公开(公告)号：CN1828902A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610059731.9

申请日：2006-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小山正人 ,  西山彰 ,  土屋义规 ,  市原玲华

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：P沟道MIS晶体管，包括N型半导体层、在N型半导体层上形成的并含有金属的碳化合物的第一栅绝缘层；和N沟道MIS晶体管，包括P型半导体层、在P型半导体层上形成的第二栅绝缘层以及在第二栅绝缘层上形成的第二栅电极。

公开(公告)号：CN1123470A

公开(公告)日：1996-05-29

申请号：CN95118446.6

申请日：1995-09-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉见信 ,  稻叶聪 ,  村越笃 ,  寺内卫 ,  执行直之 ,  松下嘉明 ,  青木正身 ,  滨本毅司 ,  石桥裕 ,  尾崎彻 ,  H·川口谷 ,  松泽一也 ,  有隅修 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

Abstract: 一种半导体器件结构及制造方法，在改善MOSFET、MOSSIT和MISFET等绝缘栅晶体管的漏击穿电压时降低漏电流，改善存储单元如用这些晶体管作开关晶体管的DRAM的保持特性，改善传输门中栅氧化膜的可靠性，具体地，在SOI·IG-器件的源区或漏区内部形成窄带隙半导体如SixGe1-x、SixSn1-x、PbS。选择窄带隙半导体区在SOI膜中的位置和/或摩尔百分比，或选择杂质元素，补偿晶格失配，抑制缺陷的产生。

公开(公告)号：CN1828902B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200610059731.9

申请日：2006-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小山正人 ,  西山彰 ,  土屋义规 ,  市原玲华

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：P沟道MIS晶体管，包括N型半导体层、在N型半导体层上形成的并含有金属的碳化合物的第一栅绝缘层；和N沟道MIS晶体管，包括P型半导体层、在P型半导体层上形成的第二栅绝缘层以及在第二栅绝缘层上形成的第二栅电极。

公开(公告)号：CN101009282A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610164166.2

申请日：2006-12-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小山正人 ,  市原玲华 ,  土屋义规 ,  上牟田雄一 ,  西山彰

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备：衬底；在上述衬底上形成的p沟道MIS晶体管，上述p沟道MIS晶体管在n阱中形成，具备在上述n阱上形成的第1栅绝缘膜和由在上述第1栅绝缘膜上形成的结晶质Ta－C合金构成的第1栅电极，在上述第1栅电极的膜厚方向上的TaC(111)面的结晶取向比率[TaC(111)面/{TaC(111)面+TaC(200)面}]大于等于80％；在上述衬底上形成的n沟道MIS晶体管，上述n沟道MIS晶体管在p阱中形成，具备在上述p阱上形成的第2栅绝缘膜和由在上述第2栅绝缘膜上形成的结晶质Ta－C合金构成的第2栅电极，在上述第2栅电极的膜厚方向上的TaC(111)面的结晶取向比率[TaC(111)面/{TaC(111)面+TaC(200)面}]小于等于60％。

公开(公告)号：CN100521210C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610164166.2

申请日：2006-12-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小山正人 ,  市原玲华 ,  土屋义规 ,  上牟田雄一 ,  西山彰

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备：衬底；在上述衬底上形成的p沟道MIS晶体管，上述p沟道MIS晶体管在n阱中形成，具备在上述n阱上形成的第1栅绝缘膜和由在上述第1栅绝缘膜上形成的结晶质Ta-C合金构成的第1栅电极，在上述第1栅电极的膜厚方向上的TaC(111)面的结晶取向比率[TaC(111)面/{TaC(111)面+TaC(200)面}]大于等于80%；在上述衬底上形成的n沟道MIS晶体管，上述n沟道MIS晶体管在p阱中形成，具备在上述p阱上形成的第2栅绝缘膜和由在上述第2栅绝缘膜上形成的结晶质Ta-C合金构成的第2栅电极，在上述第2栅电极的膜厚方向上的TaC(111)面的结晶取向比率[TaC(111)面/{TaC(111)面+TaC(200)面}]小于等于60%。

公开(公告)号：CN1571166A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410068426.7

申请日：2004-02-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平野泉 ,  小山正人 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 提供一种使用可以降低绝缘膜的泄漏电流的金属硅酸盐膜等的半导体器件及其简单制造方法。提供一种半导体器件，其特征在于包括硅：硅基板(10)；在硅基板(10)上形成的含有硅、氧、氮和金属的栅绝缘膜(12′)，栅绝缘膜具有与硅基板(10)连接的第一层区域、在栅绝缘膜(12′)的第一层区域相对侧的第二层区域、以及在第一层区域和第二层区域之间的第三层区域，所述第三层区域的金属的最大浓度比第一和第二层区域的金属的浓度的最小值高，第三层区域的氮的最大浓度比第一和第二层区域的氮浓度的最小值高；与第二层区域连接的栅电极；和在栅绝缘膜两侧形成的一对源/漏区。

公开(公告)号：CN100382332C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410059597.3

申请日：2004-02-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小池正浩 ,  小山正人 ,  井野恒洋 ,  上牟田雄一 ,  高岛章 ,  铃木正道 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括衬底；在上述衬底上形成并且含有金属、Si、N和O的绝缘薄膜，含有大于金属-金属键与金属-硅键的总和的金属-N键的绝缘薄膜；以及形成在上述衬底薄膜上的电极。

公开(公告)号：CN1551371A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410059597.3

申请日：2004-02-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小池正浩 ,  小山正人 ,  井野恒洋 ,  上牟田雄一 ,  高岛章 ,  铃木正道 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括衬底；在上述衬底上形成并且含有金属、Si、N和O的绝缘薄膜，含有大于金属－金属键与金属－硅键的总和的金属－N键的绝缘薄膜；以及形成在上述衬底薄膜上的电极。

公开(公告)号：CN100485969C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200710112031.6

申请日：2004-02-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平野泉 ,  小山正人 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 提供一种使用可以降低绝缘膜的泄漏电流的金属硅酸盐膜等的半导体器件及其简单制造方法。提供一种半导体器件，其特征在于包括：硅基板(10)；在硅基板(10)上形成的含有硅、氧、氮和金属的栅绝缘膜(12’)，栅绝缘膜具有与硅基板(10)连接的第一层区域、在栅绝缘膜(12’)的第一层区域相对侧的第二层区域、以及在第一层区域和第二层区域之间的第三层区域，所述第三层区域的金属的最大浓度比第一和第二层区域的金属的浓度的最小值高，第三层区域的氮的最大浓度比第一和第二层区域的氮浓度的最小值高；与第二层区域连接的栅电极；和在栅绝缘膜两侧形成的一对源/漏区。

公开(公告)号：CN100356581C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200410068426.7

申请日：2004-02-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平野泉 ,  小山正人 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 提供一种使用可以降低绝缘膜的泄漏电流的金属硅酸盐膜等的半导体器件及其简单制造方法。提供一种半导体器件，其特征在于包括：硅基板(10)；在硅基板(10)上形成的含有硅、氧、氮和金属的栅绝缘膜(12’)，栅绝缘膜具有与硅基板(10)连接的第一层区域、在栅绝缘膜(12’)的第一层区域相对侧的第二层区域、以及在第一层区域和第二层区域之间的第三层区域，所述第三层区域的金属的最大浓度比第一和第二层区域的金属的浓度的最小值高，第三层区域的氮的最大浓度比第一和第二层区域的氮浓度的最小值高；与第二层区域连接的栅电极；和在栅绝缘膜两侧形成的一对源/漏区。