公开(公告)号：CN103403807B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201280010795.3

申请日：2012-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高岛章 ,  宫川英典 ,  藤井章辅 ,  松下大介

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0097 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0088 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/77

Abstract: 根据一个实施例，非易失性半导体存储器设备包括存储器单元阵列和控制电路。该存储器单元阵列包括存储器单元，每一个存储器单元都包括可变电阻元件，其中在复位操作中流动的复位电流比在置位操作中流动的置位电流小不少于一个数量级。该控制电路对存储器单元执行复位操作和置位操作。该控制电路对处于低电阻状态并连接到选择的第一互连和选择的第二互连的所有存储器单元执行复位操作。

公开(公告)号：CN100565931C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200710086346.8

申请日：2007-03-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西川幸江 ,  高岛章 ,  清水达雄

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7885

Abstract: 本发明涉及一种非易失性半导体存储器件中的存储单元，其包括隧穿绝缘膜、由包含Si的导电材料制成的浮动栅电极、由稀土氧化物、稀土氮化物或稀土氧氮化物制成的电极间绝缘膜、控制栅电极、以及在浮动栅电极和电极间绝缘膜之间形成的金属硅化膜。

公开(公告)号：CN101378083A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810213079.0

申请日：2008-08-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有吉恵子 ,  高岛章 ,  菊地祥子 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 根据本发明的一个实例的非易失性半导体存储器件包括半导体区域，在半导体区域中分开地布置的源极/漏极区，布置在源极/漏极区之间的沟道区域上的隧道绝缘薄膜，布置在隧道绝缘薄膜上的浮栅电极，布置在浮栅电极上的电极间绝缘薄膜，以及布置在电极间绝缘薄膜上的控制栅电极。电极间绝缘薄膜包含La、Al和Si。

公开(公告)号：CN100461427C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610068044.3

申请日：2006-03-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡边浩志 ,  木下敦宽 ,  高岛章 ,  萩岛大辅

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324

Abstract: 一种非易失性半导体存储器件，包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的多个隔离区域；形成在相邻隔离区域之间的元件形成区域；提供在元件形成区域上的第一栅极绝缘膜；提供在第一栅极绝缘膜上的浮栅电极，在沿着垂直于隔离区域延伸方向的方向上的剖面中，浮栅电极面对元件形成区域的下边缘的宽度小于元件形成区域的宽度；提供在浮栅电极上的第二栅极绝缘膜；和提供在第二栅极绝缘膜上的控制栅极电极。

公开(公告)号：CN103403867B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201280010756.3

申请日：2012-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫川英典 ,  高岛章 ,  藤井章辅

IPC: H01L27/105 ,  G11C13/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L45/1253 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145 ,  H01L45/148

Abstract: 根据一个实施例，非易失性电阻变化元件包括第一电极、第二电极和第一层。第一电极包括金属元素。第二电极包括n型半导体。第一层形成在第一电极与第二电极之间，并包括半导体元素。第一层包括由金属元素形成的导体部分。导体部分与第二电极隔开。

公开(公告)号：CN103403807A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010795.3

申请日：2012-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高岛章 ,  宫川英典 ,  藤井章辅 ,  松下大介

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0097 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0088 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/77

Abstract: 根据一个实施例，非易失性半导体存储器设备包括存储器单元阵列和控制电路。该存储器单元阵列包括存储器单元，每一个存储器单元都包括可变电阻元件，其中在复位操作中流动的复位电流比在置位操作中流动的置位电流小不少于一个数量级。该控制电路对存储器单元执行复位操作和置位操作。该控制电路对处于低电阻状态并连接到选择的第一互连和选择的第二互连的所有存储器单元执行复位操作。

公开(公告)号：CN101546783B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910130660.0

申请日：2009-03-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新宫昌生 ,  菊地祥子 ,  高岛章 ,  井野恒洋 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。在半导体器件中，侧壁由SiO2、SiN或SiON构成，并且顶部绝缘膜或栅极绝缘膜由包括Al、Si和金属元素M的氧化物构成，使得数量比Si/M被设置为不小于在包括金属元素M和Al的复合氧化物中的SiO2组分处于固溶度极限的情况下的数量比Si/M、并且被设置为不大于在介电常数等于Al2O3的介电常数的情况下的数量比Si/M，并且使得数量比Al/M被设置为不小于在由于Al元素而抑制了所述金属元素M的氧化物的结晶的情况下的数量比Al/M、并且被设置为不大于在由于金属元素M而抑制了Al2O3的结晶的情况下的数量比Al/M。

公开(公告)号：CN1838415A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610068044.3

申请日：2006-03-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡边浩志 ,  木下敦宽 ,  高岛章 ,  萩岛大辅

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324

Abstract: 一种非易失性半导体存储器件，包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的多个隔离区域；形成在相邻隔离区域之间的元件形成区域；提供在元件形成区域上的第一栅极绝缘膜；提供在第一栅极绝缘膜上的浮栅电极，在沿着垂直于隔离区域延伸方向的方向上的剖面中，浮栅电极面对元件形成区域的下边缘的宽度小于元件形成区域的宽度；提供在浮栅电极上的第二栅极绝缘膜；和提供在第二栅极绝缘膜上的控制栅极电极。

公开(公告)号：CN101515600A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910008226.5

申请日：2009-02-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有吉惠子 ,  高岛章 ,  菊地祥子 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513

Abstract: 提供一种非易失性存储元件及其制造方法。该非易失性存储元件包括：半导体区；相互隔开地设置在所述半导体区中的源区和漏区；设置在源区与漏区之间的半导体区上的隧道绝缘膜；设置在所述隧道绝缘膜上的电荷存储层；设置在所述电荷存储层上的阻挡绝缘膜；以及设置在所述阻挡绝缘膜上的控制栅电极。所述电荷存储层包括含有从包括Hf、Al、Zr、Ti和稀土金属的组中选择的至少一种材料、并且被全部或者部分地晶化的氧化物、氮化物或氧氮化物。所述阻挡绝缘膜包括含有至少一种稀土金属的氧化物、氧氮化物、硅酸盐或铝酸盐。

公开(公告)号：CN101378084A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810146362.6

申请日：2008-08-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高岛章 ,  菊地祥子 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/517 ,  H01L29/792

Abstract: 一种非易失性半导体存储元件，包括：半导体衬底、在半导体衬底中分开提供的源区和漏区、在半导体衬底上源区和漏区之间提供的隧道绝缘层、在隧道绝缘层上提供的电荷存储层、在电荷存储层上提供的并且包括结晶铝酸镧层的阻挡绝缘层以及在阻挡绝缘层上提供的控制栅电极。