公开(公告)号：CN1828902A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610059731.9

申请日：2006-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小山正人 ,  西山彰 ,  土屋义规 ,  市原玲华

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：P沟道MIS晶体管，包括N型半导体层、在N型半导体层上形成的并含有金属的碳化合物的第一栅绝缘层；和N沟道MIS晶体管，包括P型半导体层、在P型半导体层上形成的第二栅绝缘层以及在第二栅绝缘层上形成的第二栅电极。

公开(公告)号：CN1828902B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200610059731.9

申请日：2006-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小山正人 ,  西山彰 ,  土屋义规 ,  市原玲华

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：P沟道MIS晶体管，包括N型半导体层、在N型半导体层上形成的并含有金属的碳化合物的第一栅绝缘层；和N沟道MIS晶体管，包括P型半导体层、在P型半导体层上形成的第二栅绝缘层以及在第二栅绝缘层上形成的第二栅电极。

公开(公告)号：CN101009282A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610164166.2

申请日：2006-12-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小山正人 ,  市原玲华 ,  土屋义规 ,  上牟田雄一 ,  西山彰

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备：衬底；在上述衬底上形成的p沟道MIS晶体管，上述p沟道MIS晶体管在n阱中形成，具备在上述n阱上形成的第1栅绝缘膜和由在上述第1栅绝缘膜上形成的结晶质Ta－C合金构成的第1栅电极，在上述第1栅电极的膜厚方向上的TaC(111)面的结晶取向比率[TaC(111)面/{TaC(111)面+TaC(200)面}]大于等于80％；在上述衬底上形成的n沟道MIS晶体管，上述n沟道MIS晶体管在p阱中形成，具备在上述p阱上形成的第2栅绝缘膜和由在上述第2栅绝缘膜上形成的结晶质Ta－C合金构成的第2栅电极，在上述第2栅电极的膜厚方向上的TaC(111)面的结晶取向比率[TaC(111)面/{TaC(111)面+TaC(200)面}]小于等于60％。

公开(公告)号：CN101540327A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910128787.9

申请日：2009-03-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小池正浩 ,  三谷祐一郎 ,  中崎靖 ,  小山正人

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供一种具有以下隧道绝缘膜的非易失性半导体存储装置，该隧道绝缘膜即使将EOT作薄也能抑制低电场中的泄漏电流，并且提高高电场中的泄漏电流。该非易失性半导体存储装置包括存储元件，该存储元件包括：半导体基板；在半导体基板上隔开地形成的源区和漏区；第1绝缘膜，形成在源区和漏区之间的半导体基板上，具有通过添加与基材不同的元素而形成的捕获和释放电子的位置的、包括不同介电常数的绝缘层，上述捕获和释放电子的位置处于比构成上述半导体基板的材料的费米能级高的能级；在上述第1绝缘膜上形成的电荷蓄积膜；在上述电荷蓄积膜上形成的第2绝缘膜；以及在上述第2绝缘膜上形成的控制栅电极。

公开(公告)号：CN100521210C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610164166.2

申请日：2006-12-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小山正人 ,  市原玲华 ,  土屋义规 ,  上牟田雄一 ,  西山彰

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备：衬底；在上述衬底上形成的p沟道MIS晶体管，上述p沟道MIS晶体管在n阱中形成，具备在上述n阱上形成的第1栅绝缘膜和由在上述第1栅绝缘膜上形成的结晶质Ta-C合金构成的第1栅电极，在上述第1栅电极的膜厚方向上的TaC(111)面的结晶取向比率[TaC(111)面/{TaC(111)面+TaC(200)面}]大于等于80%；在上述衬底上形成的n沟道MIS晶体管，上述n沟道MIS晶体管在p阱中形成，具备在上述p阱上形成的第2栅绝缘膜和由在上述第2栅绝缘膜上形成的结晶质Ta-C合金构成的第2栅电极，在上述第2栅电极的膜厚方向上的TaC(111)面的结晶取向比率[TaC(111)面/{TaC(111)面+TaC(200)面}]小于等于60%。

公开(公告)号：CN1571166A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410068426.7

申请日：2004-02-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平野泉 ,  小山正人 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 提供一种使用可以降低绝缘膜的泄漏电流的金属硅酸盐膜等的半导体器件及其简单制造方法。提供一种半导体器件，其特征在于包括硅：硅基板(10)；在硅基板(10)上形成的含有硅、氧、氮和金属的栅绝缘膜(12′)，栅绝缘膜具有与硅基板(10)连接的第一层区域、在栅绝缘膜(12′)的第一层区域相对侧的第二层区域、以及在第一层区域和第二层区域之间的第三层区域，所述第三层区域的金属的最大浓度比第一和第二层区域的金属的浓度的最小值高，第三层区域的氮的最大浓度比第一和第二层区域的氮浓度的最小值高；与第二层区域连接的栅电极；和在栅绝缘膜两侧形成的一对源/漏区。

公开(公告)号：CN100382332C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410059597.3

申请日：2004-02-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小池正浩 ,  小山正人 ,  井野恒洋 ,  上牟田雄一 ,  高岛章 ,  铃木正道 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括衬底；在上述衬底上形成并且含有金属、Si、N和O的绝缘薄膜，含有大于金属-金属键与金属-硅键的总和的金属-N键的绝缘薄膜；以及形成在上述衬底薄膜上的电极。

公开(公告)号：CN101034717A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710084476.8

申请日：2007-03-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 土屋义规 ,  小山正人 ,  吉木昌彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/785

Abstract: 按照本发明的一个方面，一种半导体器件包括：N沟道MIS晶体管，包括：p型半导体层；形成在p型半导体层上的第一栅极绝缘层；形成在第一栅极绝缘层上的第一栅极电极；和形成在p型半导体层中的第一源极－漏极区域，其中第一栅极电极沿着栅极长度的方向夹在该第一源极－漏极区域中。第一栅极电极包括含有NiSi2的立方晶体的晶相，NiSi2的立方晶体具有5.39埃至5.40埃的晶格常数。

公开(公告)号：CN1838430A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610059212.2

申请日：2006-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 土屋义规 ,  小山正人 ,  西野弘刚

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/785

Abstract: 用半导体衬底以及提供在半导体衬底上的p型MIS晶体管和n型MIS晶体管，制作了一种MIS型半导体器件，此p型MIS晶体管包括由锗以及选自钽、钒、铌的一种元素所构成的栅电极。

公开(公告)号：CN1551371A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410059597.3

申请日：2004-02-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小池正浩 ,  小山正人 ,  井野恒洋 ,  上牟田雄一 ,  高岛章 ,  铃木正道 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括衬底；在上述衬底上形成并且含有金属、Si、N和O的绝缘薄膜，含有大于金属－金属键与金属－硅键的总和的金属－N键的绝缘薄膜；以及形成在上述衬底薄膜上的电极。