μm以下，且Al-Ta系金属间化合物的平均粒子间距离满足0.01μm以上且10.0μm以下。

公开(公告)号：CN101691656B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200910132938.8

申请日：2009-03-31

Applicant: 株式会社钢臂功科研 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 高木胜寿 ,  岩崎祐纪 ,  得平雅也 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/34 ,  C22C21/00 ,  C22C21/12 ,  C22F1/04 ,  C22F1/057

CPC classification number: C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种能减少使用含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶成膜时产生的飞溅的技术。含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶中，使用扫描型电子显微镜(2000倍)观察垂直于所述溅射靶的平面的截面的1/4t～3/4t(t为厚度)的部位时，(1)关于以Al和Ni为主体的Al-Ni系金属间化合物，平均粒径为0.3μm～3μm的Al-Ni系金属间化合物的总面积相对于Al-Ni系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％，(2)关于以Al、La和Cu为主体的Al-La-Cu系金属间化合物，平均粒径为0.2μm～2μm的Al-La-Cu系金属间化合物的总面积相对于Al-La-Cu系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％。

公开(公告)号：CN100523279C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610009203.2

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 钉宫敏洋 ,  高木胜寿 ,  松崎均 ,  喜多下幸太郎 ,  米田阳一郎

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C22C1/0416 ,  B22F2003/248 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C21/00 ,  C23C14/3414 ,  B22F9/082 ,  B22F3/1208 ,  B22F3/15 ,  B22F3/17 ,  B22F3/18 ,  B22F3/24 ,  B22F2201/02

Abstract: 本发明提供一种可以减小制造时以及使用时所产生的翘曲(变形)，并能够高精度、高效率地制造靶，而且可以进行稳定的成膜作业的Al-Ni-稀土类元素合金溅射靶。是一种包含Ni以及1或2种以上稀土类元素的Al基合金溅射靶，其特征在于，在以倍率：2000倍以上观察与该靶平面垂直的剖面的时候，纵横尺寸比为2.5以上、且当量圆直径为0.2μm以上的化合物存在5.0×104个/mm2以上。

公开(公告)号：CN100339900C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200410090068.X

申请日：2004-11-01

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 中井淳一 ,  田内裕基 ,  高木胜寿

IPC: G11B7/24 ,  G11B11/10 ,  C23C14/14

CPC classification number: G11B7/258 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/2585

Abstract: 本发明提供(1)光信息记录用铝合金反射膜，以Al为主成分，含有1.0～10.0原子数量%的稀土类元素中的至少1种，此外，含有0.5～5.0原子数量%的Cr、Ta、Ti、Mo、V、W、Zr、Hf、Nb、Ni中的至少1种，(2)在上述铝合金反射膜中，含有1.0～5.0原子数量%的Fe、Co中的至少1种，或含有1.0～10.0原子数量%的In、Zn、Ge、Cu、Li中的至少1种，(3)光信息记录介质，具有上述铝合金反射膜，(4)所述铝合金构成的溅射靶材。根据本发明可以实现具有低导热率、低熔化温度、高耐腐蚀性的与激光标记对应的光信息记录用铝合金反射膜及其形成用溅射靶材、光信息记录介质。

公开(公告)号：CN1280446C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200410044707.9

申请日：2004-05-17

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 高木胜寿 ,  中井淳一 ,  田内裕基 ,  佐藤俊树 ,  松崎均 ,  藤井秀夫

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C5/06 ,  C22C12/00

CPC classification number: C22C5/06 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种Ag-Bi基合金溅射靶以及该溅射靶的制备方法，其特征在于，溅射靶的析出Bi强度为0.01原子%-1或以下，其是根据下式，基于X-射线衍射的分析结果计算出来的。析出Bi强度＝[IBi(102)/(IAg(111)+IAg(200)+IAg(220)+IAg(311))]/[Bi]该溅射靶的Bi固溶于Ag中。根据本发明，在使用该溅射靶形成薄膜时，可以抑制其薄膜之中Bi含量相对于溅射靶Bi含量的显著降低。

公开(公告)号：CN1256461C

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN03127461.7

申请日：2003-08-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基 ,  高木胜寿 ,  中井淳一 ,  佐藤俊树

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: C22C5/06 ,  C22C1/002 ,  C22C5/08 ,  C23C14/024 ,  C23C14/185 ,  C23C14/205 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/584 ,  G02B5/0808 ,  G11B7/252 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/257 ,  G11B7/258 ,  G11B7/259 ,  G11B7/266 ,  Y10T428/10 ,  Y10T428/1059 ,  Y10T428/1095 ,  Y10T428/12 ,  Y10T428/12431 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12924 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明涉及Ag合金膜，尤其适合用于光信息记录介质领域中具有高导热系数、高反射率、高耐久性的光信息记录介质用反射膜和半透过反射膜、耐Ag凝集性优异的电磁波屏蔽用膜、反射型液晶显示元件等背面光反射膜。本发明Ag合金膜是由Bi和/或Sb合计含有0.005～10%(指原子%)的Ag合金膜构成。本发明进而涉及用于这种Ag合金膜的成膜的溅射靶。

公开(公告)号：CN1624176A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410100020.2

申请日：2004-11-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 高木胜寿 ,  中井淳一 ,  富久胜文 ,  田内裕基 ,  钉宫敏洋

IPC: C22C5/06 ,  C23C14/34

CPC classification number: C22C5/06 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  Y10T428/12896

Abstract: 本发明提供一种兼有低电阻率、高耐热性的FPD用Ag基合金配线电极膜、以及用于形成该Ag基合金配线电极膜的FPD用Ag基合金溅射靶、以及具备该Ag基合金配线电极膜的FPD。本发明的FPD用Ag基合金配线电极膜，在有源型FPD的情况下，构成连接到用于使其驱动的TFT2上的配线电极膜(3)、(4)、(5)、(6)、(7)。所述配线电极膜，由含有0.1～4.0at％的Nd、和/或0.01～1.5at％的Bi、剩余部分实质上由Ag构成的Ag基合金形成。除了Nd之外，所述Ag基合金还可以含有合计0.01～1.5at％的选自由Cu、Au、Pd构成的物质组中的一种或者两种以上元素。

公开(公告)号：CN101353779B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200810134033.X

申请日：2008-07-22

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 高木胜寿 ,  岩崎祐纪 ,  得平雅也 ,  南部旭 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  川上信之

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/0491 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  B22F9/082 ,  B22F3/115 ,  B22F3/15 ,  B22F3/17 ,  B22F3/18

Abstract: 本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶，其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al-Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；并且(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni-La-Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。

公开(公告)号：CN101187007A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710192798.4

申请日：2007-11-20

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 得平雅也 ,  高木胜寿 ,  钉宫敏洋 ,  米田阳一郎 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00 ,  C22C1/02 ,  B22D17/00 ,  C22F1/04

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F3/115 ,  B22F3/15 ,  B22F3/17 ,  B22F3/18 ,  B22F9/082 ,  B22F2998/10 ,  C22C21/00 ,  C23C4/08 ,  C23C4/123 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429

Abstract: 本发明涉及一种含有Ni和La的Al－Ni－La体系Al－基合金溅射靶，其中，当通过扫描电子显微镜在2000倍的放大倍数观察垂直于溅射靶平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al－Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；和(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al－La体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－La体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－La体系金属间化合物主要由Al和La组成。

公开(公告)号：CN1847448A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610073570.9

申请日：2006-04-10

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 高木胜寿 ,  钉宫敏洋 ,  富久胜文

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14

Abstract: 一种主要包含Al的Al基溅射靶的凹面缺陷总数为45000或更少/平方毫米单位表面积，所述的凹面缺陷的最大深度为0.2μm或更大和当量面积直径为0.2μm或更大，所述的单位表面积为相当于溅射面的所述溅射靶表面的单位表面积。另一种Al基溅射靶在该表面上的凹面缺陷总数为15000或更少/平方毫米单位表面积，所述的凹面缺陷的最大深度为0.1μm或更大和当量面积直径为0.5μm或更大。这些溅射靶减少了在它们使用时发生的溅射故障(飞溅和/或弓形)的周期和数量，特别是在它们使用的早期阶段发生的溅射故障(飞溅和/或弓形)的周期和数量。